Бурлаков Р.Б., Блинов В.И. Физика полупроводниковых приборов

Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики сверхпроводимости и криоэлектроники. Пособие представляет расширенный курс лекций,...

Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

Данное учебное пособие предназначено для подготовки бакалавров по направлениям 140200 "Элкектроэнергетика" и 140600 "Электротехника, электромеханика и электротехнологии". Приоритет отдан рассмотрению полупроводниковых приборов и особое внимание отдано особенностям и режимам работы силовых приборов.

Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике. Достаточно подробно рассмотрены вопросы элементной базы электроники и микроэлектроники, связанные с описан...

Москва, Издательство "Радио и связь", 1990 год - 300 стр. ISBN 5-256-00496-4 В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация...

Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полуп...