Москатов Е.А. Электронная техника. Начало. 3-е изд

формат djvu
размер 2.88 МБ
добавлен 29 июня 2010 г.

Таганрог, 2010 г. - 204 с. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает компактное изложение - в каждой теме дана минимально необходимая информация. Простым языком, понятным читателю с невысоким уровнем подготовки, был рассказан материал на качественном уровне без использования сложных формул и вычислений. Материал может быть интересен радиолюбителям, а также студентам профессионально-трудовых и средних специальных учебных заведений.

Простейшие компоненты
Полупроводники и переходы
Полупроводниковые диоды
Биполярные транзисторы
Полевые транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированными затворами
Тиристоры
Вакуумные и ионные компоненты
Введение в микроэлектронику
Устройства отображения информации
Аналоговые устройства

Купить книгу

Смотрите также

Барбарош С.С. Реферат - Радиационные методы литографии

Реферат

формат doc
размер 47.44 КБ
добавлен 26 октября 2010 г.

УГТУ-УПИ, ММФ, Электронное машиностроение, 2010 Введение Литография — способ печати, при котором краска под давлением переносится с плоской печатной формы на бумагу. В основе литографии лежит физико-химический принцип, подразумевающий получение оттиска с совершенно гладкой поверхности (камня), которая, благодаря соответствующей обработке, приобретает свойство на отдельных своих участках принимать специальную литографскую краску. Под литографией...

Компьютеры на СБИС: в 2-х кн., кн. 2. (Пер. с япон.)

формат djv
размер 3.59 МБ
добавлен 23 июля 2010 г.

Мотоока Т., Хорикоси X., Сакаути М. и др. - М.: Мир, 1988. - 336 с. Книга является переводом девятого тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования ЭВМ специального назначения на основе БИС и СБИС. Рассмотрены методы параллельной обработки цифровых данных, а также символьной и графической информации. Описаны способы построения баз данных и аппаратные средства управления операциями...

Корякин-Черняк С.Л. Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды 0.9. Том 1

формат djvu
размер 21.16 МБ
добавлен 16 августа 2009 г.

СПб: Наука и Техника, 2001. -688 стр. с ил. Справочник предназначен в первую очередь для инженерно технического-персонала, занимающегося сервисным обслуживанием зарубежного электронного оборудования и, надеемся, будет также полезен радиолюбителям. При составлении справочника использовалась техническая документация 1999-2000 г. г. некоторых фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована информация, взятая из нескольк...

Лабораторная работа - Описание конструкции элементов полупроводниковых ИМС с эскизами поперечных сечений

Лабораторная

формат doc
размер 65.19 КБ
добавлен 14 мая 2011 г.

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, дисциплина: конструкторско технологическое обеспечение производства ЭВМ цели: 1. Изучить свойства и конструкцию исходных пластин (заготовок) для изготовления полупроводниковых ИМС. 2. Изучить конструкцию семи типов полупроводниковых ИМС по заданному варианту. 3. Изучить конструкцию и зарисовать эскизы топологии трех активных и одного пассивного элементов полупроводниковых ИМС по заданному варианту...

Лабораторная работа - Технологический процесс изготовления КМДП транзисторов

Лабораторная

формат doc
размер 225.99 КБ
добавлен 14 мая 2011 г.

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс Цели: Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах. Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС. Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса. Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС. Произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур.

Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам

формат pdf
размер 1.91 МБ
добавлен 17 апреля 2009 г.

Таганрог, – 219 с., ил. Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледже...

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало

формат pdf
размер 1.87 МБ
добавлен 24 октября 2011 г.

Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. – 3-е изд., перераб. и доп. – Таганрог, 204 с., ил. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы элек-тронной техники, его отличает компактное изложен...

Парфенов О.Д. Технология микросхем

формат djvu
размер 3.36 МБ
добавлен 21 июня 2011 г.

«Высш. школа», 1977г. , 256 с. с ил. В книге рассмотрены: технология полупроводниковых интегральных микросхем (диффузии. эпитаксия, пассивация, межсоединения, фотолитография); технология гибридных пленочных микросхем (физические основы и техника термического вакуумного напыления, активные и пассивные тонкопленочные элементы, методы контроля тонкопленочных элементов в процессе напыления, распыление ионной бомбардировкой, технологические особенност...

Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

формат djvu
размер 6.23 МБ
добавлен 03 апреля 2010 г.

М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...