Лекции по Цифровой электронике

Статья

формат doc
размер 4.95 МБ
добавлен 03 февраля 2010 г.

Соппа И. В. Лекции по Цифровой электронике

Дальневосточный государственный университет.
Институт физики и информационных технологий.
Факультет информационных технологий.
Сборник лекций содержит следующие разделы:
Основы теории построения логических схем: Булевы функции; карты Карно.
Основы построения логических схем: Импульсные сигналы; РТЛ, ДТЛ, ТТЛ, КМОП-логика.
Основные узлы цифровых устройств: RS, T, D и JK-триггеры; дешифраторы; сумматоры; мультиплексоры.

Смотрите также

Амелина М.А. Электронные промышленные устройства

формат pdf
размер 1.23 МБ
добавлен 24 июля 2010 г.

Смоленск, 2006. – 73 с. Лекции по курсу электронные промышленные устройства (2 часть). Содержание: Фильтры. Синтез цифровых автоматов.

Амелина М.А. Электронные промышленные устройства

формат pdf
размер 2.74 МБ
добавлен 04 декабря 2008 г.

Лекции по курсу электронные промышленные устройства Информационные основы построения электронных промышленных устройств (ЭПУ) Сигналы в электронных промышленных устройствах .Дискретизация сигналов Коды и кодирование . Структура цифровой системы записи-воспроизведения звука на основе оптического компакт-диска(ЦАП) Параллельные Последовательные ЦАП Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей Применение ЦАП. Основные параметры ЦАП Аналого-цифровые...

Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур

формат djvu
размер 2.77 МБ
добавлен 28 марта 2011 г.

/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с., ил. (Измерения в электронике). Рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и структурных параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической реализации. Анализируются причины возникновения погрешностей, даются рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок измерений. Приводят...

Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение Контакта Металл-Полупроводник в Электронике

формат djvu
размер 3.17 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омиче...

Замятин В.Я., Кондратьев Б.В. Тиристоры

формат djvu
размер 1.04 МБ
добавлен 18 сентября 2011 г.

М.: Сов. радио, 1980. - 64 с.: ил. - (Элементы радиоэлектронной аппаратуры). Дается классификация тиристоров по принципу управления, форме вольт-амперной характеристики, среднему току, основному назначению. Рассмотрены их конструкции, основные параметры, важнейшие характеристики, их зависимость от режима работы и температуры. Показаны примеры построения некоторых тиристорных схем, применяемых в радиотехнике, преобразовательной технике и электрони...

Каленик Д.В. Технология материалов электроники

формат pdf
размер 1.23 МБ
добавлен 12 августа 2010 г.

Учебное пособие. – Челябинск: Изд. ЮУрГУ, 2001. ? Ч .1. ? 119 с. В пособии рассмотрены вопросы технологии полупроводниковых, магнитных, диэлектрических и проводниковых материалов, широко применяющихся в электронике и микроэлектронике, прогрессивные технологии производства тонкопленочных материалов и наращивания на подложку монокристаллических эпитаксиальных пленок, планарная технология производства интегральных схем, методы создания p?n- переходо...

Лекции по электронике

Статья

формат rar
размер 1.58 МБ
добавлен 08 января 2010 г.

Материалы лекций по электронике из 13-пунктов. От диодов до операционных усилителей. Автор неизвестен. Материал c Интернета.rn

Мукосеев В.В., Сидоров И.Н. Маркировка и обозначение радиоэлементов

формат djvu
размер 3.11 МБ
добавлен 18 января 2012 г.

Приведены сведения о буквенно-цифровой и цветной маркировки электрорадиоэлементов, широко применяемых в радиоэлектронной аппаратуре отечественного и зарубежного производства. Рассмотрены системы обозначений комплектующих элементов, действующие в настоящее время в технически развитых странах мира. Даны примеры обозначений и маркировок конкретных изделей электронной техники: резисторов, конденсаторов, полупроводниковых диодов, стабилитронов, стабис...

Пожела Ю., Юцене В. Физика сверхбыстродействующих транзисторов

формат djvu
размер 6.56 МБ
добавлен 19 января 2010 г.

Издательство Вильнюс МОКСЛАС, 1985. 112 страниц. Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга посвящена рассмотрению физических принципов работ...

Kasper Paul. Silicon Quantum Integrated Circuits. Silicon-Germanium Heterostructure Devices. 2005

формат pdf
размер 6.16 МБ
добавлен 21 декабря 2009 г.

Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).