Транзисторы
Авраменко Ю.Ф. (сост.) Транзисторы в SMD-исполнении. Том 2. Справочник
Справочник- формат djvu
- размер 47,04 МБ
- добавлен 1 апреля 2015 г.
К.: МК-Пресс, М.: Издательский дом Додэка-ХХГ, 2007. - 640с., ил. Справочник продолжает новую серию «Элементная база», в которой представлены технические данные на современные полупроводниковые приборы и интегральные схемы ведущих производителей. Второй том содержит в себе справочные данные на биполярные транзисторы в SMD-исполнении, транзисторные сборки разных структур, транзисторные ключи для работы в цифровых схемах и их наборы. При составлени...
Авраменко Ю.Ф. Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Справочник- формат djvu
- размер 84,57 МБ
- добавлен 1 апреля 2015 г.
М.: Додэка, 2006. — 538 с. В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике. В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: Fairchild, Hitachi, Motorola (On Semiconductor...
Авраменко Ю.Ф. Справочник. Транзисторы в SMD исполнении. Том 1
Справочник- формат djvu
- размер 53,03 МБ
- добавлен 29 ноября 2011 г.
Главный редактор: Ю.А. Шпак. — К.: МК-Пресс, 2006. — 544 с.: ил. — ISBN 966-8806-25-5. Этот справочник продолжает новую серию "Элементная база", в которой представлены технические данные на современные. полупроводниковые приборы и интегральные схемы ведущих производителей, и содержит в себе справочные данные на биполярные транзисторы в SMD-исполнении. Справочник предполагается как издание из 3-5 томов, в которое будут включены биполярные и полевы...
Анализ характеристик малосигнальных усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Лабораторная- формат doc
- размер 583,48 КБ
- добавлен 27 июля 2011 г.
БГУИР, Минск/Беларусь - 2008 г., 13 стр. Преподаватель: Русакович В. Н. Электронные приборы (ЭП). Содержание: Цель работы Расчётные формулы Схема установки Результаты измерений Результаты расчетов Вывод
Багницкий В.Е. Новая физика электронных приборов
- формат doc
- размер 2,78 МБ
- добавлен 19 января 2015 г.
Изд: LAP, 2014. - 318 с., ил. Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. В работе предпринята попытка решить следующие задачи: проведение экспериментальных измерений вольт-амперных характеристик электронных приборов в зависимости от температуры; использование экспериментальных данных для построения эмпири...
Базылев В.К. Расчёт биполярных транзисторов: Учебное пособие
- формат doc
- размер 442.5 КБ
- добавлен 03 октября 2010 г.
Рязанская государственная радиотехническая академия. - Рязань, 2004. Приведена методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием па-кета программ MathCad. Рассчитываются основные параметры биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Оглавление. Список обозначений. Введение. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчёт профиля легирования. Расчёт удельных пове...
Биполярные транзисторы
- формат doc
- размер 45.5 КБ
- добавлен 04 декабря 2008 г.
Принцип устройства плоскостного транзистора. Физические процессы. Движение электронов и дырок в транзисторе типа n-p-n. Принцип работы транзистора.
Биполярный транзистор
Курсовая работа- формат doc
- размер 4.26 МБ
- добавлен 13 февраля 2011 г.
Работа содержит основные принципы работы и параметры биполярного транзистора. КГУ им. А. Байтурсынова. код специальности-050604rn
Бучирин В.Г., Нефёдкина Г.Ф., Стряпкин Л.И. Биполярный транзистор и его усилительные свойства
Практикум- формат pdf
- размер 332,48 КБ
- добавлен 08 февраля 2014 г.
Методические указания к лабораторной работе. — Москва: МИИТ, 2011. — 33 с. Даются краткие теоретические сведения о биполярных транзисторах и принципах построения простейших усилительных каскадов на их базе. Приводится описание лабораторного макета и задание на лабораторную работу с подробным описанием хода её выполнения. На основании данных методических указаний, лабораторная работа может быть выполнена студентами самостоятельно в условиях учебно...
Валявский А.М., Персидская Н.А. (сост.) Транзисторы. Каталог 88
- формат djvu
- размер 8,35 МБ
- добавлен 27 июня 2012 г.
Производственное издание 1988 года. 262 стр. Каталог предназначен для выбора необходимых потребителю приборов, выпускаемых предприятием. В каталоге приводятся сведения о важнейших свойствах кремниевых транзисторов. Кратко описано основное их назначение, даны габаритные размеры, параметры и характеристики, рекомендации по монтажу. Каталог имеет 4 раздела, в каждом из которых представлены определённые, характерные для данного раздела сведения. В...
Волсон Джозеф. Расчет схем на транзисторах
- формат djvu
- размер 13.05 МБ
- добавлен 25 марта 2015 г.
Оригинальное название Transistor circuit design. By Joseph A. Walston Перевод с английского К.Г. Меркулова, В.М. Придорогина, Э.И. Рувиновой. Москва: Энергия, 1969 — 590 с. Книга посвящена вопросам инженерного расчета и конструирования схем на транзисторах. Изложены наиболее важные элементы теории транзисторов. Значительный раздел посвящен описанию основных параметров транзисторов и методов их измерения.
Голомедов А.В. (ред.) Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности
Справочник- формат djvu
- размер 18,38 МБ
- добавлен 18 мая 2014 г.
М.: КУбК-а, 1995, 640с Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — полевых и биполярных транзисторов средней и большой мощности, используемых в разнообразной радиоалегаронной аппаратуре. Даются классификация, система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, марк...
Гомоюнов К.К. Транзисторные цепи
- формат djvu
- размер 3.3 МБ
- добавлен 01 ноября 2010 г.
В книге последовательно и доступно изложена система понятий, без которой невозможно осмысленное изучение транзисторных цепей, а также приведены рекомендации по выполнению упражнений и решению различных задач в процессе изучения транзисторных цепей. Учебное пособие адресовано всем, начинающим изучать основы построения транзисторных цепей и знакомым с физикой и математикой в объеме первого курса втуза.
Горюнов Н.Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: Транзисторы
Справочник- формат djvu
- размер 9,79 МБ
- добавлен 02 сентября 2016 г.
Справочник. — Москва: Энергоатомиздат, 1982. — 904 с. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные данные и другие характеристики транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры. Предисловие. Общие сведения о биполярных и полевых транзисторах. Классификация биполярн...
Грибов Э.Б. Нелинейные явления в приемо-передающем тракте на транзисторах (1971)
- формат djvu
- размер 8.7 МБ
- добавлен 09 августа 2011 г.
Москва. Связь. 1971. 243 с. Рассматриваются вопросы теории нелинейных явлений, возникающих в основных транзисторных схемах приемно-передающего тракта аппаратуры связи. Исследовано влияние свойств транзистора, конфигурации схемы, параметров генераторов частот в выходном спектре каскадов, для различных случаев. Приведены методики расчета основных каскадов, направленная на создание оптимальных по нелинейным свойствам и стабильности схем и практичес...
Гринфилд Дж. Транзисторы и Линейные ИС. Руководство по Анализу и Расчёту
- формат djvu
- размер 4.35 МБ
- добавлен 12 декабря 2010 г.
М., Мир, 1992 г. 565 стр. В книге специалиста из США излагаются вопросы анализа и расчета транзисторных и линейных интегральных схем. Изложение ведется последовательно - от физических основ полупроводниковой электроники и принципов действия транзистора до расчета многокаскадных усилителей, усилителей мощности, источников питания, резонансных и операционных усилителей. Материал изложен чрезвычайно доступно и наглядно. В приложениях приводятся соот...
Ди Лоренцо Д.В. Полевые транзисторы на арсениде галлия
- формат pdf
- размер 6,75 МБ
- добавлен 13 мая 2014 г.
М.: Радио и Связь, 1988. — 496 с.: ил. ISBN 5-256-00136-1 (рус.) ISBN 89006.090.8 (англ.) Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия.
Ди Лоренцо Д.В. Полевые транзисторы на арсениде галлия
- формат djvu
- размер 5.39 МБ
- добавлен 04 марта 2009 г.
Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галия.
Дьяконов В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах
- формат djvu
- размер 3,43 МБ
- добавлен 14 декабря 2016 г.
М., Советское радио, 208 с., 1973. Книга посвящена изложению основ теории и схемотехники новых типов быстродействующих полупроводниковых негатронов - лавинных транзисторов.
Дьяконов В.П. Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение
- формат djvu
- размер 3.64 МБ
- добавлен 28 марта 2015 г.
М.: СОЛОН-Пресс, 2008. — 240 с. — (Компоненты и технологии). — ISBN: 978-5-91359-004-6. Справочная монография, отражающая почти 60-летний период разработки и развития одного из старейших негатронов — однопереходного транзистора (ОПТ) и его схемотехнических аналогов. Впервые, наряду с описанием обычных ОПТ (двухбазовых диодов), детально описаны новейшие программируемые ОПТ, оптроны на фото-ОПТ, интегрированные с тиристором ОПТ, функциональные схем...
Завражнов Ю.В. Мощные высокочастотные транзисторы
- формат pdf
- размер 1.98 МБ
- добавлен 16 апреля 2011 г.
1985 г. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.
Завражнов Ю.В., Каганова И.И., Мазель Е.З., Миркин А.И. Мощные высокочастотные транзисторы
- формат djvu, txt
- размер 2.53 МБ
- добавлен 25 августа 2011 г.
Под ред. Е.З.Мазеля. - М.: Радио и связь, 1985. - 176 с., ил. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.
Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение
- формат djvu
- размер 5.63 МБ
- добавлен 25 апреля 2011 г.
И: Радио и связь 1984 г. 216 с. Рассмотрены особенности характеристик и применения основных типов отечественных полевых транзисторов практически во всех возможных режимах работы. Приведены методики расчета узлов аппаратуры выполненных на полевых транзисторах. По сравнению с первым изданием (1979 г. ) расширен материал по применению интегральных микросхем и новых типов полевых транзисторов (мощных и сверхвысокочастотных). Для инженерно-технических...
Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи
- формат djvu
- размер 4,68 МБ
- добавлен 19 мая 2016 г.
Москва: Связь, 1979. — 192 с.: ил. В книге рассмотрены вопросы теории и применения полевых транзисторов, работающих в режиме управляемого сопротивления, управляемой крутизны, усиления, ключа, в режиме с прямыми токами затвора и комбинированном режиме. Приведены результаты исследования свойств более десяти типов отечественных полевых транзисторов. Рассмотрены особенности инженерного синтеза устройств связи, выполненных с использованием полевых тра...
Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи
- формат pdf
- размер 3,54 МБ
- добавлен 28 декабря 2016 г.
Новосибирск: Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2008. — 319 с. В монографии рассматриваются типы, характеристики и свойства полевых транзисторов (ПТ). Уточняется теория ПТ, работающих в режимах управляемого сопротивле- ния, усиления, с прямыми токами затвора и подложки, а также, в предложенном автором, - комбинированном режиме. Рассматриваются технические решения электронных устройств для телекоммуникационных и...
Игумнов Д.В.,Николаевский И.Ф. Транзисторы в микрорежиме
- формат djvu
- размер 3,39 МБ
- добавлен 18 января 2017 г.
М.: Советское радио, 1978. — 136 с. с ил. Книга содержит сведения о физических процессах в транзисторах и особенностях их использования в микрорежимах в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются вольт-амперные характеристики и основные параметры биполярных и полевых транзисторов в микрорежиме. Показаны возможности и методы построения микромощных устройств непрерывного и импульсного действия на транзисторах, а также устрой...
Использование МОП-транзисторов
- формат doc
- размер 656.5 КБ
- добавлен 20 января 2010 г.
Курсовая работа - Использование МОП-транзисторов. СумДУ, Опанасюк О. О. , 27 страниц. Содержание: Введение. теория полупроводников. моп – Транзисторы. использование моп – Транзисторов. выводы. литература.
Исследование биполярного транзистора
Лабораторная- формат doc
- размер 295,34 КБ
- добавлен 21 ноября 2013 г.
СШФ СФУ, Саяногорск/Россия, преподаватель Четин К.Ю., 7 стр. Дисциплина: Информационно-измерительная техника. Лабораторная работа. Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки. Получение входных и выходных характеристик транзистора. Определение коэффициента передачи по пе...
Исследование биполярных транзисторов 6 вариантов
Лабораторная- формат doc
- размер 584,83 КБ
- добавлен 26 августа 2011 г.
БГУИР, Минск/Беларусь - 2011 г. Преподаватели: Русакович В. Н., Березовский В.Т., Дрюк Л. С., Валенко В.С. и др. Электронные приборы (ЭП). Содержание: Цель работы Расчётные формулы Схема установки Результаты измерений Результаты расчетов Вывод
Исследование ВАХ транзистора и определение h-параметров
Лабораторная- формат doc
- размер 7,10 КБ
- добавлен 10 февраля 2012 г.
Цель работы: изучить работу ВАХ транзистора и определение h-параметров Общие сведения. Принцип работы полевого транзистора основан на использовании носителей заряда одного наименования, движение которых осуществляется через канал с изменяющейся посредством поперечного электрического поля проводимостью.
Исследование полевых транзисторов
Лабораторная- формат rtf
- размер 561,44 КБ
- добавлен 10 августа 2011 г.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 2010, 6с. Цель работы: Изучить структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также область их применения. Экспериментально исследовать статические характеристики и определить дифференциальные параметры полевых транзисторов. Изучена структура, принцип действия полевых транзисторов, область их применения, экспериментально исследованы статические характеристики и определ...
Исследование полевых транзисторов - 7 вариантов
Лабораторная- формат doc
- размер 575,33 КБ
- добавлен 02 августа 2011 г.
БГУИР, Минск/Беларусь - 2011 г. Преподаватели: Русакович В. Н., Березовский В.Т., Дрюк Л. С., Валенко В.С. и др. Электронные приборы (ЭП). Содержание: Цель работы Расчётные формулы Схема установки Результаты измерений Результаты расчетов Вывод
Колосницын Б.С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Расчет и проектирование биполярных транзисторов. Часть 1
- формат pdf
- размер 6,67 МБ
- добавлен 09 октября 2016 г.
В 2-х частях. — Учебно-методическое пособие. — Минск: БГУИР, 2011. — 68 с. Пособие посвящено расчету и проектированию биполярных структур. Основой пособия послужил материал дисциплины «Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем», читаемой автором студентам 4-го курса специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» и «Квантовые информационные системы». Может быть полезно при изучении родственных курсов других специ...
Колосницын Б.С. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений
- формат pdf
- размер 4,10 МБ
- добавлен 03 января 2017 г.
Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физика полупроводниковых приборов» для студентов специальностей «Квантовые информационные системы» и «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» дневной и заочной форм обучения. — Минск: БГУИР, 2006. — 104 с. В пособии рассмотрены электронные приборы, изготовленные на основе полупроводниковых соединений GaAs и GaN, которые отличаются от своих кремниевых аналогов сверхвысоким быстродействием и способн...
Колосницын Б.С., Гапоненко Н.В. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Часть 1. Физика активных элементов интегральных микросхем
- формат pdf
- размер 9,26 МБ
- добавлен 21 ноября 2016 г.
Учебное пособие. — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с. В первой части рассматриваются вопросы физики работы биполярных и полевых структур с элементами расчета маломощных приборов НЧ и ВЧ диапазонов. Большое внимание уделено эффектам короткого канала МОП транзисторов, потери мощности в КМОП схемах, а также физике и конструкции полевых транзисторов с барьером Шоттки. Данное учебное пособие будет полезно магистрантам, обучающимся в области микроэлектрони...
Колосницын Б.С., Гапоненко Н.В. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Часть 2. Расчет и проектирование полевых транзисторов
- формат pdf
- размер 8,41 МБ
- добавлен 07 января 2017 г.
Учебное пособие. — Минск: БГУИР, 2012. — 96 с. Пособие посвящено расчету и проектированию полевых транзисторов. В основе – материал дисциплины «Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем», читаемой студентам 4-го курса БГУИР специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» и «Квантовые информационные системы». Пособие также может быть полезно при изучении родственных курсов других специальностей. Расчет и проектиров...
Колосницын Б.С., Мигас Д.Б. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Часть 2. Мощные полупроводниковые приборы
- формат pdf
- размер 6,40 МБ
- добавлен 01 декабря 2016 г.
Учебное пособие. — В 2-х частях. — Минск: БГУИР, 2016. — 158 с. В учебном пособии приводится подробный сравнительный анализ электрических характеристик различных приборов силовой электроники: тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, с изолированным затвором. Рассматриваются электрические и конструктивные параметры гетеробиполярных и гетерополевых транзисторов на основе различных полупроводниковых материалов. Анализируются возможные потери м...
Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
- формат djvu
- размер 24,11 МБ
- добавлен 05 декабря 2012 г.
Издание 2-е, исправленное Москва: Техносфера, 2011. - 800 с., ISBN 978-5-94836-289-2 В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных...
Курсова робота - польові транзистори
Курсовая работа- формат doc
- размер 164.99 КБ
- добавлен 23 апреля 2010 г.
ЧДТУ, спеціальність- радіотехніка, заочне відділення, 5-й семестр, 3-й курс, предмет- компоненти бази радіоелектронних засобів. Класифікація польових транзисторів, Принцип роботи, Основні параметри та характеристики, Схеми включення та режими роботи польових транзисторів, Застосування польових транзисторів. Виконав: Грозовський В. А.
Курсовая работа - Расчёт усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе
Курсовая работа- формат doc
- размер 205 КБ
- добавлен 20 мая 2010 г.
Основные понятия. Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада по схеме с ОЭ. Задание на работу. Порядок расчета транзисторного усилителя по схеме с ОЭ.
Лабораторная работа - Вивчення характеристик та принципу роботи біполярних транзисторів у схемі підсилювального каскаду зі спільним емітером
Лабораторная- формат doc
- размер 276 КБ
- добавлен 12 декабря 2010 г.
Розрахувати схему підсилювального каскаду зі спільним емітером; дослідити роботу у схемі зі спільним емітером біполярного транзистора; ознайомитися з основними параметрами біполярних транзисторів та системами позначення транзисторів.
Лабораторная работа - Технологический процесс изготовления КМДП транзисторов
Лабораторная- формат doc
- размер 225.99 КБ
- добавлен 14 мая 2011 г.
ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс Цели: Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах. Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС. Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса. Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС. Произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур.
Лебедев Е.К., Старыгин С.В. Биполярные Транзисторы
Практикум- формат tif
- размер 394.16 КБ
- добавлен 25 декабря 2011 г.
Методические указания к выполнению лабораторных работ по Электротехнике , МарГТУ, Йошкар-Ола, 1995г , 16 стр. Определены цели и задачи изучения биполярных транзисторов, приведены краткие теоретические сведения, необходимые для понимания принципа действия, описана методика проведения экспериментов по исследованию характеристик и параметров транзисторов.rn
Методы увеличения коэффициента усиления по току биполярного транзистора
Курсовая работа- формат doc
- размер 954,17 КБ
- добавлен 19 февраля 2015 г.
БГУИР, Минск, 2014 г., 28 стр. В данной курсовой работе рассматривается коэффициент усиления по току мощных биполярных транзисторов, а также методы его увеличения. Рассматривается общее представление о мощных БИП-транзисторах. Более подробно описывается конфигурация эмиттера, гетеропереходы эмиттер-база. Также рассматривается схема Дарлингтона, одна из схем составных транзисторов.
Овсянников Н.И. Кремниевые биполярные транзисторы: Справочное пособие
- формат djvu
- размер 4.81 МБ
- добавлен 17 июля 2010 г.
Минск: "Вышейшая школа", 1989 г. , 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.
Одноэлектронный транзистор
Реферат- формат ppt
- размер 346 КБ
- добавлен 23 сентября 2011 г.
Презентация для студентов по теме "Одноэлектронный транзистор" , 5 стр. Ивановский Государственный Университет. По специальности: 010701.65 – «Физика», 5 курс
Окснер Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение
Справочник- формат djvu
- размер 2,82 МБ
- добавлен 26 июля 2009 г.
М.: Радио и связь, 1985. - 288 с., ил. В книге американского специалиста рассматриваются принципы работы, конструктивно-технологические особенности и характеристики основных типов мощных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и МДП-структурой, описываются их модели различной сложности и назначения, схемотехника многочисленных устройств, для которых наиболее перспективно использование мощных полевых транзисторов, при этом уделяется внима...
Пауль Р. (Paul R.) Транзисторы. Физические основы и свойства
- формат djvu
- размер 8.28 МБ
- добавлен 05 декабря 2009 г.
Перевод с немецкого В. С. Заседа. Под редакцией И. А. Палекова. Издательство "Совесткое Радио" - 1973 МОСКВА. 505 страниц. Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. БОльшое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная технология. Рассматриваются комбинированные мощные высокочастотные транзисто...
Перельман Б.Л. и др. Новые транзисторы
Справочник- формат pdf
- размер 43,87 МБ
- добавлен 02 июля 2015 г.
Справочник. — М.: Солон; Микротех, 1994. — 272 с.: илл. Приведены сведения о назначении новых биполярных и полевых транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики, зависимость параметров от режимов, температуры и частоты, особенности монтажа, габаритные чертежи предельные режимы эксплуатации. Приведена таблица аналогов. Книга полезна радиолюбителям, разработчикам радиоэлектронной аппаратуры, студентам техникумов и вузов.
Петухoв В.М. Взаимозаменяемые трaнзисторы
Справочник- формат pdf
- размер 27,38 МБ
- добавлен 20 мая 2016 г.
М.: ИП РадиоСофт, 2011. — 384 с. — ISBN 978-5-93037-198-7. Книга представляет собой исправленное и расширенное издание справочника «Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов». Для удобства работы с изданием приводятся прямой (отечественный прибор — зарубежный аналог) и обратный (зарубежный прибор — отечественный аналог) перечни приборов, построенные в алфавитно-цифровой последовательности. Для инженерно-технических работников, занимающихся...
Петухов В.М. Зарубежные транзисторы и их аналоги. Том 1
- формат djvu
- размер 19.2 МБ
- добавлен 30 марта 2010 г.
РадиоСофт,1998г. ,832с. В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные свойства иностранных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов указаны в русском стереотипе, с указанием допусков по достоверным сведениям компаний производителей. В справочнике наличествуют помимо прочего иностранные аналоги транзисторов (при этом помещены помимо прочего аналоги устройств снятых с производства) и...
Петухов В.М. Зарубежные транзисторы и их аналоги. Том 2
- формат djvu
- размер 21.44 МБ
- добавлен 30 марта 2010 г.
РадиоСофт,1998г. ,896с. Во втором томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики иностранных сильных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов с предельными отклонениями указаны в русском стереотипе. В справочнике помещены ассортимент фирм-изготовителей и перечень иностранных аналогов выпускающихся и снятых с производства транзисторов. Для удобства работы со справочником составлен указате...
Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы
- формат djvu
- размер 3.05 МБ
- добавлен 22 февраля 2011 г.
Справочное пособие. - М.: Радио и связь, 1993. - 224с. В данном пособии приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и у...
Пожела Ю., Юцене В. Физика сверхбыстродействующих транзисторов
- формат djvu
- размер 6.56 МБ
- добавлен 19 января 2010 г.
Издательство Вильнюс МОКСЛАС, 1985. 112 страниц. Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга посвящена рассмотрению физических принципов работ...
Прокопенко Н.Н. Радиоматериалы и радиокомпоненты. Методическое пособие. Часть 3. Биполярные и полевые транзисторы
- формат doc
- размер 9.49 МБ
- добавлен 12 февраля 2011 г.
– Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2003. В учебном пособии рассматриваются физические процессы, основные параметры, характеристики и эквивалентные схемы наиболее распространенных в современной радиоэлектронной аппаратуре биполярных и полевых транзисторов. Пособие предназначено для изучения соответствующего раздела курсов «Радиоматериалы и радиокомпоненты», «Электроника», «Электротехника и электроника», «Микроэлектроника» студентами направления «Радиотехник...
Прохоров С.Г., Трусенев В.Г. Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе
- формат pdf
- размер 536.88 КБ
- добавлен 01 января 2009 г.
Учебно-методическое пособие. Казань 2001. - 41с. Пособие предназначено для проведения практических занятий по электронике в дисциплине "Электроника и микропроцессорная техника" федеральной составляющей Государственного образовательного стандарта по направлению подготовки дипломированного специалиста 653700 - "Приборостроение" Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных специальностей, в том числе и радиотехнического профиля.
Расчетно-графическая работа - свойства биполярных и полевых транзисторов
Контрольная работа- формат doc
- размер 116.08 КБ
- добавлен 15 декабря 2010 г.
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: построить линию нагрузки; построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; рассчитать для линейного (мало ис...
Реферат - Биполярные транзисторы
Реферат- формат rtf, doc, docx
- размер 416.79 КБ
- добавлен 30 марта 2009 г.
Содержание. Введение. Электронно-дырочный p- n- переход. Классификация биполярных транзисторов. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Полевые транзисторы. Принцип действия и устройство полевого транзистора. Схемы включения полевых транзисторов. Усиление тока. Частотные свойства транзисторов. Шумовые характеристики транзисторов. Система обозначений биполярных и полевых транзисторов. Заключе...
Синельников А.Х. Бестрансформаторные транзисторные усилители низкой частоты
- формат djvu
- размер 4.22 МБ
- добавлен 19 ноября 2008 г.
М.:Энегрия, 1969. В книге изложены вопросы, связанные с работой и конструированием бестрансформаторных транзисторных усилителей низкой частоты. Приведены примеры расчета.
Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов
- формат djvu
- размер 11,10 МБ
- добавлен 22 декабря 2015 г.
2-е издание, исправленное и дополненное. — Киев: Техника, 1975. — 360 с. Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности т...
Справочник по МОП и IGBT транзисторам
Словарь- формат pdf
- размер 507.5 КБ
- добавлен 10 июня 2009 г.
Силовая электроника фирмы Harris. Таблицы параметров
Справочник по мощным TMOS транзисторам (MOTOROLA)
Словарь- формат pdf
- размер 18.48 МБ
- добавлен 13 июля 2009 г.
На английском языке. TMOS Power MOSFETs with new advances in silicon and packaging technology, MOTOROLA, стр.1183 Справочник по мощным TMOS, MOSFET транзисторам, рассмотрены устройства с напряжением D-S до 1200 V, представлено семейство HDTMOS стандартных и логических входных уровней, N и P - канальных в корпусе SO-8, DPAK и D2PAK с планарной установкой, а также в стандартных корпусах TO- 220. В данном справочнике рассмотрены DATASHEETS всей ном...
Справочник по полевым транзисторам
Справочник- формат pdf
- размер 1,55 МБ
- добавлен 03 октября 2015 г.
Без выходных данных. — 29 с. Содержание: Область применения Условные обозначения Справочные данные полевых транзисторов 2П101 - КПС203 КП301 - КП312 КП313 - 3П330 3П331 - КП350 3П351 - КП364 КП501 - КП698 КП150 - КП640 (мощные) КП701 - КП730 КП731 - КП771 КП801 - КП840 КП901 - 3П930 КП931 - КП948 КП951 - КП973 Пары и сборки полевых транзисторов Цветовая маркировка и аналоги Рисунки корпусов
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем
- формат djvu
- размер 10,02 МБ
- добавлен 19 мая 2015 г.
2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Энергия, 1967. — 615 с. В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу указанных схем предшествует подробное рассмотрение физических процессов в полупроводниках, полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Книга предназначена для инженеров, аспирантов и студ...
Столярский Э. Измерения параметров транзисторов
- формат djvu
- размер 6,20 МБ
- добавлен 26 октября 2012 г.
Пер. с польск. Под ред. Ю. А. Каменецкого. М., "Сов. радио", 1976. 288 с. Рассмотрены общие принципы и методы измерений различных параметров транзисторов; описаны измерения транзисторов в диапазоне от очень низких частот до СВЧ, а также измерения импульсных параметров транзисторов как в лабораторных, так и в производственных условиях. Ряд разделов посвящен измерениям параметров униполярных транзисторов. В последней главе приведены краткие сведени...
Типы корпусов транзисторов
- формат pdf
- размер 207,97 КБ
- добавлен 27 октября 2013 г.
Www.cxemu.te.ua. - 1 c. Фото иллюстрирует популярные типы корпусов транзисторов как отечественных, так и зарубежных. SOT23. SOT89. SO8. DPAK. D2PAK. DIP4. TO92. TO18. TO126. TO220FP. TO220AB. TO220-5. TO218. TO247AC. TO3PB. TO3PML. TOP3Fa. TO3. TO3PB. MT200.
Транзистор
- формат txt, exe
- размер 434.42 КБ
- добавлен 12 января 2009 г.
Предназначена для определения типа транзисторов по различным маркировкам.rn
Транзистор как линейный четырехполюсник
- формат doc
- размер 106.3 КБ
- добавлен 20 января 2007 г.
Транзистор как линейный четырехполюсник. Система Z – параметров. Система Y – параметров. Система H – параметров. Связь между системами параметров транзистора. Связь между параметрами в различных схемах включения. Связь между H – параметрами транзистора в различных схемах включения. Определение h – параметров транзистора по характеристикам. П – образная эквивалентная схема транзистора. Гибридная эквивалентная схема транзистора.
Транзисторы
Статья- формат ppt
- размер 1,97 МБ
- добавлен 15 мая 2014 г.
Томский политехнический университет. Презентация к лекции. 65 слайдов. 2014 г. Общие сведения о транзисторах Схемы включения транзистора Статические характеристики биполярного транзистора Статические характеристики для схемы с общей базой Статические характеристики с общим эмиттером Режимы работы транзистора Выбор рабочего режима работы транзистора Режимы работы усилительных каскадов Влияние температуры на работу транзистора Составной транзистор
Транзисторы
Презентация- формат pdf
- размер 878,59 КБ
- добавлен 10 декабря 2016 г.
Доцент Гребенников В.В. Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Томск. Россия. Учебная дисциплина «Электроника». 2016г. –28с. Определение Биполярные транзисторы (BJT) Режимы работы биполярного транзистора Схемы включения биполярного транзистора Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора Схемы для снятия ВАХ биполярного транзистора Схемы замещения биполярного транзистора в физических параметрах
Транзисторы биполярные отечественные
Справочник- формат pdf
- размер 548,37 КБ
- добавлен 22 октября 2013 г.
ПЛАТАН - 2008 с. в справочнике приведены основные характеристики отечественных биполярных транзисторов
Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов
- формат pdf
- размер 4.92 МБ
- добавлен 17 мая 2010 г.
М.: Энергия, 1971. - Изд. 2-е, перераб. и доп. Оглавление. Глава первая. Основные физические параметры полупроводников и соотношения полупроводниковой электроники. Глава вторая. Расчет р-п переходов. Глава третья. Эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов. Глава четвертая. Расчет бездрейфовых транзисторов. Глава пятая. Расчет дрейфовых транзисторов. Глава шестая. Конструкции корпусов транзисторов. Глава седьмая. Примеры расч...
Тугов Н.М. (ред.) Каталог по применению полевых транзисторов
- формат djvu
- размер 3.76 МБ
- добавлен 12 января 2011 г.
1992 г. Приведены справочные данные по мощным полевым транзисторам (ПТ) и схемы управления ПТ (в том числе интегральные модули), рассмотрены электронные устройства на основе ПТ, определены методы и схемы защиты ПТ. Основное содержание каталога составляют материалы фирм "Motorola" и "Mitsubishi"
Усов В.С., Мартынов Б.А., Новиков Ю.Н.-Транзисторные усилители, ключи, импульсные устройства.Учебное пособие и методические указания
Практикум- формат pdf
- размер 949.71 КБ
- добавлен 13 марта 2011 г.
Усилительные свойства биполярных и полевых транзисторов, транзисторные усилители Лабораторный практикум СПбГПУ, физико-технический и радио-физический факультеты 39стр
Файзулаев Б.Н. Переходные процессы в транзисторных каскадах
- формат djvu, txt
- размер 4.54 МБ
- добавлен 05 сентября 2011 г.
Издание второе, дополненное. М.: Связь, 1968г. - 249стр. В книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с тремя основными способами включения транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Предлагаемое второе издание по отношению к первому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосвязью и несколькими приложениями. Книга рассчитана на широкий круг радиоспециалистов, занимающихся вопрос...
Федотов Я.А., Шмарцев Ю.В. Транзисторы
- формат djvu
- размер 11,21 МБ
- добавлен 07 июня 2013 г.
М.: «Советское радио», 1960. — 431 с. Монография посвящена рассмотрению основных физических процессов и связанных с ними свойств транзисторов. Кратко рассматриваются вопросы электропроводности полупроводников, технология производства полупроводниковых материалов — германия и кремния — и измерение основных параметров материала, определяющих его использование для изготовления полупроводниковых приборов. Подробно излагаются контактные явления в полу...
Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей низкой частоты
- формат djvu
- размер 2.13 МБ
- добавлен 07 ноября 2008 г.
1968 г. Настоящее учебное пособие предназначается для студентов и дипломников техникумов связи, а также может быть использовано студентами ВУЗов, инженерами, научными работниками при проектировании транзисторных усилителей низкой частоты. В книге приводятся примеры расчета и необходимые для него дополнительные сведения, а также практические данные. Я использую данную книгу для выполнения курсового проекта "Расчет низкочастотного усилителя с транс...
Электроника - 3 (Биполярные транзисторы)
Статья- формат pdf
- размер 900,49 КБ
- добавлен 21 ноября 2016 г.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет. 2015. 9 с. Презентация к лекции по учебной дисциплине «Электроника». Доцент Глазачев А.В. Структура и основные режимы работы биполярных транзисторов Физические процессы при активном режиме работы Схемы включения транзистора Схема с общей базой Коэффициенты передачи Схема с общим коллектором Статические характеристики
Якимаха А.Л. Высокотемпературные квантовые гальваномагнитные эффекты в двумерных инверсионных слоях МДП-транзисторов
- формат djvu
- размер 1.02 МБ
- добавлен 06 августа 2011 г.
К.: Выща школа, 1989. – 91 с. Рассмотрены квантовые процессы, обусловленные протеканием стационарного электрического тока через 2-мерную систему на поверхности полупроводника. Разработанная микроскопическая теория замкнутых 2-мерных объектов позволяет объяснить недавно обнаруженные явления квантового эффекта Холла и квантового эффекта поля.