Использование МОП-транзисторов

  1. Файлы
  2. Академическая и специальная литература
  3. Радиоэлектроника
  4. Электронная компонентная база (ЭКБ)
  5. Полупроводниковые приборы
  6. Транзисторы
Полупроводниковые приборы
  • формат doc
  • размер 656.5 КБ
  • добавлен 20 января 2010 г.
Использование МОП-транзисторов
Курсовая работа - Использование МОП-транзисторов.
СумДУ, Опанасюк О. О. , 27 страниц.

Содержание:
Введение.
теория полупроводников.
моп – Транзисторы.
использование моп – Транзисторов.
выводы.
литература.
Смотрите также

Бурлаков Р.Б., Блинов В.И. Физика полупроводниковых приборов

  • формат doc
  • размер 1.8 МБ
  • добавлен 01 апреля 2009 г.
Рассматриваются физические принципы работы полупроводни-ковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключа-тельных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабора-торных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

Зятьков И.И., Максимов А.И., Мошников В.А. Сенсоры на основе полевых транзисторов

  • формат djvu
  • размер 1.56 МБ
  • добавлен 06 июня 2011 г.
Санкт-Петербург, издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002. - 56 с. Учебное пособие ISBN 5-7629-0474-1 Рассмотрены основные понятия и закономерности в области электродных явлений и мембранного транспорта, а также принципы работы и конструкции сенсоров на основе МДП-транзисторов. Рекомендуется студентам, обучающимся по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и магистрантам специализации 553122 "Физика сенсорных материалов и у...

Лабораторные работы - Биполярные, Полевые, Диоды, Усилители каскадов, Выпрямители

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 7.78 МБ
  • добавлен 14 марта 2011 г.
ЧГУ им. И. Н. Ульянова 2 курс Биполярные-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усилительных каскадов с ОЭ и ОК. , полевые транзисторы-Схемы для исследований полевых транзисторов. ; Полупроводниковые диоды вольт амперные характеристики; Усилители каскадов-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усил...

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

  • формат pdf
  • размер 39.39 МБ
  • добавлен 26 марта 2011 г.
ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

Расчетно-графическая работа - Исследование биполярных транзисторов

rgr
  • формат doc
  • размер 158 КБ
  • добавлен 19 декабря 2006 г.
Исследование биполярных транзисторов в схеме c общим эмиттером. Изучение статических вольтамперных характеристик и определение параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.

Расчетно-графическая работа - свойства биполярных и полевых транзисторов

Контрольная работа
  • формат doc
  • размер 116.08 КБ
  • добавлен 15 декабря 2010 г.
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: построить линию нагрузки; построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; рассчитать для линейного (мало ис...

Савиных В.Л. Физические основы электроники

  • формат doc
  • размер 685.88 КБ
  • добавлен 26 августа 2009 г.
Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

Шпоры по ФОЭ

pottee
  • формат rar
  • размер 51.45 МБ
  • добавлен 27 июня 2010 г.
Преподаватель - Сафинов Ш. С. Шпоры сделаны по лекциям. То есть - сканы, редактирование, размещение. Все в формате JPG. Есть вариант который резать, есть полно-размерные картинки, рассованные в папки. Вопросы: Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимоств. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла....

Шпоры по ФОЭ

Шпаргалка
  • формат rar
  • размер 38.32 МБ
  • добавлен 09 августа 2010 г.
УГАТУ, ФИРТ, САУ, УТС, УК,2курс,4семестр. шпора для экзамена. Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимости. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. ВАХ р-n-перехода. Влияние температуры. Пробой р-n-перехода.. Виды полупроводниковых диодов. Выпрямительные...

Шпоры по ФОЭ

pottee
  • формат jpg
  • размер 35.16 МБ
  • добавлен 28 сентября 2008 г.
Вопросы по ФОПП (ФОЭ) Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы. Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы. Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Пробой р-п-перехода. Типы полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды, их характеристики и параметры. Типы...
  • 2008 — 2025 «СтудМед»