Полупроводниковые приборы

Пер. с англ.: П.П.Пархоменко. - М.: Радио и связь, 1990. - 480 с. ISBN 5-256-00253-8. В книге американского ученого на основе последних достижений в области теории алгоритмов и методов проектирования СБИС анализируется связь структуры разрабатываемых СБИС и реализуемых в них алгоритмов. Проводится теоретический анализ сложности решения различных вычислительных задач в СБИС. Описываются как методы разработки алгоритмов, удобных для реализации в ви...

Спб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2009. 56 с. Методические указания содержат описания лабораторных работ, выполнение которых поможет студентам освоить получаемый на лекциях теоретический материал и подготовиться к самостоятельному использованию электронных приборов в технических устройствах. Предназначено для студентов дневного и вечернего отделений, изучающих курсы "Электронные приборы" и "Электроника". DjVu, 300 dpi, без OCR

InTech, 2011. - 344 pages. The exciting world of crystalline silicon is the source of the spectacular advancement of discrete electronic devices and solar cells. The exploitation of ever changing properties of crystalline silicon with dimensional transformation may indicate more innovative silicon based technologies in near future. For example, the discovery of nanocrystalline silicon has largely overcome the obstacles of using silicon as optoele...

Приведены сведения о буквенно-цифровой и цветной маркировки электрорадиоэлементов, широко применяемых в радиоэлектронной аппаратуре отечественного и зарубежного производства. Рассмотрены системы обозначений комплектующих элементов, действующие в настоящее время в технически развитых странах мира. Даны примеры обозначений и маркировок конкретных изделей электронной техники: резисторов, конденсаторов, полупроводниковых диодов, стабилитронов, стабис...

Сборник статей. Springer, 2010.- 445p. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits. The material covered begins with a review of specific properties of III-V semiconductors and available technologies making them attractive to MOSFE...

Contents. Introduction to Semiconductor Manufacturing. Technology Overview. Process Monitoring. Statistical Fundamentals. Yield Modeling. Statistical Process Control. Statistical Experimental Design. Process Modeling. Advanced Process Control. Process and Equipment Diagnosis. of the book places the manufacture of integrated circuits into its. historical context, as well as provides anoverviewof modern semiconductorman. ufacturing. n the Chapter 2...

Монография, Москва, МИР, 1987, 471 с. Книга ведущих специалистов из США и Японии, в которой рассмотрены вопросы физики, химии и технологии применения плазменной обработки в производстве СБИС. Это своеобразная энциклопедия по физики, химии процессов осаждения, литографии и травления с применением ионно плазменных методов. Книга предназначена для специалистов в области физики и химии плазмы, технологии микроэлектроники, а также для студентов соотве...

4-е изд. - М.: Горячая линия-Телеком, 2007. - 144 с, ил. - (Массовая радиобиблиотека; Вып. ?1279) Приведены описания оригинальных конструкций металлоискателей различной сложности, пригодных для повторения в любительских условиях. Для широкого круга читателей.

Мамий А.Р., Тлячев В.Б. Операционные усилители. - Майкоп: АГУ, 2005. - 192 с. В этой книге авторы собрали и изложили материал, разбросанный по различным литературным источникам. Компактное изложение не требует определенной математической или иной подготовки от читателя. Приведены основные сведения об операционных усилителях (ОУ), рассмотрены конкретные электронные схемы ОУ, примеры расчетов их характеристик. Книгу можно использовать как учебное...

McGraw-Hill, 2010. - 448 p. 3rd edition. The Industry Standard Guide to Wire Bonding - Fully Updated. The definitive resource on the critical process of connecting semiconductors with their packages. Wire Bonding in Microelectronics, Third Edition, has been thoroughly revised to help you meet the challenges of today's small-scale and fine-pitch microelectronics. This authoritative guide covers every aspect of designing, manufacturing, and evalua...

Prentice Hall, 2000, 666 p. Язык - английский. Технология производства полупроводников. Книга известных американских специалистов (Michael Quirk, Julian Serda) охватывает практически все важнейщие аспекты технологии субмикронных СБИС. Несмотря на то, что она написана в 2000 г., до сих пор книга не потеряла своей ценности и актуальности и не только для отечественного читателя, она по прежнему является одним из основных хрестоматийных учебников по...

Woodhead Publishing Limited, 2011, 340 pages Understanding and limiting electromigration in thin films is essential to the continued development of advanced copper interconnects for integrated circuits. Electromigration in thin films and electronic devices provides an up-to-date review of key topics in this commercially important area. Part one consists of three introductory chapters, covering modeling of electromigration phenomena, modeling...

Справочник В 2 томах. Том 2 М.: ИП "РадиоСофт" 2002 — 512с. Во втором томе справочного издания приводятся данные по электрическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров. Приводятся динамические, импульсные, частотные, температурные зависимости параметров а также описываются особенности применения тиристоров в радиоэлектронной...

John Wiley & Sons, Inc., 2002, - 460 pages. The book contains nine chapters in total. The first chapter provides an overview of emerging trends in compound semiconductors and computing technology. Authors have tried to focus the book on the three emerging areas: telecommunications, quantum structures, and challenges and alternatives to CMOS technology. The balance of the book examines these three issues in detail. There are sections throughou...

William Andrew, Noyes Publications, 2000, 571 pages. Wide bandgap semiconductors, made from such materials as GaN, SiC, diamond and ZnSe, are undergoing a strong resurgence in recent years, principally because of their direct bandgaps which give them a huge advantage over the indirect gap SiC. As an example, more than 10 million blue LEDs using this technology are sold each month, and new, high-brightness (15 lumens per watt), very-long-lifetim...

Введение. Полупроводниковые лазеры. Общие понятия. Устройство полупроводникового лазера. Принцип работы лазера. Параметры и свойства полупроводникового лазера. Классификация и система обозначений. Заключение. Список используемых источников.

Авторы: Черепанов В.П., Хрулев А.К. Год: 2002. Издательство: РадиоСофт. Город: Москва. Количество страниц: 512. Во втором томе справочного издания приводятся данные по электрическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров Приводятся динамические импульсные частотные температурные зависимости параметров, а также описываются особенн...

The Institution of Engineering and Technology, 2009, 350 pages. Scope: This book provides fundamental and practical information on all aspects of GaAs processing. The book also gives pragmatic advice on cleaning and passivation, wet and dry etching and photolithography, and dry etching. Other topics covered include device performance for HBTs (Heterojunction Bipolar Transistors) and FETs (Field Effect Transistors), how these relate to processin...

World Scientific Publishing, 2005, 208 pages. Impact ionization, avalanche and breakdown phenomena form the basis of many very interesting and important semiconductor devices, such as avalanche photodiodes, avalanche transistors, suppressors, sharpening diodes (diodes with delayed breakdown), as well as IMPATT and TRAPATT diodes. In order to provide maximal speed and power, many semiconductor devices must operate under or very close to breakdow...

InTech, 2010. - 656 pages. Michael Wang, Editor. ISBN 978-953-307-064-3. Сборник статей по новейшим методам литографии. Рассматриваемые темы включают ионно- и электроннолучевую литографию, лазерную литографию, иммерсионную фотолитографию, литографию в дальней ультрафиолетовой области спектра, наноимпринтную литографию, методы коррекции эффекта близости, изготовление проекционных объективов сверхвысокого разрешения, новейшие достижения в технологи...

Авторы: Ганнетт Дж., Домич А., Катевенис М., Паттерсон Д., Пшибилски С, Секуин К., Фос-тер М., Хеннесси Дж., Шербурн Р. : Пер. с англ./Под ред. Н.Айнспрука. — М.: Мир, 1989.— 256 с, ил. ISBN 5-03-000477-7 В коллективной монографии американских ученых рассматриваются архитектурные особенности СБИС-микропроцессоров, в частности таких высокоэффективных устройств, как микроЭВМ с сокращенными наборами команд (RISC). Значительное внимание уделяется мет...

CRC Press, 2007, 864 pages. 2nd Edition (Opitcal Science and Engineering Series). This new edition of the bestselling Microlithography: Science and Technology provides a balanced treatment of theoretical and operational considerations, from elementary concepts to advanced aspects of modern submicron microlithography. Each chapter reflects the current research and practices from the world's leading academic and industrial laboratories detailed by...

Wiley, 2008.- 534 pages. Microlithography is the main technical driving force behind one of the most important phenomenon in the history of technology - microelectronics and the incredible shrinking transistor. These dramatic increases in electronic functionality per unit cost each year for early five decades, have transformed society. The gating piece of technology in this marvel of manufacturing progress has always been the process of lithograp...

SPIE (Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers): 2010. (SPIE Press Monograph Vol. PM190). - 300 pp. This book is aimed at new and experienced engineers, technology managers, and senior technicians who want to enrich their understanding of the image formation physics of a lithographic system. Readers will gain knowledge of the basic equations and constants that drive optical lithography, learn the basics of exposure systems and image for...

Noyes Publications/William Andrew; 2nd edition, 2001. - 1022 p. This handbook gives readers a close look at the entire technology of printing very high resolution and high density integrated circuit (IC) patterns into thin resist coatings, including optical lithography, electron beam, ion beam, and x-ray lithography. The book's main theme is the special printing process needed to achieve volume high density IC chip production, especially in the...

Киев, 1966, 308 с. Справочник содержит данные об основных типах термисторов, фотосопротивлений, селеновых и купроксных выпрямителей, германиевых и кремниевых диодов, плоскостных транзисторов с указанием области их применения. В справочнике дана новая классификация диодов и транзисторов и сведения по новым типам полупроводниковых приборов. Предназначен для инженеров, техников и радиолюбителей, работающих в области использования полупроводниковых п...

Шпаргалка составленная по дисциплине "Электронные сверхвысокочастотные и кывантовые приборы". Содержит теорию полупроводников и краткие сведения по полупроводниковым приборам. Содержание Электроника. Электронные приборы. Физические явления в электронных приборах. Классификация электронных приборов. Электропроводность твердых тел. Классификация твердых тел по проводимости. Влияние температуры, наличия примеси, освещенности на электропроводность п/...

М.:Энергоатомиздат, 1987 - 120с. с ил. Рассматриваются основные схемы, статические и динамические характеристики, методы анализа и расчета преобразователей постоянного напряжения, построенных на базе последовательного резонансного инвертора с маломощным транзисторным коммутатором, позволяющим существенно улучшать основные характеристики преобразователя. Книга предназначена для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой преобразов...

Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. – 3-е изд., перераб. и доп. – Таганрог, 204 с., ил. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы элек-тронной техники, его отличает компактное изложен...

Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. Воронеж: ИПФ "Воронеж", 1994г. ISBN5-89981-030-0 В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены...

Cambridge University Press, 2010, 196 pages If you are a semiconductor engineer or a magnetics physicist developing magnetic memory, get the information you need with this, the first book on magnetic memory. From magnetics to the engineering design of memory, this practical book explains key magnetic properties and how they are related to memory performance, characterization methods of magnetic films, and tunneling magnetoresistance effect devi...

Cambridge University Press, 1995, 239 Pages. This book is the first to give a comprehensive description of the physics and applications of resonant tunneling diodes. The opening chapters of the book set out the basic principles of coherent tunneling theory. The authors describe in detail the effects of impurity scattering, femtosecond dynamics, non-equilibrium distribution, and intrinsic bistabilities. They review the applications of RTDs, such...

ГОУ СПО КАТ, 22 с., 2006 г. Дисциплина - "Электропитание СВТ". Содержание. Введение. Первичные ИИП. Прямоходовые и обратноходовые преобразователи. Двухтактный (Push Pull) преобразователь. Полумостовой преобразователь. Мостовой преобразователь. Вторичные ИИП. Импульсные преобразователи. Однотактный преобразователь напряжения. Импульсный однотактный преобразователь постоянного напряжения. Конвертор. Заключение. Литература.

НУК, 2011 г. Силовые полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы. Их разновидности, параметры, особенности, применения. Силовые полевые транзисторы (MOSFET). области их применения, преимущества перед биполярными транзисторами, характеристики. Силовые биполярные транзисторы (ВТ). Их параметры, характеристики; особенности работы в ключевом режиме, применение Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особенности, параметры, применен...

М.: Сов. радио, 1978. - 64 с., ил. Приводятся принцип действия и основные параметры полевых транзисторов, излагаются рекомендации по их применению. Брошюра рассчитана на широкий круг читателей, связанных с применением и эксплуатацией полевых приборов в радиоэлектронной аппаратуре.

М., «Сов. радио», 1976г - 56 с. с ил. Кратко описаны конструктивные принципы биполярных транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики и параметры. Приводятся способы включения транзисторов, проверки их годности при эксплуатации и хранении, а также способы предотвращения воздействия разрядов статического электричества. Брошюра рассчитана на широкий круг читатслей, связанных с применением и эксплуатацией транзисторов в радиоэл...

Содержание. Введение. Назначение и область применения. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия. Конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации. Эффекты...

- Москва, - ГОУ ВПО «МАТИ», - 2005, – 140 стр. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Специальность: 05.27.06. Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. (На правах рукописи). Научный руководитель: доцент, доктор технических наук Елинсон В.М. Аннотация. Цель работы – исследование влияния наноразмерного покрытия на основе углерода, нанесенного на поверхность...

- Москва, - ГОУ ВПО «МАТИ», - 2005, – 133 стр. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Специальность: 05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. (На правах рукописи). Научный руководитель: доктор технических наук, профессор Слепцов В.В. Аннотация. Целью диссертации является разработка технологии оборудования вакуумной металлизации полимерных плено...

Wiley, 2003, 666 pages More than 1,100 TEM images illustrate the science of ULSI The natural outgrowth of VLSI (Very Large Scale Integration), Ultra Large Scale Integration (ULSI) refers to semiconductor chips with more than 10 million devices per chip. Written by three renowned pioneers in their field, ULSI Semiconductor Technology Atlas uses examples and TEM (Transmission Electron Microscopy) micrographs to explain and illustrate ULSI proce...

Springer Science+Business Media, 2008, 330 pages Providing an important link between the theoretical knowledge in the field of non-linier physics and practical application problems in microelectronics, the purpose of the book is popularization of the physical approach for reliability assurance. Another unique aspect of the book is the coverage given to the role of local structural defects, their mathematical description, and their impact on the...

SPIE, Bellingham, Washington, 2010, 861 pages Chemistry and Lithography provides a comprehensive treatment of the chemical phenomena in lithography in a manner that is accessible to a wide readership. The book presents topics on the optical and charged particle physics practiced in lithography, with a broader view of how the marriage between chemistry and optics has made possible the print and electronic revolutions of the digital age. The rela...

SPIE, Washington, 2009, 673 pages Extreme ultraviolet lithography (EUVL) is the principal lithography technology aiming to manufacture computer chips beyond the current 193-nm-based optical lithography, and recent progress has been made on several fronts: EUV light sources, optics, optics metrology, contamination control, masks and mask handling, and resists. This comprehensive volume is comprised of contributions from the world's leading EUV...

М.: Сов. радио, 1980. - 64 с.: ил. - (Элементы радиоэлектронной аппаратуры). Дается классификация тиристоров по принципу управления, форме вольт-амперной характеристики, среднему току, основному назначению. Рассмотрены их конструкции, основные параметры, важнейшие характеристики, их зависимость от режима работы и температуры. Показаны примеры построения некоторых тиристорных схем, применяемых в радиотехнике, преобразовательной технике и электрони...

Third Edition, SPIE Press, 2010, 504 pages The publication of Principles of Lithography, Third Edition just five years after the previous edition is evidence of the quickly changing and exciting nature of lithography as applied to the production of integrated circuits and other micro- and nanoscale devices. This text is intended to serve as an introduction to the science of microlithography, but also covers several subjects in depth, making i...

Баку, БГУ, 2003, 231 стр. Рассмотрены электрофизические процессы в реальных контактах металл – полупроводник, в приконтакной полупроводниковой области которых возникает дополнительное электрическое поле контактной разности потенциалов (поле пятен) как между микроучастками с различными высотами потенциальных барьеров на контактной поверхности, так и между контактной поверхностью и примыкающими к ней свободными поверхностями металла и полупроводник...

М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омиче...

М.: Радио и связь, 210 стр., 1982 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник. Рассматривается физическая модель контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник. Рассматриваются эквивалентная схема и параметры контактов. Особое внимание уделяется омическим контактам металл— полупроводник, диодам Шоттки и транзисторам с затвором Шоттки. Для студентов ра...

Пер. с япон.— М.: Мир, 1988.—309 с, ил. Книга является переводом четвертого тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной крупными японскими специалистами. Посвящена новейшим методам автоматизированного проектирования БИС и СБИС, позволяющим получать наилучшие технические характеристики. Основное внимание уделяется математической теории логического проектирования, проблемам упрощения логических функций и языкам описания, которые используют...

М.: МФТИ. - 85 с. Данное учебное пособие написано на основе раздела курса лекций "Электронные приборы", предназначенного для студентов факультета радиотехники и кибернетики МФТИ. Особенностью курса является его направленность на изучение физических процессов в полупроводниковых приборах с целью обоснования их статических, частотных и временных характеристик, предельных возможностей, а также адекватного поведения приборов в устройствах с помощью л...

Минск. БГУ. 2007. 222 с. В коллективной монографии представлены наиболее важные результаты достижений последних лет по основным проблемам полупроводниковой гелиоэнергетики. В издании изложены не только теоретические аспекты той или иной проблемы, но и описаны технологии получения и конструкции по-лупроводниковых солнечных элементов и действующих модулей, а также показаны перспективы внедрения фотопреобразователй в практику. Книга будет полезна с...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .7. - М.: Высшая школа, 1990. - 128 с.: ил. В книге описаны процессы воздействия на твердое тело электронных, ионных и оптических пучков, применяемые в микроэлектронике для травления диэлектриков,полупроводников, металлов, нанесения их тонких слоев на подложки и модификации поверхностных слоев полупроводниковых пластин. Приведены сведения по ио...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 6. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения ва...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 5. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин, а также эпитаксиального наращивания. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполнения...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .4. - М.: Высшая школа, 1989. - 95 с.: ил. В книге описаны технологические процессы механической и химической обработки полупроводниковых пластин: резка,шлифовка, полировка, скрайбирование, разламывание, химическая очистка и травление. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполн...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Козырь И.Я., Горбунов Ю.И., Чернозубов Ю.С. Пономарев А.С. Общая технология. Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .1. - М.: Высшая школа, 1989. -223 с.: ил. Рассмотрены основные направления развития микроэлектроники, описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и ИМС, особенности изготовления индикаторных устройств. Особое внимание уделено авто...

Под ред. Е.З.Мазеля. - М.: Радио и связь, 1985. - 176 с., ил. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.

М.: Энергия, 1979г. - 168с. В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.

Москва. Связь. 1971. 243 с. Рассматриваются вопросы теории нелинейных явлений, возникающих в основных транзисторных схемах приемно-передающего тракта аппаратуры связи. Исследовано влияние свойств транзистора, конфигурации схемы, параметров генераторов частот в выходном спектре каскадов, для различных случаев. Приведены методики расчета основных каскадов, направленная на создание оптимальных по нелинейным свойствам и стабильности схем и практичес...

Учебное пособие, НГТУ,Новосибирск, 1999, 58 с. Учебное пособие для студентов заочной и дневной форм обучения. Специальность 200200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы". В учебном пособии изложены основы технологических схем получения и очистки важнейших полупроводниковых материалов, используемых в электронной технике. Содержание: Технологические методы выращивания монокристаллов полупроводников из расплавов. Тигельные методы. Бестигель...

К.: Выща школа, 1989. – 91 с. Рассмотрены квантовые процессы, обусловленные протеканием стационарного электрического тока через 2-мерную систему на поверхности полупроводника. Разработанная микроскопическая теория замкнутых 2-мерных объектов позволяет объяснить недавно обнаруженные явления квантового эффекта Холла и квантового эффекта поля.

Казань: Казан. гос. техн. ун-т, 2009. - 270 с. Учебное пособие по факультативной дисциплине "Электронные приборы" предназначено для подготовки дипломированного специалиста по специальности 200101 "Приборостроение". Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в соврем...

ЧГУ им. Петра Могилы. г. Николаев. Преподователь: Прыщепов О.Ф. 2011 г. 37 с. Особливості напівпровідникових матеріалів Власна електропровідність напівпровідників Домішкова електропровідність Дрейфовий та дифузійний струми Фотопровідність напівпровідників Формування контакту напівпровідник- напівпровідник Енергетична діаграма р-n переходу Фотоефект в р-n переході

Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Элементная база электронных аппаратов (пассивные элементы)/ В.П. Олейник, Н.В. Долженков. - Учеб. пособие. - Харьков: Нац. аэрокосм. ун-т "Харьк. авиац. ин-т", 2004. - 62 с. Приведена структура элементной базы радио- и электронных аппаратов. Рассмотрены: функциональное назначение, основные электрические и эксплуатационные параметры, маркировка и обозначение резисторов, конденсаторов, индуктивных компонентов. Для студентов, обучающихся по направ...

«Высш. школа», 1977г. , 256 с. с ил. В книге рассмотрены: технология полупроводниковых интегральных микросхем (диффузии. эпитаксия, пассивация, межсоединения, фотолитография); технология гибридных пленочных микросхем (физические основы и техника термического вакуумного напыления, активные и пассивные тонкопленочные элементы, методы контроля тонкопленочных элементов в процессе напыления, распыление ионной бомбардировкой, технологические особенност...

М.: Высш. шк. , 1990. – 126 с. Описана сборка полупроводниковых приборов и ИМС: монтаж кристаллов, присоединение электродных выводов и герметизация. Даны теоретические основы наиболее широко применяемых при сборке процессов пайки и сварки. Рассмотрено современное сборочное оборудование, его принцип действия, устройство и обслуживание.

Содержание. Введение. Принцип действия и области применения варикапа. Малосигнальная эквивалентная схема варикапа. Особенности конструирования варикапов. Параметры варикапов и методы их измерения. Функциональные зависимости параметров варикапов. Заключение. Список используемой литературы.

Retaining the comprehensive and in-depth approach that cemented the bestselling first edition's place as a standard reference in the field, the Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, Second Edition features new and updated material that keeps it at the vanguard of today's most dynamic and rapidly growing field. Iconic experts Robert Doering and Yoshio Nishi have again assembled a team of the world's leading specialists in every area...

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, дисциплина: конструкторско технологическое обеспечение производства ЭВМ цели: 1. Изучить свойства и конструкцию исходных пластин (заготовок) для изготовления полупроводниковых ИМС. 2. Изучить конструкцию семи типов полупроводниковых ИМС по заданному варианту. 3. Изучить конструкцию и зарисовать эскизы топологии трех активных и одного пассивного элементов полупроводниковых ИМС по заданному варианту...

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс Цели: Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах. Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС. Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса. Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС. Произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур.

Содержание. Электрический взрыв проводников. Моделирование ЭВП. Процессы протекающие при ЭВП. Основные направления работ по ЭВП. Применение ЭВП. Заключение. Список использованной литературы.

Учебное пособие. В 2 ч. Ч. 1. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2006. – 68 с. : ил. Пособие соответствует дисциплине «Физические основы электроники» и «Электроника» по государственному образовательному стандарту направления 190400 «Системы обеспечения движения поездов» высшего профессионального образования специальности 190402 «Автоматика, телемеханика и связь на железнодорожном транс-порте». Рассмотрены физические процессы, контактные явления, характе...

- Ульяновск, - УГТУ, - 2009, – 38 стр. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. Специальность: 05.13.18 Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ. (На правах рукописи). Аннотация. Объектом исследования диссертационной работы является физический процесс воздействия лазерного излучения на пленочные РЭ, применяемого для подгонки сопротивления в целях увеличения выхода годных гибридных...

МФТИ, Черноголовка, 2009. 22с. Работа состоит из разделов: Введение и постановка задачи. Литературный обзор. Технология изготовления экспериментальных образцов. Экспериментальная установка. Экспериментальные результаты. Выводы. Литература.

М. «Советское радио», 1968. - 64 с. В брошюре дается краткое описание принципа работы и устройства различных полупроводниковых СВЧ диодов, выполняющих функции детектирования, преобразования частоты, генерирования усиления колебаний и переключения СВЧ трактов. Содержится определение основных параметров и важнейших характеристик детекторных, смесительных, у. множительных параметрических, переключательных, генераторных и туннельных диодов приводят...

/ Ю. В. Воробьев, В. Н. Добровольский, В. И. Стриха. К.: Выща шк. Головное изд-во, 1988. - 232 с. , 125 ил. - Библиогр. : 35 назв. ISBN 5-11-000230-4 В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника). И...

/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с., ил. (Измерения в электронике). Рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и структурных параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической реализации. Анализируются причины возникновения погрешностей, даются рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок измерений. Приводят...

Полупроводниковая электроника в технике связи: Сб. статей. Вып. 27 / Под ред. И. Ф. Николаевского. — М.: Радио и связь, 1988. — 251 с, ил. Редакция литературы по радиотехнике Приведены схемы, электрические и конструкционные характеристики, результаты исследований КВ и УКВ передатчиков, СВЧ и НЧ усилителей, аппаратуры цифровой обработки информации, вычислительных устройств, источников вторичного электропитания, а также справочные данные микросхем...

Полупроводниковая электроника в технике связи: Сб. статей. Вып. 25 / Под ред. И. Ф. Николаевского. — М.: Радио и связь, 1985. — 248 с, ил. Посвящен проектированию и исследованию узлов и блоков приемно-передающей аппаратуры, высоко- и низкочастотных генераторов и усилителей, измерительных приборов, источников электропитания и других аналоговых и цифровых устройств для систем связи и радиоэлектронной аппаратуры. Даны результаты исследований полупр...

Полупроводниковая электроника в технике связи. Сборник статей под ред. И. Ф. Николаевского. Выпуск 22, 1982 год. Рассматриваются вопросы проектирования и исследования цифровых и оптоэлектронных линий связи и устройств, КБ и УКВ передатчиков и генераторов, аттенюаторов, импульсных устройств, источников питания. Приводятся справочные данные о новых полупроводниковых приборах. Для инженерно-технических работников, занимающихся исследованием, рас...

Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Сб. статей под ред. И. Ф. Николаевского, вып. 15. М., «Связь», 1975. 216 с. с ил. В сборник включены статьи, посвященные практическому использованию транзисторов в широкополосных и дифференциальных линейных усилителях, эмиттерных повторителях, генераторах и усилителях радиопередатчиков и в стабилизированных источниках питания. Ряд статей содержит материалы по применению тиристоров и однопереходн...

М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 1998. - 94 с. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом. Рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, гер...

М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2000. - 102 с. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов. Рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизац...

М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2001. - 70 с. В настоящем учебном пособии рассмотрены радиационные эффекты, происходящие в полевых транзисторах, выпрямительных диодах, солнечных батареях. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния...

Усилительные свойства биполярных и полевых транзисторов, транзисторные усилители Лабораторный практикум СПбГПУ, физико-технический и радио-физический факультеты 39стр

Автоколебательный мультивибратор. Однотактный релаксатор. Мультивибратор как делитель частоты. Триггер. СПбГПУ, физико-технический и радио-физический факультеты. 12 стр.

СибГИУ, Преподаватель Миллер Ю. М. , 2005 г. 30 стр. Разработка принципиальной схемы. Расчет параметров и выбор схем. Расчёт энергетических показателей установки в диапазоне номинального режима. Расчёт характеристик установки.

Springer 1986 (Tokyo 1981) pp.450. VLSI – Very Lage Scale Integration – Технология больших интегральных схем. . VLSI Technology summarizes the main results of the research performed by the Japanese VLSI Technical Research Association. The studies concentrated on silicon as the major basis of modern semiconductor devices. The results presented are on microfabrication technology, the electron-beam concept, the required software, the pattern transfe...

Издательство: КУбК-а (Москва). Год издания: 1997. ISBN: 5-85554-156-8. Страниц: 224. Справочник построен в виде таблицы, в которой приведены типо-номиналы отечественных диодов и тиристоров в соответствии с действующим рубрикатором на полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги с указанием различных фирм изготовителей США, Японии и Западной Европы. Для удобства работы книга разделена на две части. В первой части приведены зарубежные аналоги...

Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2010. - 448 с. Рассматриваются принципы и системы управления и регулирования различных видов полупроводниковых преобразователей силовой электроники. Оглавление. введение. Системы управления и регулирования преобразователями силовой электроники. Особенности современной полупроводниковой элементной базы, классификация и примеры применения преобразователей силовой электроники в электроприводе. Системы управления тири...

Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...

Справочное пособие. - М.: Радио и связь, 1993. - 224с. В данном пособии приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и у...

Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происхо...

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 2002. - 826 pp. (на англ яз. ) Книга представляет собой 4-й (и последний на сегодняшний день) том широко известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС. Настоящий том посвящен рассмотрению технологических нововведений, появившихся на рубеже тысячелетий и характерных для поколений СБИС с минимальным размером элемента 0,18 мкм и менее. Все эти направления активно развиваются и в настоящее время. К числу этих...

(Под общей редакцией Угая Я. А. ) М.: Высш. школа, 1978. - 191 с., ил. В книге дано описание лабораторных работ по химии и технологии полупроводников. Пособие предназначено для изучения основных методов физико-химических исследования конденсированных систем (ДТА, тензиметрические методы, построение P-T-x диаграмм, методы микроструктурного анализа и микротвердости), различных методов синтеза, кристаллизационной очистки и выращивания монокристалло...

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1995. - 744 pp. (на англ яз. ) Книга представляет собой 3-й том известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС. Настоящий том посвящен рассмотрению важнейшей для технологии современных СБИС области - МДП-транзисторам с субмикронной длиной канала. В книге рассматривается многосторонняя взаимосвязь физики, конструкции и технологии субмикронных транзисторных структур. Значительное внимание уделяется рассмотре...

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1986. - 684 pp. (на англ яз. ). Книга представляет собой первый том широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все вопросы технологии СБИС. Несмотря на то, что книга написана в 1986 г., во многом она не потеряла своей ценности и в настоящее время. В книге удачно воплощено стремление осветить все аспекты технологии СБИС с единой точки зрения, при этом весь материал книги отличается высоким уровнем...

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1990. - 785 p. (на англ яз. ). Книга известного американского специалиста проф. Стэнли Волфа является вторым томом широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все аспекты технологии СБИС. Несмотря на то, что этот том написан в 1990 г., во многом книга не потеряла своей ценности и в настоящее время, в частности, из-за полноты охвата темы, а также ясного и точного стиля изложения. Книга посвящена во...

Ознакомление с методиками формирования микро- и наноструктур на поверхности различных материалов с помощью методов микро- и нанолитографии

1992 г. Приведены справочные данные по мощным полевым транзисторам (ПТ) и схемы управления ПТ (в том числе интегральные модули), рассмотрены электронные устройства на основе ПТ, определены методы и схемы защиты ПТ. Основное содержание каталога составляют материалы фирм "Motorola" и "Mitsubishi"

Учебное пособие для вузов. Воронеж, 2007, 27 с. Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Основы теории МДП транзисторов. Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD. Для специальности: 010803 (014100) - Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Может быть полезно студентам и аспирантам смежных специальностей полупроводникового профиля, а...

М., Мир, 1992 г. 565 стр. В книге специалиста из США излагаются вопросы анализа и расчета транзисторных и линейных интегральных схем. Изложение ведется последовательно - от физических основ полупроводниковой электроники и принципов действия транзистора до расчета многокаскадных усилителей, усилителей мощности, источников питания, резонансных и операционных усилителей. Материал изложен чрезвычайно доступно и наглядно. В приложениях приводятся соот...

В курсовой работе проведен обзор современных светодиодов, изложены такие вопросы: основные термины и определения, классификация, условные графические обозначения, физический принцип действия, параметры и характеристики, эквивалентные схемы, типичные схемы включения, конструкции. В расчетной части выполнен расчет трансформатора питания электронной апаратуры аналогичного промышленной серии ТПП 238 в соответствии с заданием рассчитана мощность втори...

Екатеринбург, 2007, 97 стр. Выбор материала конструкций. Характеристика технологических операций. Изготовление полупроводниковой пластины. Калибровка стали. Шлифовка базового и дополнительного срезов. Оборудование для резки слитков на пластины. Очистка пластин. Шлифование пластин. Крепление пластин. Полирование пластин. Фотолитографическая обработка пластин. Конвейерные термические установки. Установки для нанесения тонких пленок в вакууме. Ионно...

Усилитель мощности класса А. Курсовая работа. НТУ Украины КПИ, Кафедра физической и медицинской электроники Курсовая работа по курсу: Проектирование биомедицинской аппаратуры Киев 2006 р.24 с.

Электронные компоненты. Выпрямительные диоды, диодные мосты и области их применения. Номенклатура, описание, схемы применения. 2010 г. Гамма Санкт-Петербург. 13 с.

Усилитель мощности класса Б. Курсовая работа. НТУ Украины КПИ, Кафедра физической и медицинской электроники. Курсовая работа по курсу: Проектирование биомедицинской аппаратуры. Киев 2006 р.11 с. язык - украинский.

Методы проверки электронных компонентов. Омметр + амперметр + вольтметр = мультиметр. Аналоговые и цифровые мультиметры. Методы проверки электронных компонентов. Статья посвящается всем новичкам и просто тем, для кого принципы измерения электрических характеристик различных компонентов, до сих пор остаются загадкой… 9 с.

Бодиловский В. Г. Справочник молодого радиста 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк. , 1983. — 320 с., ил. (Профтехобразование. Библиотечная серия). В справочнике приведены основные сведения об электрорадиоматериалах, компонентах и элементах радиоаппаратуры, кратко рассмотрены устройство и принципы действия важнейших радиотехнических установок. В настоящем издании главы «Электроакустические приборы», «Полупроводниковые диоды», «Транзисторы»,...

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

М.: Энергоатомиздат, 1988, 256 с. Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излу...

М.: ДОСААФ. 1967. - 240с. В любительской практике обычно не требуется тех точных и громоздких расчетов, которые имеют место в лабораторных и промышленных условиях. В большинстве случаев можно вполне обойтись простыми приближенными формулами и соотношениями, запомнить и научиться обращаться с которыми под силу даже начинающему радиолюбителю. В данной книге наряду с такими формулами приводится значительное количество конечных результатов расчетов...

Программа представляет собой электронный справочник в котором приведены описания отечественных микросхем, их зарубежных аналогов, названия производителей и соответствующие данным микросхемам стандарты.

Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....

— М.: Радио и связь, 1981. — 136 с. Рассмотрены классификация, параметры и функциональные возможности аналоговых интегральных схем, а также применение их в устройствах радиоприемной, телевизионной, звукоусилительной, студийной, измерительной и другой аппаратуры. Особое внимание уделяется специфическим вопросам применения операционных усилителей и перемножителей. Приводится порядок расчета активных фильтров. В книге представлены более 100 принципи...

М., Радио и связь, 1992 г. (2-е изд. ), 320 стр. Последовательно рассмотрены вопросы технологии кремниевых полупроводниковых, пленочных и гибридных интегральных микросхем различной степени интеграции, методы проектирования их элементной базы. Описаны типовые технологические процессы производства. Изложены принципы конструирования этих микросхем. Указаны конструктивно-технологические особенности больших и сверхбольших интегральных микросхем, а т...

М., Мир, Пер. с англ. , 1988 г. , 585 стр. Приводится теория работы и технология изготовления полупроводниковых приборов (БТ, МДП, ПТШ и др. ), методика расчета, анализа характеристик и топологии схем на операционных усилителях (ОУ) и дифференцирующих каскадах. Для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов.

УГТУ-УПИ, ММФ, Электронное машиностроение, 2010 Введение Литография — способ печати, при котором краска под давлением переносится с плоской печатной формы на бумагу. В основе литографии лежит физико-химический принцип, подразумевающий получение оттиска с совершенно гладкой поверхности (камня), которая, благодаря соответствующей обработке, приобретает свойство на отдельных своих участках принимать специальную литографскую краску. Под литографией...

Введение. Оптическая литография объединяет в себе такие области науки, как оптика, механика и фотохимия. При любом типе печати ухудшается резкость края. Проецирование двумерного рисунка схемы ведет к уменьшению крутизны края, поэтому нужен специальный резист, в котором под воздействием синусоидально модулированной интенсивности пучка будет формироваться прямоугольная маска для последующего переноса изображения травлением или взрывной литографией...

Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей

Second edition. Cambridge University Press, 2006 Revised and fully updated, the Second Edition of this textbook offers a comprehensive explanation of the technology and physics of light-emitting diodes (LEDs) such as infrared, visible-spectrum, ultraviolet, and white LEDs made from III–V semiconductors. The elementary properties of LEDs such as electrical and optical characteristics are reviewed, followed by the analysis of advanced device struct...

Массовая радиобиблиотека. Выпуск 317. М. : 1958. -64 В книге приводятся основные сведения о методах ускорения заряженных частиц, об ускорителях и их радиотехнических устройствах. Книга рассчитана на подготовленного читателя, интересующегося проблемами современной науки.

- М.: Металлургия. 1991. — 407 с. Обобщены данные по широкому спектру исследований практически всех известных подклассов стеклообразных полупроводниковых сплавов: халькогенидных, оксидных, сплавов систем АII-ВIV-В2V и др. Проанализированы существующие концепции стекло-образования. Выявлены периодические закономерности стеклообразования, осуществлен прогноз и поиск новых халькогенидных стеклообразующих систем. Рассмотрены методы получения, структу...

В книге изложены физические принципы работы кремниевых фотопреобразователей солнечной энергии в электрическую, рассмотрены электрические и спектральные характеристики приборов и факторы, влияющие на величину к. п. д. преобразователя, охарактеризованы особенности использования солнечных батарей, описан ряд конструкций батарей и приведены примеры их применения в различных областях науки и техники. Госэнергоатомиздат 1961г. 74с

Издательский дом Додэка-XXI, 2001. -384с. Представлена эволюция развития основных семейств мощных ключевых приборов. Приведены базовые структуры полупроводниковых ключей, их характеристики, методы управления и защиты. Рассмотрены основные режимы работы силовых ключей и рассмотрены особенности их применения в устройствах преобразования электрической энергии. Для специалистов, занимающихся применением силовых полупроводниковых ключей, и разработчи...

Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

- Москва: ДМК Пресс, 2008. - 352 с. В книге рассмотрены задачи, методы и особенности автоматизированного лабораторного практикума с удаленным доступом (АЛП УД) по исследованию полупроводниковых приборов, приведено описание реализующей его системы АЛП УД «Электроника», в том числе входящего в ее состав аппаратно-программного комплекса (АПК) «Электроника», разработанного на основе технологии корпорации National Instruments в региональном инновацион...

3-е изд., перераб. и доп. - М.: Горячая линия-Телеком, 2003. - 176 с, ил. - (Массовая радиобиблиотека; Вып??1261) В книге рассмотрены принципы работы и описания приборов, есть практические схемы и способы настройки, а также даны рекомендации по самостоятельному изготовлению металлоискателей.

Москва, Издательство "Наука", 1981 год - 368 стр. В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. Особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов пр...

Учебное пособие. – Челябинск: Изд. ЮУрГУ, 2001. ? Ч .1. ? 119 с. В пособии рассмотрены вопросы технологии полупроводниковых, магнитных, диэлектрических и проводниковых материалов, широко применяющихся в электронике и микроэлектронике, прогрессивные технологии производства тонкопленочных материалов и наращивания на подложку монокристаллических эпитаксиальных пленок, планарная технология производства интегральных схем, методы создания p?n- переходо...

Под ред. Дж. Р. Брюэра: Пер. с англ. — М.: Радио и связь, 1984. 336 с, ил. Рассмотрены процессы высокоразрешающей электронно-лучевой литографии, взаимодействие электронного луча с резистом, способы изготовления фотошаблонов и переноса изображения на полупроводниковую пластину. Даны примеры электронно-лучевых установок, тенденции их усовершенствования. Определены области наиболее целесообразного применения электронно-лучевой литографии. Для широко...

Новосибирск: ИТ СО РАН, 2000. -196 с. В монографии представлены данные отечественных и зарубежных исследователей о достижениях солнечной фотоэлектроэнергетики массового наземного применения, имеющей большие перспективы развития в связи с высокой степенью экологичности получаемой энергии. Проанализированы проблемы технологии получения кремниевых пластин для высокоресурсных солнечных элементов. Указаны основные требования к кремниевым пластинам, ис...

Изд.: Солон-Пресс; Год: 2008; Стр. : 591; ISBN: 978-5-91359-043-5 Шестое издание, дополненное и исправленное. В cпpавочном поcобии cиcтематизиpованы в табличной фоpме в алфавитно-цифpовой поcледовательноcти данные по оcновным электpичеcким паpаметpам и конcтpуктивному иcполнению на отечеcтвенные биполяpные и полевые тpанзиcтоpы, выпpямительные диоды, cтолбы и блоки, ваpикапы, cтабилитpоны и cтабиcтоpы, тиpиcтоpы, cветоизлучающие и инфpакpаcные ди...

Смоленск, 2006. – 73 с. Лекции по курсу электронные промышленные устройства (2 часть). Содержание: Фильтры. Синтез цифровых автоматов.

Мотоока Т., Хорикоси X., Сакаути М. и др. - М.: Мир, 1988. - 336 с. Книга является переводом девятого тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования ЭВМ специального назначения на основе БИС и СБИС. Рассмотрены методы параллельной обработки цифровых данных, а также символьной и графической информации. Описаны способы построения баз данных и аппаратные средства управления операциями...

Мотоока Т., Хорикоси X., Сакаути М. и др. - M.: Мир, 1988. - 392 с. Книга является переводом восьмого тона 11-тонной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования компьютеров па основе наиболее перспективных СБИС. Значительное внимание уделено структурным решениям построения процессоров, запоминающих устройств, систем ввода-вывода данных. Даны рекомендации по использованию для этих целей систем...

Минск: "Вышейшая школа", 1989 г. , 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.

М., ИГХТУ им. Менделеева, 2008 г. , 500 стр. В монографии рассмотрены практически все разделы современной электроники: физические основы электроники, микроэлектроники и наноэлектроники, вакуумная и эмиссионная электроника (автоэмиссионные катоды, фотокатоды, ФЭУ, ЭОП, ЭЛТ и т. д. ), газоразрядная электроника (клистроны, ЛОВ, индикаторы, разрядники, газовые лазеры и т. д. ), твердотельная электроника (диоды, биполярные транзисторы, полевые транзис...

-М., Энергия, 1967. Описываются устройство, принцип действия, характеристики, параметры и некоторые применения четырехслойных полупроводниковых приборов. Дана теория статических характеристик и электрических переходных процессов при переключении приборов. Описаны экспериментальные исследования свойств приборов и методы измерения электрических характеристик и параметров. Книга предназначена для инженеров, научных работников, аспирантов и студенто...

К.: Наукова думка, 1978. - 316 с. Оглавление Биполярные генерационные процессы в структурах МДП Результаты экспериментального исследования биполярных генерационных процессов в кремниевых структурах МДП Взаимосвязь генерационных и рекомбинационных параметров структур МДП Перенос заряда и полевая генерация в диэлектриках Полевая генерация в полупроводниковой подложке Туннельная спектроскопия Туннельные генерационные явления в структурах МДП с толст...

Многие типы лазеров проектируются так, чтобы дать возможность оператору перестраивать или изменять по требованию выходную длину волны в широком диапазоне спектра излучения: от ультрафиолетового (УФ) до инфракрасного (ИК). . содержание: введение. виды перестраиваемых лазеров. -Наносекундные импульсные лазеры на красителях. -Наносекундные оптические параметрические генераторы. -Перестраиваемые одночастотные лазеры с брэгговскими решетками. заключен...

Таганрог, 2010 г. - 204 с. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает компактное изложение - в каждой теме дана минимально необходимая информация. Простым язы...

Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.

Киев, "Выща школа", 1988 - 232 стр. , 125 илл. В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника).

М., Мир, 1989 г. , 280 стр. В книге рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов, применяемых при их изготовлении. Большое внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ. Широко представлены результаты двумерного моделирования различных полупроводниковых приборов, а также процессов диффузии и окисления. Наряду с традиционной диффузионно-дрейфовой...

М., Мир, 1989 г. , 630 стр. Монография известных американских специалистов, которые в популярной форме излагают азы физики, рассматривают технологии формирования кремниевых ИС. В книге рассмотрены также принципы их действия, поднимаются проблемы расчета, создания конструкции, приведены прочие математические модели, которые применяют в целях проектирования самих элементов и цифровых (аналоговых) ИС на их базисе. В книге сделан акцент на математиче...

Перевод с английского под редакцией Ф. П. Пресса. - М.: Радио и связь, 1984. - 336 с., ил. Рассмотрены процессы высокоразрешающей электронно-лучевой литографии, взаимодействие электронного луча с резистом, способы изготовления фотошаблонов и переноса изображения на полупроводниковую пластину. Даны примеры электронно-лучевых установок. Определены области наиболее целесообразного применения электронно-лучевой литографии. Для широкого круга инженер...

Интегральные микросхемы и зарубежные аналоги К143-174 Cправочник. Том 2 "РадиоСофт" 640 с. В справочнике приводятся классификация, условные обозначения, типов, габаритные размеры корпусов, особенности применения и основные параметры более 300 типов аналоговых и цифровых микросхем, начиная с серии К143.

Рассмотрены физические основы работы биполярных транзисторов и тиристоров. Приведены основные параметры, характеристики и описаны особенности применения электронных приборов. Для студентов факультета радиотехнических систем летательных аппаратов.

Рассмотрены физические основы работы различных полупроводниковых диодов. Приведены основные параметры, характеристики и примеры применения приборов. Для студентов факультета радиотехнических систем летательных аппаратов.

Лабораторна робота 1 - "Дослідження напівпровідникової аналогової інтегрованої мікросхеми серії 140"; лабораторна робота 2 - "Дослідження гібридноі інтегрованої мікросхеми серії 237"; лабораторна робота 3 - "Дослідження аналогового перемикача на мдн транзисторах серії 168"; лабораторна робота 4 - "Дослідження цифрових інтегрованих мікросхем серії 155" для студентів НТУУ "КПІ" напряму підготовки "Елетронні апарати"

М.: Наука, 2007. - 220 с. - ISBN: 9785020361195. (Качество: хорошее, 600 dpi, OCR, bookmark) В книге систематически изложены основные результаты, полученные авторами в следующих областях: временной анализ цифровых КМОП-схем с учетом логических ограничений, статистический временной анализ; логический и логико-временной анализ помехоустойчивости цифровых КМОП-схем, алгоритмы характеризации элементов КМОП СБИС. Основой большинства предлагаемых здес...

Основные понятия. Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада по схеме с ОЭ. Задание на работу. Порядок расчета транзисторного усилителя по схеме с ОЭ.

Компоненты и технологии № 2'2005 Повышение производительности, достигающееся при использовании высоковольтных выпрямителей на основе карбида кремния в бустерных преобразователях, может использоваться для увеличения выходной мощности, частоты коммутации в устройствах небольших размеров или для повышения их надежности. Диоды Шоттки на основе карбидакремния компании Cree отлично подходят для повышения производительности, к тому же, сих помощью можн...

Программа для расчета пятикомпонентных полупроводниковых твердых растворов семейства А3В 5. Будет очень полезна студентам и аспирантам в области микро- и наноэлектроники. . Пятикомпонентные тв. растворы можно исследовать: - на изопериодичность к бинарным подложкам. - программа строит изопараметрические линии. - графики зависимости ширины запрещенной зоны от состава. - графики зависимости состава жидкой фазы от состава твердой фазы. - Спинодальные...

Ван дер Зил А. Шум. Источники, измерения, описание. (пер. с англ. ) - Москва Сов. радио, 1973 - 228 стр. В книге приводятся теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в в полупроводниковых приборах. Содержание: Введение. Математические методы. Описание шумов. Измерение шума. Тепловой шум и шум генерации-рекомбинации. Дробовой шум, шум токораспределения и фликкер-шум. Шум в конкретных устройствах. Смесители. Приложение.

Л.: Наука, 1969, 206 с. В книге рассматриваются вопросы расчета и проектирования термоохлаждающих устройств. Значительное внимание уделяется изучению влияния конструктивных и технологических факторов на эффективность и надежность термобатарей. Теоретические исследования дополняются примерами конкретных расчетов и данными практических испытаний термоохлаждающих устройств. Издание рассчитано на широкий круг специалистов, занимающихся разработкой...

М.: Энергия, 1971. - Изд. 2-е, перераб. и доп. Оглавление. Глава первая. Основные физические параметры полупроводников и соотношения полупроводниковой электроники. Глава вторая. Расчет р-п переходов. Глава третья. Эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов. Глава четвертая. Расчет бездрейфовых транзисторов. Глава пятая. Расчет дрейфовых транзисторов. Глава шестая. Конструкции корпусов транзисторов. Глава седьмая. Примеры расч...

ЧДТУ, спеціальність- радіотехніка, заочне відділення, 5-й семестр, 3-й курс, предмет- компоненти бази радіоелектронних засобів. Класифікація польових транзисторів, Принцип роботи, Основні параметри та характеристики, Схеми включення та режими роботи польових транзисторів, Застосування польових транзисторів. Виконав: Грозовський В. А.

Научно-популярное издание. 1989, М.: Издательство «Знание», - 208 с. Главный отраслевой редактор В. П. Демьянов. Редактор С. Н. Попова. Художник А. Е. Григорьев. Худож. редактор М. А. Бабичева. Техн. редактор О. А. Найденова. Корректор Н. Д. Мелешкина. В ярком созвездии наук классических, давно устоявшихся, вдруг вспыхнула «сверхновая звезда» - радиоэлектроника и в бурном своем развитии повлияла, как никакая другая область знания, на все стороны...

М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...

2-е изд, пер. с англ., М, И. Д. Вильямс, 2007, 912стр. Книга будет чрезвычайно полезна разработчикам цифровых интегральных схем и инженерам, желающим лучше разобраться в структуре СБИС. В ней предлагается множество полезных примеров, которые вы можете использовать в своей работе, и учтены основные тенденции, существующие в современном мире разработки КМОП-устройств. Книгу можно использовать как учебник по микроэлектронике при подготовке студенто...

РадиоСофт,1998г. ,896с. Во втором томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики иностранных сильных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов с предельными отклонениями указаны в русском стереотипе. В справочнике помещены ассортимент фирм-изготовителей и перечень иностранных аналогов выпускающихся и снятых с производства транзисторов. Для удобства работы со справочником составлен указате...

РадиоСофт,1998г. ,832с. В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные свойства иностранных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов указаны в русском стереотипе, с указанием допусков по достоверным сведениям компаний производителей. В справочнике наличествуют помимо прочего иностранные аналоги транзисторов (при этом помещены помимо прочего аналоги устройств снятых с производства) и...

МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под. ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 1988. - 496 с: ил. Книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными специалистами из многих стран на симпозиуме по математическому моделированию технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем (ИС) и электрических характеристик их основных элементов -...

3-е перераб. и доп. изд. на английском языке - Wiley, 2007. (3-ed) (2007) Монография написана известными американскими специалистами в области полупроводниковой электроники. В книге изложена физика биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки), физика приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов...

2001 г. 5-е переработанное и иправленное издание известной книги по полупроводниковым приборам. Приведены физические свойства, конструкции, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей приборов.

2003 г. Книга рекомендованная УМО по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской и автоматизации. Содержит в себе массу сведений о всех основных типах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а так же описания принципа физических процессов протекающих в них.

М.: Сов. радио, 1978, 96 с. В книге, написанной известным отечественным специалистом, рассмотрены основные составляющие фотолитографического метода: светочувствительные материалы, собственно технология фотолитографии, практические приемы фотолитографии и применяемое оборудование. Книга рассчитана на широкий круг читателей. Технологи, знакомые с фотолитографией, найдут в ней практические указания и новые сведения. Инженеров, работающих в других об...

Пер. с англ. под ред. Грехова И. В. Л.: Энергоиздат, 1981, 264 с. В книге, написанной сотрудником известной американской фирмы RCA, достаточно полно и на современном уровне описаны физические процессы, определяющие электрические характеристики тиристоров, рассмотрены основные приборы тиристорного типа - управляемые вентили, симисторы, тиристоры с обратной проводимостью, запираемые тиристоры, тиристоры с электростатическим управлением, а также при...

Издательство "ЭРА". 1. устройство переменных резисторов и их конструкции 2. основные параметры и характеристики переменных резисторов 3. основные типы переменных резисторов и их особенности 4. надёжность работы переменных резисторов 5. применение и эксплуатация переменных резисторов способы монтажа

Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.

М.: Высшая школа, 1979, 279 с. В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по микроэлектронике. Предназначается для учащихся радиотехнических техникумо...

Основные понятия. Основные параметры резисторов. Система обозначений резисторов. Маркировка резисторов. Непроволочные постоянные резисторы. Непроволочные переменные резисторы. Проволочные постоянные и переменные резисторы. Полупроводниковые резисторы. Проверка, ремонт и взаимозаменяемость резисторов.

ЦНИИ «Электроника», 1979, 57 c. Серия 7 «Технология, организация производства и оборудование» Выпуск 8(659) (по данным отечественной и зарубежной печати за 1973—1979 гг. ) Научный редактор канд. техн. наук, профессор И. Г. Блинов Рассмотрены физические основы действия и конструктивные схемы магнетронных распылительных устройств (магратронов). Приведены основные сведения о технологических возможностях магратронов по нанесению тонких пленок. Описан...

Пер. с англ. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 208 с.: иллюстрации Обобщены результаты в области дискретных силовых полупроводниковых приборов. Вопросы проектирования увязаны с существующими и перспективными процессами изготовления мощных тиристоров. Рассмотрена работа новых типов приборов: запираемых тиристоров, гибридов полевого транзистора с тиристором, МОП-транзисторов с встроенной областью пространственного заряда. Для широкого круга специалистов...

Шумы в полупроводниковых устройствах. Под общей ред. А. К. Нарышкина. Совместное советско-чешское издание. М., «Сов радио», 1977, 416 с. Излагаются сведения об источниках шума в полупроводниковых приборах, на основе которых рассматриваются методы проектирования малошумящих каскадов усиления и преобразования сигналов в приемно-усилительных и передающих трактах. Подробно разбираются шумовые свойства усилитетей в интегральном исполнении. Книга пред...

Небольшая статья, в которой рассказывается о работе полупроводниковых диодов и триодов (транзисторов), замечательных электронных устройств, изобретение которых стало возможным только после кропотливого изучения свойств определенного типа веществ — полупроводников. Сконструированные несколько десятков лет назад, эти устройства в настоящее время стали незаменимыми элементами огромного количества физических и радиотехнических приборов. Если Вы б...

Соппа И. В. Лекции по Цифровой электронике Дальневосточный государственный университет. Институт физики и информационных технологий. Факультет информационных технологий. Сборник лекций содержит следующие разделы: Основы теории построения логических схем: Булевы функции; карты Карно. Основы построения логических схем: Импульсные сигналы; РТЛ, ДТЛ, ТТЛ, КМОП-логика. Основные узлы цифровых устройств: RS, T, D и JK-триггеры; дешифраторы; сумматоры;...

Издательство: Связь. Год: 1974. Страниц: 162. Материал сборника тематически разделен на две основные части. Первая содержит статьи по стабилизаторам: импульсным, с автоматическим возвратом, компенсационно-параметрическим, программируемым. Во вторую часть вошли статьи по усилителям на полупроводниковых приборах: УПТ, усилителям видеочастот, ограничителям, мощным усилителям ВЧ и СВЧ. Кроме того, в сборнике публикуются статьи по СВЧ фильтрам, преобр...

Общие предстовления. Применения в бытовой аппаратуре. особенностьи работы тиристора и симистора, принцип действия статические характеристики, динамические, регулирование напряжения и тока, выбор и т. д.

Наиболее полное издание о широкой номенклатуре отечественных биполярных и полевых транзисторах. Приведены электрические и эксплуатационные характеристики транзисторов, классификация и система обозначений. 906 с. , 1982 год.

Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум: Навч. посіб. /Колонтаєвський Ю. П., Сосков А. Г. За ред. А. Г. Соскова. 2-е вид. -К.: Каравела, 2004. -432 с. Рекомендовано Міністерством освіти і науки України як навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів, які навчаються за напрямками «Електромеханіка» та «Електротехніка» (лист № 14/18.2-1266 від 14.06.2002) Розглянуто принцип дії, характеристики, параметри та о...

Москва, Издательство "Наука", 1981 год - 368 стр. В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных эффектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов п...

Издательство Вильнюс МОКСЛАС, 1985. 112 страниц. Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга посвящена рассмотрению физических принципов работ...

М: Металлургия, 1986 г., пер. с англ. под ред. С. С. Горелика Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.

Ташкент: Фан, 1968. - 152 с.: ил. В книге рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных...

Киев, Издательство "Наукова Думка", 1986 год - 180 стр. В книге систематизированы и обобщены результаты разработок методов прогнозирования надежности полупроводниковых лавинных диодов и исследование механизмов их деградации. Авторы опираются на собственные исследования и разработки в этой области. Проанализированные различные механизмы деградации полупроводниковых лавинных диодов с p - n переходом, гетеропереходом. Рассмотрены пути повышения их...

Основы теории p-n Перехода: Учебное пособие / В. И. Елфимов, Н. С. Устыленко. Екатеринбург: Ооо изд-во Умц упи, 2000, 55 с.

Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Для проведения процессов контактной фотолитографии, вариантом которой является фотолитография с контролируемым зазором, в качестве основного инструмента для переноса изображения используют фотошаблоны. В реферате представлены методы изготовления фотошаблонов.

Материалы лекций по электронике из 13-пунктов. От диодов до операционных усилителей. Автор неизвестен. Материал c Интернета.rn

Издательство М: Энергоатомиздат, 1990 576 страниц Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов. Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Промышленная электроника...

Автор неизвестен. Содержание: Принципы работы мощных полупроводниковых приборов Основы процесса переключения Принципы функционирования силовых полупроводниковых приборов Силовые электронные ключи Основы Области применения и ограничения в применении IGBT и MOSFET силовых модулей Силовые IGBT и MOSFET -Различие структур и функциональных принципов -Статический режим -Режим жесткого переключения MOSFET и IGBT -Улучшения в технологии MOSFET и IGBT...

М.: "Энергия", 1980 г. , 118 стр. В справочнике в табличной форме приводятся важнейшие электрические параметры полупроводниковых диодов и тиристоров, выпускаемых отечественной промышленностью. Даются краткие сведения о технологии, приводятся габаритные чертежи приборов. Справочник рассчитан на широкий круг радиолюбителей.

Работа содержит новую систематизированную методику расчета полупроводниковых термоохлаждающих устройств, основанную на использовании специальных номограмм и графиков, облегчающих и значительно ускоряющих процесс расчета по сравнению с обычным аналитическим методом. Представленные номограммы и графики могут применяться также для теоретического анализа функциональных связей между термоэлектрическими параметрами, для анализа выбранного режима, поиск...

В книге описаны современные методы литографии (фотолитография, рентгенолитография, электронолитография и ионоли-тография) и изготовления шаблонов при производстве полупроводниковых приборов и ИМС. Рассмотрено используемое автоматическое оборудование. Уделено внимание контролю размеров элементов изделий микроэлектроники. Приведены основные требования электронной гигиены и техники безопасности Издательство: Высшая школа Год издания: 1990 Страниц:...

Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).

Перевод с немецкого В. С. Заседа. Под редакцией И. А. Палекова. Издательство "Совесткое Радио" - 1973 МОСКВА. 505 страниц. Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. БОльшое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная технология. Рассматриваются комбинированные мощные высокочастотные транзисто...

М.: Металлургия, 1992, - 408 с. Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его...

Изд. 2-е, перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1984. - 80 с., (Мрб) Наиболее важные вопросы теории и применения полевых транзисторов. Также приведены параметры и статические характеристики некоторых ПТ.

Издательство "СОЛОН-Пресс", 2005 г. , 200 с. Книга посвящена описанию моделирования в среде OrCAD с помо- щью специального языка EUL (Environment User's Language), который позволяет в краткой формализованной записи отображать ре- шения конкретных задач, которые возникают перед пользователем в про- цессе работы со средой. В книге приводятся функциональные характери- стики OrCAD 9.2, описание языка EUL и около 360 «рецептов», реко- мендаций и прием...

Конспект лекций по дисциплине «Расчет и проектирование СБИС» для высших учебных заведений по специальности «Микро- и наноэлектронные технологии и системы». Содержание. Терминология СБИС. Технико-экономический анализ. Проектирование биполярных СБИС. Проектирование МДП СБИС. Архитектура СБИС. Запоминающие устройства. Проектирование СБИС.

О. П. Григорьев, В. Я. Замятин. -Диоды справочник. "Радио связь" 1990-336с В справочнике приведены параметры и предельные электрические режимы эксплуатации диодов. Кратко изложены принципы работы диодов, система их классификации. Приведены их условные графические и буквенные обозначения, даны опредиления электрических параметров. Расмотрены некоторые особенности применения диодов.

М.: Радио и связь, 1991, 528 с. Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектонных устройств. Для ин...

Предмет-Материалы электронной техники. 15 стр. КПУ(Запорожье)

КПУ(Запорожье), 4 курс, 7стр. ,

2-е перераб. и доп. изд. - М. Мир, 1984. Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. Книга 1 (456 с. ) посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки). Книга 2 (456 с. ) посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекто...

В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи - М.: Мир, 1986 г. , 453 стр. В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества, металлизации ИС, моделирования основных технологических процессов формирования ИС. Описаны основные технологические схемы изготовления элементов СБИС (биполярная технология...

В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. /Под ред. С. Зи - М.: Мир, 1986г. , 404 стр. В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, дифузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикр...

М.: Мир, 1969. - 451 с.: ил. (пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича и Ф. П. Пресса). Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся...

Методические указания к четырём лабораторным работам "Характеристики и параметры полупроводниковых диодов", "Характеристики и параметры биполярных транзисторов", "Характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющин p-n-переходом", "Операционный усилитель" для специальностей 230101 , 230102.

СПб: Наука и Техника, 2001. -688 стр. с ил. Справочник предназначен в первую очередь для инженерно технического-персонала, занимающегося сервисным обслуживанием зарубежного электронного оборудования и, надеемся, будет также полезен радиолюбителям. При составлении справочника использовалась техническая документация 1999-2000 г. г. некоторых фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована информация, взятая из нескольк...

В третьем томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики сверхвысокочастотных диодов, излучающих диодов ИК диапазона, светоизлучающих диодов, знакосинтезирующих индикаторов, оптопар и оптоэлектронных интегральных микросхем. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и п...

Во втором томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики стабилитронов, ограничителей напряжения, импульсных диодов, варикапов, туннельных и обращённых диодов. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зару...

В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даютсяклассификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковы...

Справочное пособие. Изд 3-е перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1989г. -240с., ил. (Массовая радиобиблиотека вып. - 1143) Приведены справочные данные об микросхемах, рекомендации по их выбору для применения в практических разработках. Даны примеры построения микроэлектронных устройствдля решения различных задач радиолюбительской практики. Для подготовленных радиолюбителей.

3 лаб. работы: "Изучение статических характеристик тиристора", "Изучение специальных диодов", "Изучение свойств р-п перехода". в данных работах описано основное выполнение работ, имеются графики. ГГуим. Ф. Скорины,2 курс, физическая электроника.

На английском языке. TMOS Power MOSFETs with new advances in silicon and packaging technology, MOTOROLA, стр.1183 Справочник по мощным TMOS, MOSFET транзисторам, рассмотрены устройства с напряжением D-S до 1200 V, представлено семейство HDTMOS стандартных и логических входных уровней, N и P - канальных в корпусе SO-8, DPAK и D2PAK с планарной установкой, а также в стандартных корпусах TO- 220. В данном справочнике рассмотрены DATASHEETS всей ном...

Силовая электроника фирмы Harris. Таблицы параметров

3-е издание, переработанное, дополненное. издательство "Высшая школа", 1986. - 368 с. В книге рассмотрены основы технологического процесса производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В з-е издание вошли главы радиоционной обработке материалов и приборов, новейшие на то время конструкции корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.

Томск, 1989. - 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; биполярные и полевые транзисторы; приборы с ВАХ S-типа.

М.: Радио и связь, 1987. - 576с.: ил. Содержит данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению отечественных тиристоров. Приводятся динамические, импульсные, частотные, температурные зависимости параметров, а также описываются особенности применения тиристоров в радиоэлектронной аппаратуре. Для инженерно-технических работников, занимающихся раз...

Этот справочник включает в себя. Номенклатура и аналоги отечественных микросхем. Справочник по полупроводниковым диодам. Справочник по полупроводниковым светоизлучающим приборам. Справочник по полевым транзисторам. Справочник по биполярным транзисторам. Справочник по микросхемам ТТЛ серий. Справочник по низкочастотным цифровым КМОП микросхемам. Справочник по цифровым КМОП микросхемам. Справочник по полупроводниковым аналоговым коммутаторам.rn...

Содержание, введение, плоскостной выпрямительный диод, кремниевый стабилитрон, туннельный диод, точечный диод, импульсный диод, варикапы, диоды Шоттки, список литературы,

Классификация интегральных микросхем, Подготовительные операции, Базовые элементы бис и сис, Особенности производства и применяемых расходных материалов. Основы проектирования маршрутной технологии кристаллов бис и сис. Анализ и синтез технологических маршрутов. Моделирование производства кристаллов бис и сис. Методы и алгоритмы моделирования базовых технологических операций. Методы и алгоритмы численного физико-Топологического моделирования полу...

Таганрог, – 219 с., ил. Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледже...

Справочник по микросхемам для блоков питания, выполнено в виде html файлов (можно работать с помощью интернет-обозревателя)rn

Вашему вниманию предоставляется справочник по отечественным и зарубежным полупроводниковым приборам: транзисторам, тиристорам, диодам, оптоэлектронным приборам, включающий около трех тысяч элементов. В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики полупроводниковых приборов. Одним из главных достоинств справочника является наличие информации о производителях и продавц...

Обзор. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия, 2004 г. Приводятся обзор и обоснование основных идей фотолитографии высокого разрешения в экстремально дальнем вакуумно-ультрафиолетовом диапазоне спектра электромагнитного излучения, разрабатываемых применительно к созданию интегральных схем сверхвысокого уровня интеграции, превосходящих современные ИС по интеграции на 1-2 порядка. Рассматриваются проблемы и совреме...

Введение. Логический элемент И. . Логический элемент ИЛИ. Логический элемент НЕ. Логический элемент И-НЕ . Логический элемент ИЛИ-НЕ. Литература.

Содержание. Введение. Электронно-дырочный p- n- переход. Классификация биполярных транзисторов. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Полевые транзисторы. Принцип действия и устройство полевого транзистора. Схемы включения полевых транзисторов. Усиление тока. Частотные свойства транзисторов. Шумовые характеристики транзисторов. Система обозначений биполярных и полевых транзисторов. Заключе...

Обзорный реферат. Рассматриваются некоторые особенности технологии изготовления резисторов (диффузионные резисторы, пинч-резисторы, эпитаксиальные резисторы, эпитаксиальные пинч-резисторы, ионно-легированные резисторы, пленочные резисторы) и конденсаторов (МДП – конденсаторы и диффузионные конденсаторы)

Описан полный курс по ПП. Все описано подробно и понятно. Включает главы: Механизмы проводимости твердых тел; Контактные явления; биполярные и полевые транзисторы. Приведено много диаграмм и описаний.

Лекции по курсу электронные промышленные устройства Информационные основы построения электронных промышленных устройств (ЭПУ) Сигналы в электронных промышленных устройствах .Дискретизация сигналов Коды и кодирование . Структура цифровой системы записи-воспроизведения звука на основе оптического компакт-диска(ЦАП) Параллельные Последовательные ЦАП Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей Применение ЦАП. Основные параметры ЦАП Аналого-цифровые...

Введение; Расчет стоимости основных материалов; Расчет стоимости вспомогательных материалов; Расчет трудоемкости изготовления изделия; Расчет фонда заработной платы работающих участка; Расчет себестоимости изготовления изделия; Заключение; Литература; МГПК, специальность Микроэлектроника.

Введение; Анализ структуры; Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых ИМС; Разработка структурной схемы технологического процесса; Анализ методов производства; Анализ оборудования для производства структуры; Анализ методов контроля и условий производства; Разработка технологической документации на маршрут структуры; Разработка технологического процесса на операционный процесс; Охрана труда и окружающей среды; Заключение; Ли...

Введение; Анализ задания на проектирование; Анализ схемы принципиальной электрической; Выбор структуры подложки; Расчет параметров элементов; Выбор навесных компонентов; Разработка коммутационной схемы; Разработка эскиза топологии; Оценка качества разработанной ИМС; Описание технологического процесса изготовления ГИС; Защита ИМС от внешних воздействий; Заключение; Литература; Нормативная документация МГПК, специальность Микроэлектроника.

Рассмотрены аналоговые интегральные микросхемы (ИМС) отечественного производства, применяемые в бытовой радиоаппаратуре. Приведены структурные и принципиальные схемы, схемы включения, электрические параметры, их зависимости от условий эксплуатации ИМС, чертежи корпусов, указаны назначения выводов и зарубежные аналоги.

Реферат по фототиристорам, описание, принцип действия, обозначения, рисунки.rn

Технологии сверхбольших ИМС

Таблица символов функций УГО ИМС, указываемых в основном поле УГО.

Справочная Таблица по маркировке ИМС

Справочная Таблица выбора ИМС по их хар-кам. Для лабораторных работ, курсовых и дипломных проектов.

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Кафедра радиоэлектронных технологий и экологического мониторинга (РЭТЭМ) Отчет по летнему практическому заданию Технология поверхностного монтажа.

Справочник для определения сопротивления по цветным полосам на резистореrn

В этом справочнике описаны основные характеристики различных полупроводниковых диодов.Так же имеется цветовая маркировка диодов и рисунки корпусов.Справочник сделан мной в формате HTTP rn

Додэка ХХI, 2004 г. , 208 с. 9-е издание с картинками. В книге приводится цветовая и кодовая маркировка конденсаторов, резисторов, катушек индуктивности и многое другое. Очень удобна для работников ремонтных и сервисных служб.

Хороший и достаточно емкий материал по полупроводниковым приборам В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавро...

Жуков. Инжекционный лазер. Феноменология усиления. Плотность состояний. Оптическое усиление. ДГС и РОДГС лазеры. Гетеропереходы. Уравнение Шредингера. Уровни в GaAs. Напряжнные квантовые ямы. Критическая толщина. КЯ лазеры. Модовый характер излучения. Мощные лазеры. Температурная зависимость. Идеальные КТ. Кристаллическая структура. Методы формирования КТ. Режим островкового роста. Упорядоченные массивы КТ. Электронный спектр КТ. Энергия локализа...

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Полупроводники. Полупроводниковый диод. Рекомбинация. Собственная проводимость. Проводники IV группы. Решетка германия. Примеси. Сильно легированные полупроводники. Фотопроводимость полупроводников. Прохождение быстрых частиц через полупроводники. Диффузия носителей. Термоэлектрические явления в полупроводниках. P-N переход.

Полупроводниковые диоды. Основы физики полупроводников. Удельная электропроводность. Влияние температуры. Влияние примеси. Влияние света, ионизирующих излучений, энергетических воздействий. Зонная теория твердого тела. Статистическая функция Ферми-Дирака. Электронно-дырочные пары. Рекомбинация. Собственные полупроводники. Примесные полупроводники. Дрейфовый ток. Подвижность носителей заряда. Диффузионный ток. Коэффициент диффузии. Электронно-дыро...

измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) кремниевого диода КД103 и диода Шоттки 1N5817, сравнительная оценка полученных характеристик и определение параметров диодов

Определение полупроводниковых приборов и принцип действия (типы проводимостей). Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод, принцип действия. Транзистор, принцип действия, схемы включения транзисторов.