Физические основы электроники (ФОЭ)

М.: Высшая школа, 1984. — 320 с. Уч. пособие для студентов вузов специальностей электронной техники. Содержание. Основные явления при взаимодействии ускоренных электронов и ионов с твердым телом. Движение ускоренных электронов в веществе. Образование радиационных дефектов при облучении ионами. Изменение электрических свойств твердых тел в результате ионной бомбардировки. Ионная имплантация в полупроводники. Модификация свойств твердых тел ионной...

М.: Высшая школа, 1984. — 320 с. Учебное пособие для студентов вузов специальностей электронной техники. Содержание. Основные явления при взаимодействии ускоренных электронов и ионов с твёрдым телом. Движение ускоренных электронов в веществе. Образование радиационных дефектов при облучении ионами. Изменение электрических свойств твердых тел в результате ионной бомбардировки. Ионная имплантация в полупроводники. Модификация свойств твёрдых тел и...

Под ред. Т.М. Агаханяна. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 256 с. — ISBN 5-283-02963-8. Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного "защелкивания", радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эфф...

Учебное пособие. Томск, ТГУСУР, 2007, 139 с. Авторы: А.И. Аксенов, А.Ф. Злобина,Н.Г. Панковец, Д.А. Носков Электронными приборами называют устройства, принцип действия которых основан на явлениях, связанных при движении электронов в вакууме, в газовой среде и в твердом теле. В зависимости от среды, в которой протекают основные процессы, электронные приборы подразделяются на вакуумные, плазменные (ионные) и полупроводниковые. В пособии рассматрива...

Андреев В.В., Балмашнов А.А., Корольков В.И., Лоза О.Т., Милантьев В.П. Учеб. пособие. М.: РУДН, 2008. – 383 с. В пособии изложены основные разделы современной физической электроники. Книга носит междисциплинарный характер и находится на стыке различных областей современной физики. Содержание пособия направлено на приобретение студентами глубоких и современных знаний о закономерностях электронного строения вещества и рассмотрение на этой основе е...

Лабораторный практикум : Изд-воТПУ, 2006. – 59 с. В лабораторном практикуме содержится краткое описание физических процессов в основных типах полупроводниковых приборов, применяемых в современных электронных системах, устройств автоматического управления и пр., описан порядок проведения экспериментов при исследовании конкретных схем, приведены требования к оформлению очетов по лабораторным работам. Для подготовки к защите отчетов по каждой работе...

Учебное пособие. М.: МИФИ, 2008. 48 с. Пособие содержит три самостоятельных раздела: «Эффекты в полупроводниковых ИС при воздействии импульсного ионизирующего излучения», «Описание моделирующей установки АРСА», а также «Лабораторная работа», целью которой является изучение радиационных эффектов при воздействии ИИИ на БИС ОЗУ К53РУ6, К132РУ5 и К541РУ 1. Лабораторная работа по разделу курса экстремальной электроники создана на базе ускорителя АРСА...

Посвящена систематическому подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдел...

Владивосток. Издательство: LAP. 2014. — 314 с. ISBN: 978-3-659-52152-2 Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. СОДЕРЖАНИЕ Введение Исследование вакуумного диода. Решение задачи. Новая физика электронных приборов. Физика и математика. Заключение Список литературы. ПРИЛОЖЕНИЕ 1. ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ПРИЛОЖЕН...

Владивосток. Издательство: LAP. 2014. — 314 с. ISBN: 978-3-659-52152-2 Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. СОДЕРЖАНИЕ Введение Исследование вакуумного диода. Решение задачи. Новая физика электронных приборов. Физика и математика. Заключение Список литературы. ПРИЛОЖЕНИЕ 1. ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ПРИЛОЖЕН...

Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 115 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21020165 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств". В пособие включены такие разделы, как основы квантовой механики, основы физики твердого тела, основы квантовых статистик, основы физики полупроводников. Пособие представляет собой расширенный курс лекций, читаемых на радиотехническом факультете УлГТУ для студентов специальности...

Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики сверхпроводимости и криоэлектроники. Пособие представляет расширенный курс лекций,...

Изд.: СПб Лань, 2001 г. 272 страницы Современная электроника как научно-техническое направление имеет дело с исследованием и техническим применением физических явлений в материальны средах с заряженными частицами - в вакууме, плазме и твердом теле для создания разнообразных электронных приборов и устройств. Изучение физических закономерностей, положенных в основу принципа действия приборов составляет содержание учебных дисциплин, близких по наз...

Издательство: М.: ФИЗМАТЛИТ Год: 2006 Страниц: 424 В книге изложены основные физические явления и закономерности, лежащие в основе технологических методов и процессов, используемых в производстве современных электронных приборов и интегральных микросхем. Изложение материала построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления путем изучения основных физических, химических и электрох...

Учебное пособие. - Челябинск, ЮУрГУ, 2010. – 96 с. Рассмотрены методы формирования тонких плёнок. Описаны особенности формирования тонких плёнок термовакуумным, ионным, молекулярно-лучевой эпитаксией, химическими и электрохимическими методами. Учебное пособие предназначено для студентов физического и приборостроительного факультетов, а также может быть полезно аспирантам и специалистам, занимающимся тонкоплёночными технологиями.

Экзамен. г. Томск. Томский политехнический университет. 2013-2014 год. 47 билетов. Старший преподаватель Глазырин А.С. Для студентов технических специальностей. Кафедра ЭПЭО. Учебная дисциплина: «Физические основы электроники». 3 курс, 5 семестр.

2009. Идеальные кристаллы. Кристаллическая решетка Бравэ. Обозначение плоскостей и направлений кристалла. Индексы Миллера Реальные кристаллы. Структура реальных кристаллов. Дефекты кристаллической решеткиrn

Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с. Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электронной и ионной эмиссии изложены в едином методическом стиле на современном научно-техническом уровне с привлечением необходимого...

Статья. Опубликована в Материалы VI Международной научно-технической конференции, 21 – 23 октября 2008 г. М. МИРЭА с.170-176 Одно из важнейших требований, предъявляемых к катодам газоразрядных лазеров – способность сохранять рабочие параметры при контакте эмитируюших по- верхностей с заряженными и ускоренными частицами, а также с газовой средой. Это обеспечивают защитные свойства тонкой оксидной или нитридной пленки. Особенно широко используются...

Воронеж: Изд-во ВГУ, 2002. - 27 с. - Уч.-метод. материалы. Настоящие материалы являются дополнением к учебному пособию "Физика и метрология МДП-структур" (Воронеж, Изд-во ВГУ, 1997). Работа №1. Изучение МДП структур методом равновесных ВЧ вольт-фарадных характеристик. Работа №2. Определение профиля легирования полупроводника методом неравновесных вольт-фарадных характеристик.

Уч. пособ. - Воронеж: Изд-во ВГУ, 2003. - 43 с. Работа №3. Автоматизированный контроль электрофизических параметров МДП-структур. Работа №4. Определение генерационно-рекомбинационных характеристик МДП-структур.

Практикум / Науч. ред. Петров Б.К. - Воронеж: ВГУ, 2003. - 31 стр. Практикум к спецкурсу ''Моделирование в микроэлектронике'' подготовлен на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 4 и 5 курсов физического факультета специальности ''Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'', а также студентов 6 курса, обучающихся в магистратуре по направл...

Пер. с англ. - М. Мир, 1985. - 496 с. 22,0 Мб. В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. рассмотрены перспективы совершенствования технологии и фундаментальные ограничения на дальнейшее развитие микроэлектроники. Для специалистов в области электронной техники,...

Рассматриваются физические принципы работы полупроводни-ковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключа-тельных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабора-торных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

М. Физматлит. 1962. 136 с. Введение Стационарный тепловой поток в проводящем стрежне Термоэлектрическое охлаждение Термоэлектрический подогрев Термоэлектрические генераторы

М. , 1990 г. Не очень старая редкая монография, посвящённая механизмам образования дефектов в объёме и на поверхности кремния. Крайне полезна физикам-технологам и специалистам в полупроводниковой микроэлектронике.

М.: Сов. радио, 1973. - 228 с. Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах: лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые, фликкерные, взрывные шумы и шумы токораспределения этих приборов. Содержание: Предисловие. 1. Введение. 2. Математические методы. 3. Описание шумов. 4. Измерения шума. 5. Тепловой ш...

СПб.: Лань, 2013. — 368 с. В пособии приводятся элементарные сведения из физики твердого тела и физики поверхности, необходимые для понимания процессов взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. Подробно рассматриваются механизмы термоэлектронной эмиссии, эмиссии электронов, вызываемой наличием сильных электрических полей, фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссии, механизмы поверхностной ионизации, явления, происходящие при бомбар...

СПб.: Лань, 2013. — 368 с. В пособии приводятся элементарные сведения из физики твердого тела и физики поверхности, необходимые для понимания процессов взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. Подробно рассматриваются механизмы термоэлектронной эмиссии, эмиссии электронов, вызываемой наличием сильных электрических полей, фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссии, механизмы поверхностной ионизации, явления, происходящие при бомбар...

Учебно-методическое пособие. — СПб.: СПбГУ, 2007. — 187 с. Содержание Введение Модель металла Зоммерфельда Химический потенциал Работа выхода электрона Поляризационная часть работы выхода Растекание электронного газа Эффект сглаживания электронного газа Влияние внешнего электрического поля на работу выхода металла Влияние периодичности решетки на электронные состояния. Зонная модель Термоэлектронная эмиссия Основные особенности термоэлектронной э...

Курс лекций / Новосиб. гос. ун-т. Новосибирск, 2009. — 192 с. Учебное пособие включает лекции по обязательному одноименному курсу, читаемому для студентов отделения информатики физического факультета Нгу и предназначено для студентов 4 курса кафедр Афти и Фти. Так как современная микроэлектроника – это полупроводниковая микроэлектроника, примерно половина курса посвящена введению в физику полупроводников. В другой половине излагаются физические п...

Томский политехнический университет. Презентация к лекции. 5 слайдов. 2014 г. ВАХ p-n перехода может быть описана функцией… Два основных вида пробоя Ёмкость p-n перехода. Барьерная и диффузионные ёмкости . Классификация диодов

Вопросы к экзамену по курсу «Физические основы электроника» (для специальностей ЭМ и ЭЛА)

Монография / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. - М.: Энергоатомиздат, 2011.- 175 с. ил. Скан 600 dpi + OCR В книге рассмотрено современное состояние и перспективы развития нового поколения устройств приема, обработки и хранения информации на основе интеграции сегнетоэлектрических материалов с технологиями современной микроэлектроники. Книга содержит анализ перспективных разработок в области создания энергонезависимых сегнетоэлектрических запоми...

Томск: Изд-во НТЛ, 2012. — 112 с. — ISBN 978-5-89503-491-0 В книге рассматриваются физические принципы работы полупроводниковых газовых сенсоров на основе тонких пленок металлооксидных полупроводников, кремниевых МОП-структур и туннельных МОП-диодов. Представлен детальный анализ механизмов воздействия окислительных и восстановительных газов на электрические характеристики сенсоров. Книга предназначена для научных работников, которые занимаются ра...

2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. — 456 с. Отличный учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перехода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; бип...

2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

Москва. Государственное издательство физико-математической литературы, 1960. — 516 с. Книга разделена на две части. В первой части излагаются физические основы электроники, т. е. описание и теория явлений, имеющих важное значение для работы электровакуумных и полупроводниковых приборов. Вторая часть содержит физические основы действия электровакуумных и полупроводниковых приборов, главным образом тех из них, которые имеют наибольшее практическо...

Данное учебное пособие предназначено для подготовки бакалавров по направлениям 140200 "Элкектроэнергетика" и 140600 "Электротехника, электромеханика и электротехнологии". Приоритет отдан рассмотрению полупроводниковых приборов и особое внимание отдано особенностям и режимам работы силовых приборов.

Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

МАИ, 1990, 42 с. Исследование полупроводниковых диодов. Исследование биполярного транзистора. Исследование полевого транзистора. Исследование однокаскадных транзисторных усилителей. Исследование интегрального дифференциального усилительного каскада. Исследование многокаскадных усилителей. Исследование импульсного усилителя. Исследование импульсных генераторов и формирователей.

М. Наука. 1985. 233 с. Теория явлений переноса и методы их исследования в полупроводниковых пленках Влияние технологии получения пленок термоэлектрических материалов на их свойства Исследование электро- и теплофизических свойств термоэлектрических пленок Пленочные термобатареи и их использование в метрологии

М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1972. — 320 с. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi2Te3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое внимание уделено общим вопросам технологии получения сложных соединений, исследованию фазовых диаграмм, введен...

Учебное пособие. Моск. гос. ин-т электроники и математики. М., 2006, 36с. В пособии изложены физические основы процессов ионно-плазменного нанесения тонких пленок. Рассмотрены разновидности процесса ионно-плазменного и плазмохимического нанесения пленок. Кратко рассмотрено ионно-лучевое осаждение металлических и алмазоподобных углеродных пленок. Пособие предназначено для студентов специальности 200100 по дисциплине Физические основы ионно-плазмен...

М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012.— 352 с. Скан 600 dpi + OCR Изучение нелинейных явлений в многокомпонентных гетерогенных системах, находящихся в аморфном, нано- и микрокристаллическом состояниях, способствует установлению физической природы многих происходящих в них явлений и совершенствованию существующих теоретических положений, а следовательно, и разработке новых материалов, обладающих комплексом уникальных физических свойств. Для успешног...

М.: БИНОМ, Лаборатория знаний, 2012. — 352 с. Изучение нелинейных явлений в многокомпонентных гетерогенных системах, находящихся в аморфном, нано- и микрокристаллическом состояниях, способствует установлению физической природы многих про-исходящих в них явлений и совершенствованию существующих теоретических положений, а следовательно, и разработке новых материалов, обладающих комплексом уникальных физических свойств. Для успешного решения этих за...

Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, Долгопрудный – 2011, 21с. Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московский физико-технический институт (государственный университет). Целью работы являлось создание методики создания тонких пленок двух и трехкомпонентных оксидов TixAl1-xO...

Методические указания к лабораторным работам. Изд. второе пер. и доп.; Балт. гос. техн. ун -т, СПб. , 2000, 25с. Ил. 26, табл. 18. Содержание. Исследование электрических свойств проводниковых материалов. Исследование свойств терморезисторов. Исследование свойств варисторов. Исследование свойств фоторезисторов. Исследование свойств сегнетоэлектриков. Исследование свойств ферромагнитных материалов.

Методические указания к лабораторным работам по курсам Физические основы электроники , Физические основы промэлектроники , Информационно-измерительная техника и электроника ГУ КузГТУ 2009

Москва: Наука, 1966. — 564 с. В научной литературе нет книг, охватывающих все вопросы эмиссионной электроники на достаточно современном уровне. В то же время потребность в такой монографии ощущают многие специалисты, работающие в области физической и технической электроники. С момента выхода в 1950 г. книги проф. Л. Н. Добрецова «Электронная и ионная эмиссия» появились и успешно развиваются новые направления электроники, которые нашли свое отраж...

Учебная практика: Методические указания. – Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2011.-48 с. Приложения Положение о учебной практике Программа практики Банк индивидуальных заданий для учебной практики Методические указания по проведению учебной практики Цели и задачи учебной практики

Под ред. Д. В.3ернова. М.: Государственное издательство физико-математический литературы, 1958. 274 с. В книге собраны и обобщены результаты теоретических и экспериментальных работ в области звтоэлектронной эмиссии. Для инженеров и научных работников, занимающихся электроникой, а также будет полезна для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в этой области. Оглавление: Теория автоэлектронной эмиссии металлов. Экспериментальные...

В книге рассмотрены: элементы квантовой механики и статистической физики; основы физики твердого тела, контактные и поверхностные явления в твердом теле, необходимые при изучении курса микроэлектроники. Книга является учебным пособием по курсу «Физические основы микроэлектроники», предназначенным для студентов специальности «Конструирование и производство радиоаппаратуры». Она будет полезной и студентам других специальностей, а также аспирантам н...

Учебно - методическое пособие. — Самара: Изд-во Самар, гос. аэрокосм. ун-та, 2008. — 84 с. ISBN 978-5-7883-0662-9 В пособии изложены теоретические положения и физико-технические методы анализа параметров физических сред и элементов конструкций, используемых в конструкторско-технологической практике создания микроэлектронных устройств. Приведен большой круг задач и упражнений по рассматриваемой тематике. Форма представления учебного материала орие...

Методические указания по выполнению лабораторных работ. – Хабаровск: ДВГУПС, 2013. – 16 с. Методические указания составлены для выполнения лабораторной работы по разделу "Электричество", кратко рассмотрены теоретические основы явления термоэлектронной эмиссии с поверхности металлов, приведен порядок выполнения работы. Указания предназначены для студентов 1–2–го курсов инженерно-технических специальностей всех форм обучения. Введение. Краткие теор...

Санкт-Петербург, издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002. - 56 с. Учебное пособие ISBN 5-7629-0474-1 Рассмотрены основные понятия и закономерности в области электродных явлений и мембранного транспорта, а также принципы работы и конструкции сенсоров на основе МДП-транзисторов. Рекомендуется студентам, обучающимся по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и магистрантам специализации 553122 "Физика сенсорных материалов и у...

Иванов В. П., Пручкин В. А., Зубец В. В., Попов В. Ф. – 3-е изд., стер. – Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2009. – 48 с. Даны методические указания и описание лабораторных работ, посвящённых исследованию различных физических характеристик полупроводниковых материалов, используемых в приборостроении. Предназначены для студентов специальности 2102010 дневной и заочной форм обучения.

Зубец В. В., Попов В. Ф. 2-е изд. Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2004. 56 с. Методическое пособие содержит указания к выполнению лабораторных работ по изучению структуры и электрических свойств материалов электронной техники, а также влияния на них внешних факторов. Лабораторные работы предназначены для студентов 2 курса дневного и вечернего отделений специальности 2008.

Методическое пособие. Иванов В. П., Пручкин В. А., Зубец В. В., Попов В. Ф. - Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2001. 55 с. Методическое пособие содержит указания к выполнению лабораторных работ по изучению структуры и электрических свойств материалов электронной техники, а также влияния на них внешних факторов. Лабораторные работы предназначены для студентов 2 курса дневного и вечернего отделений специальности 2008.

Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направле-ний микроэлектроники. Для студентов с...

Учебное пособие. – Йошкар-Ола: Марийский государственный технический университет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической физики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, необходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направлений микроэлектроники. Для...

Казань, 2009, Даны общие указания по выполнению работ, представлены краткие теоретические сведения по каждой теме, контрольные вопросы.

Санкт-Петербург, СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002 - 80с Взаимодействие ионных потоков с твердым телом. Тормозная способность и пробег ионов. Торможение ионов и распыление твердотельной мишени. Торможение ионов и ионная имплантация. Метод резерфордовского обратного рассеяния (РОР). Исследование начальных стадий роста пленок методом РОР. Рентгеновское излучение, возбуждаемое ионами.

Ионкин П. А. (ред) - Основы инженерной электрофизики. ч.2 (1972) Формат djvu, размер чуть более 1 Мб, более 300 стр. Учебник по электрофизике для вузов. Издание поможет студенту не только усвоить и оперативно повторить учебный материал перед сдачей зачета и экзамена, но и качественно подготовиться к семинарским занятиям, на- писать курсовую и дипломную работу. Содержание учебно-методического комплекса полностью соответствует требованиям государст...

309 кафедра МАИ, 2012, 5 с. Входные ВАХ. Выходные ВАХ. Зависимость коэффициента усиления от тока. Зависимости токов и напряжений.

ТУСУР, 3 курс, ФДО, Лабораторная работа № 1. Работа содержит в себе полный отчет по лабораторной работе с теоретической и практической частями,графиком, выводом и ответами на контрольные вопросы. Зачтена. Замечания: в графике на зависимостях отсутствуют точки, соответствующие экспериментальным данным и отображение обратного тока.

ТУСУР, 3 курс, ФДО, Лабораторная работа №2. Работа содержит в себе полный отчет по лабораторной работе с теоретической и практической частями,графиком, выводом и ответами на контрольные вопросы. Зачтена. Замечания: на осциллограммах необходимо добавить разметку осей.

309 кафедра МАИ, препод - Фаворский К.Г., 7 с. ВАХ диодов. ВАХ при повышенной температуре. Определение значений прямого напряжения, статического и дифференциального сопротивлений. Определение значения температурного коэффициента напряжения. ВАХ стабилитронов. Определение значений напряжения стабилизации. Зависимость среднего выпрямленного тока от частоты. Изображения напряжения и тока диода. Определение значений времени установления прямого напря...

Учебно-методическое пособие предназначено для студентов факультета Высоких технологий ЮФУ. В нем рассмотрены вопросы сегнетоэлектрической поляризации. Описано явление диэлектрического гистерезиса, как основного критерия сегнетоэлектричества. Изложены особенности исследования характеристик сегнетоматериалов по петлям диэлектрического гистерезиса на частоте 50 Гц. Проведен анализ измерительной схемы с точки зрения обеспечения достоверных результато...

НИУ ИТМО, Санкт-Петербург, 2012 год, 5 страниц, преп. Мамыкин Александр Иванович Теория по эффекту Холла. Порядок выполнения лабораторной работы (формулы). Характеристики образца Si(кремний). Методика измерений. Результаты. Контрольные вопросы.

Миколаїв: УДМТУ, 2002.– 32 с. Методичні вказівки містять декілька розділів, кожний з яких включає розв’язання типових задач. Наведені задачі дають можливість розв’язувати їх без додаткового довідкового матеріалу. Методичні вказівки призначено для індивідуальної роботи студентів неелектротехнічних спеціальностей денного, заочного відділень та дистанційного навчання Українського державного морського технічного університету імені адмірала Макарова.

М. - Энергия, 1972 г., 528 стр. В книге рассмотрены не только приборы дугового несамостоятельного и самостоятельного разрядов, но и все разновидности приборов тлеющего разряда. Рассмотрены общие закономерности, на которых базируются физические свойства и характеристики рассмотренных классов приборов. Книга рассчитана на использование ее в качестве учебного пособия на газоразрядных специализациях специальности «Промышленная электроника», а также в...

Кемерово: КузГТУ, 2015. — 60 с. Методические указания к лабораторным работам рекомендованы учебно-методической комиссией направления 13.03.02 (140400.62) «Электроэнергетика и электротехника» в качестве электронного издания для использования в учебном процессе. Цель работы: получить общие сведения об устройстве резисторов и конденсаторов, научиться определять параметры резисторов и конденсаторов по маркировке. Содержание Резисторы, конденсаторы П...

Учебное пособие. М.: МИФИ, 2009. 52 c. В пособии приводится краткая классификация полупроводниковых приборов, определения режимов работы транзисторов и линейные (малосигнальные) эквивалентные схемы (схемы замещения) транзисторов в активном режиме, а также методика и примеры расчетов параметров. этих эквивалентных схем. Предназначено для студентов дневного и вечернего отделений, обучающихся по специальности 200600 Электроника и автоматика физичес...

МГУЛ 2012. Курсовая работа на тему вращающиеся трансформаторы. 10 печатных листов. 1. Физические основы, конструкция и применение вращающихся трансформаторов 2. Пример контактного вращающегося трансформатора 3. Заключение 4. Список литературы

РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант 30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"

Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ) доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант Приложены файлы для построения графиков. кому надо, тот разберётся.

Доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1. Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1 Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэф...

Контрольная работа по ФОЭ. СПГГИ (ТУ), сост. Стороженко С.В. Задача 1. Данные стабилитрона: Uст = 6,8В. Icт(мин)=3мА. Icт(макс)=0,6 мА. Найти Rб, если Uвх от до ; Rн = 2,7кОм. Определить будет ли обеспечена стабилизация напряжения во всем диапазоне изменения Uвх. Задача 2. Рассчитать параметры навесных элементов многовходного сумматора – вычитателя, построенного на ОУ, выходное напряжение реализуется следующими условиями: 1,1U1+1,2U2+0,8U3-0,1U1...

Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.

Электронные ключи на биполярных транзисторах .

Минск: Наука и техника, 1986 г. , 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные изменения свойств полупроводниковых материалов, так и процессы в отдельных...

Лабораторний практикум для студентів ІІI курсу фізичного факультету. - Запоріжжя: ЗНУ, 2008 Практикум містить теоретичні положення, основні поняття, мету та етапи дослідження, рекомендації по проведенню лабораторних робіт та обробці результатів досліджень, контрольні питання.Призначений для студентів ІІI курсу фізичного факультету спеціальностей Фізика, Прикладна фізика денного та заочного відділень.

Москва "Недра" 1984 Учебник для вузов. Изложены теории непрерывных электронных и импульсных цепей, основы преобразовательной техники; описано использова-ние средств вычислительной техники в системах управления и применение электронных устройств в задачах автоматизации и электрификации горных работ. Во втором издании (1-е изд. — 1973) приведены сведения о микроэлектронике, импульсных устройствах, даны рекомендации по применению устройств и систем...

Методические указания к лабораторным работам. — Составители: И.Л. Кривошеин, Ю.В. Кротов, А.С. Морозов, В.А. Хлебников. — Киров: Вятский Государственный Университет, 2004. — 69 с. Исследование неуправляемых полупроводниковых выпрямителей. Исследование управляемого выпрямителя и регулятора переменного напряжения на тиристорах. Исследование свойств биполярного транзистора и усилительного каскада по схеме с общим эмиттером. Исследование интегральных...

Ярославль : ЯрГУ, 2009 - 137 c.— ISBN 978-5-8397-0663-7 "Пособие посвящено анализу строения различных веществ, электронных и ионных процессов в вакууме, газах, на поверхности раздела между твердыми телами и вакуумом или газом, в нем рассмотрены элементы, устройство и принципы работы различных электронных приборов. Предназначено для студентов, обучающихся по специальностям 010801 Радиофизика и электроника и 010800.62 Радиофизика (дисц. ""Физическа...

Методические указания к лабораторной работе по физике для студентов строительных специальностей. — Минск: БНТУ, 2011. — 26 с. В работе описаны закономерности прохождения тока в вакууме, проанализировано влияние состояния поверхности металла на величину работы выхода электрона, изложен метод прямых Ричардсона, представлен вывод формулы Богуславского-Ленгмюра, изложены физические основы эффекта Шоттки. Методические указания к лабораторной работе пр...

Под ред. Е. А. Ладыгина. - М.: Сов. Радио, 1980. - 224 с. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники.

Курсовая работа. Содержание. Введение. Теоретическая часть: Принцип действия усилителя. Схема включения. Практическая часть: Схема. Расчет элементов схем. Выбор элементов схем. Заключение. Литература.

Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.

Расчет однофазного двухполупериодного трансформатора. Основные характеристики выпрямителей. Выбор вентиля. Построение временных диаграмм и схемы выпрямления. расчет транзисторного усилителя. Транзисторы и их классификация. Выбор транзистора. Построение нагрузочной линии. Определение сопротивлений Rк и Rэ. Определение параметров входной цепи усилителя. Определение емкостей конденсаторов Ср и СЭ.rn

Построить выходную зависимость Iк от Vбк для кремниевого n-p-n транзистора в схеме с общей базой при Iэ=10 мА и T=300 K. Концентрация примеси: база 6.0Е+15 1/см3, эмиттер 3.0Е+14 1/см3, коллектор 6.5Е+14 1/см 3. Подвижность носителей заряда: n-1100 cм2/(Вс), р-300 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 0.200 мкс. Металлургическая ширина базы 2.0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера 10 мкм. Площади переходов одинаковы и равны 6.4Е-5 см2. Ширину нейтра...

План работы Введение I. Электрический расчет цифровой схемы: - оценить потенциалы в точках; - рассчитать все токи и указать их направления; - рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемые всей схемой. II. Разработка топологии ИМС: - выбор материала для пленочных резисторов; - расчет размеров для резисторов; - выбор материала для проводников и контактных площадок; - расчет площади, занимаемой активными и...

«Расчёт функционального устройства судовой автоматики на операционном усилителе».

Курсовая по ФОМ но теме: "Расчет параметров ступенчатого p-n перехода". В работе представлена теоретическая часть о p-n переходе, расчет протяженности перехода, а так же краткий реферат о фотолитографии

Учебное пособие для вузов. М., "Связь", 1973. -360 с. с ил. Дана классификация электронных приборов, рассмотрены конструкции, физика работы и характеристика электронных ламп, полупроводниковых, электронно-лучевых, ионных и фотоэлектрических приборов. Рассмотрены вопросы миниатюризации, микроминиатюризации, надежности и дальнейшего усовершенствования электронных и полупроводниковых приборов.

Лабораторная работа по физическим основам электроники- Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами УГАТУ, АП курс - 2. для специальностей МКС, РТ, СПР.2009 год

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев Г. Я. Получение опытным путем входных и выходных статических характеристик схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам. Работа без графиков

1) изучение свойств плоскостных р-n переходов путем практического снятия и исследования их вольтамперных характеристик; 2) исследование влияния на свойства р-n перехода температуры.

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительных схем на базе ОУ, определение параметров. Нахождение частот и напряжений. Работа без графиков.

Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

МГОУ. Вакуумная и плазменная электроника. Иванов В. В. Две оформленные лабораторные работы с расчетами, графиками, схемами и выводами. Зачет.

Цель работы: Изучить законы Кирхгофа. Рассмотреть последовательное, параллельное и смешанное соединение токоприемников, исследовать распределение токов, напряжений и мощностей в каждой цепи. 1) Последовательное соединение приемников. 1) Параллельное соединение приемников. 2) Смешанное соединение приемников.

Определение эффективного времени жизни неосновных носителей тока в базе полупроводникового прибора по закону изменения «остаточной» ЭДС при включении прямого тока через диод; Исследование температурной зависимости времени жизни.

Шелохвостов В. П., Баршутин С. Н. -Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2004. Ч. 1. 32 с. Представлены лабораторные работы по основным физико-химическим процессам в технологии электронных средств: элементы, компоненты и топология интегральных средств, влияние температуры на скорость химической реакции, электролиз, химическое травление, очистка подложек, окисление кремния. Предназначены для студентов 3 и 4 курсов дневной и заочной форм обучения...

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" доц. Савиных В. Л.

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лабораторная работа "Моделирование электрических полей в электронных устройствах" по дисциплине ФОЭ. Пожалуй, самая тяжелая из всех на курсе. С отличным выводом.

Здесь почти вся теория, которую Шарфштейн А.Х. требует для защиты лабораторок.Нет перехода Шотки.

ЧГУ им. И. Н. Ульянова 2 курс Биполярные-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усилительных каскадов с ОЭ и ОК. , полевые транзисторы-Схемы для исследований полевых транзисторов. ; Полупроводниковые диоды вольт амперные характеристики; Усилители каскадов-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усил...

Полупроводниковые диоды. стабилитроны. однополупериодные и двухполупериодные выпрямители. исследование биполярного транзистора.

ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

Издательство "Сов. радио", 1975 288 страниц Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены принципы действия, технические характеристики и возможност...

Учебное пособие для вузов. - Киев : Издательство Киевского университета, 1964 г. - 209 с. Учебное пособие содержит 100 задач и расчетов по физической электронике. Сборник ставит своей целью научить учащихся применять общие теоретические принципы к решению конкретных вопросов и задач. Рассчитано на студентов физических и радиофизических факультетов вузов, а также практических работников соответствующей специальности.

К.: Видавничо-поліграфічний центр "Київський університет", 2005 - 153 с. Розглядаються питання, пов'язані з рухом заряджених частинок в електричних і магнітних полях у вакуумі, питання емісійної електроніки, елементарних процесів у газовому середовищі, фізики плазми та газового розряду. У кінці кожного розділу наведено контрольні запитання та задачі. Для студентів фізичних і фізико-математичних факультетів університетів та вищих технічних навчал...

Основные понятия и законы квантовой и оптической электроники Очень полезные материалы для сдачи курсовых работ, зачетов и экзаменов.rn

109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников. Основы теории твердого тела. Строение твердых тел. Энергетические уровни и зоны. Собственная проводимость полупроводников. Глубокие уровни. Примесные полупроводники. Оптические и электрические свойства полупроводников. Жидко кристальные приборы для отображения информации. Физические эф...

Курс лекций. для студентов специальности 40 02 02. «Электронные вычислительные средства». Министерство образования Республики Беларусь. Учреждение образования. Минский государственный высший радиотехнический колледж. Кафедра общетехнических дисциплин. Содержание. Электрофизические свойства полупроводников. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Униполярные (полевые) транзисторы. Тиристоры.

Лекции составленны преподавателем, и даны студентам, чтобы не тратить время на писанину. Все в Worde. Аккуратно, с картинками, а главное на доступном языке. Подойдет как для неэлектронщиков, так и для основного изучения по специальности. Полупроводниковые диоды. Принцип работы диода. Вольт-амперная характеристика диода (ВАХ). Выпрямительные диоды. Высокочастотные диоды. Импульсные диоды. Стабилитроны и стабисторы. Биполярные транзисторы. Общие пр...

ЧГУ, Чебоксары, 2004, 61 стр. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Токи в полупроводниках. Контактные явления. Разновидности p-n переходов. Полупроводниковые диоды. Классификация. Выпрямительные диоды. Стабилитроны и стабисторы. Универсальные и импульсные диоды. Варикапы. Биполярные транзисторы. Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы. Статические характеристики биполярных т...

Чувашский Государственный Университет им. И.Н. Ульянова, Чебоксары, 2004, 56 стр. Содержание: Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Токи в полупроводниках. Контактные явления. Разновидности p-n переходов. Полупроводниковые диоды. Классификация. Выпрямительные диоды. Стабилитроны и стабисторы. Универсальные и импульсные диоды. Варикапы. Биполярные транзисторы. Принцип действия биполярного тра...

Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника. Метод расчета концентраций. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках. Положение уровня Ферми в полупроводниках. Распределение н...

ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике. Достаточно подробно рассмотрены вопросы элементной базы электроники и микроэлектроники, связанные с описан...

Проводниками электрического тока могут служить твердые тела, жидко-сти, а при соответствующих условиях и газы. К твердым проводникам относят металлы, металлические сплавы и неко-торые модификации углерода. Металлы – это пластичные вещества с характерным для них блеском, ко-торые хорошо проводят электрический ток и теплоту. Среди материалов элек-тронной техники металлы занимают одно из важнейших мест.

Название курса Материалы и элементы электронной техники, само говорит о предмете изучения – материалы и элементы электронной техники. Что такое материал, как понятие, как предмет изучения? Как взаимосвязаны такие понятия, как химический элемент, вещество, сырьё, изделие (компонент).

Электронно-дырочный переход. График электронно-дырочного перехода. Определения.

Лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по специальностям "Многоканальные телекоммуникационные системы", "Радиосвязь, радиовещание и телевидение", "Средства связи с подвижными объектами", "Электромеханика"rn

Учебное пособие для вузов. - Воронеж: ВГУ, 2007. В книге рассмотрены свойства ЭДП, физические принципы работы терморезисторов, фоторезисторов, фотодиодов и туннельных диодов

М.: Издательский центр «Академия», 2008. — 400 с. Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники: получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы контроля и метрологии. Для студентов высших учебных...

М.: Академия, 2008. — 400 с. Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники: получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы контроля и метрологии. Для студентов высших учебных заведений. Предислов...

Маругин А. П. "Физические основы электроники". Екатеринбург: изд. УГГУ, 2005 Методические указания и расчетные задания по дисциплине Физические основы электроники для студентов специальности 180400 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" (ЭГП) направления 654500 "Электротехника, электромеханика и электро технологии". Методические указания устанавливают объем и порядок выполнения практических работ. Приведе...

УГГУ Екатеринбург 2003 Учебно методическое пособие к лабораторным занятиям и самостоятельной работе по дисциплине "Физические основы электроники" для студентов специальности 180400 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" (ЭГП).

Политехнический университет им. И. Раззакова. для студентов технических вузов. издательство Полиграфбумресурсы, год издания 2010, 252 стр

УГГУ Екатеринбург 2010 Методические указания по дисциплине «Физические основы электроники» составлены в соответствии с программой курса и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилитель-ные устройства» и «Импульсная техника». Расчетные задания предназначены для развития у студентов специальности 140604 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологиче-ских комплексов» (ЭГП)...

Рассмотрены вопросы теории и практики надежности интегральных схем (ИС). Обобщаются опубликованные в периодической литературе результаты физических исследований внезапных и постепенных отказов элементов гибридных тонкопленочных (ТП) ИС и полупроводниковых ИС, созданных на основе кремния. Приведены способы обеспечения и повышения надежности. Книга может быть полезной инженерам и научным работникам, занимающимся разработкой и производством ИС, а та...

Митрофанов О.В., Симонов Б.М., Коледов Л.А. М.: Высшая школа, 1987, 168с. Учебное пособие из серии Микроэлектроника в 9 кн. под ред. Коледов Л.А. Книга 1. В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделии полупроводниковой микроэлектроники. Изложены принципы работы базовых полупроводниковых приборов. P.S. Книга снабжена прекрасными иллюстрациями, которые значительно помогают усвоению материала. Материал изложен на...

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 104 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и полевые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100 «Приборостроение» и специальности 200106 «Информационно-измерительная техника и технологии», очной очно-заочной и за...

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 92 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупроводников, их основные свойства и характеристики, электрические переходы, полупроводниковые...

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 80 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия компонентов электронной техники, а именно: операционные усилители, цифровые интегральные микросхемы, аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Приводятся типовые структурные схемы электронных устройств. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 «Приборостроение» и специальн...

Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 78 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия компонентов электронной техники, а именно: операционные усилители; цифровые интегральные микросхемы; аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Приводятся типовые структурные схемы электронных уст-ройств. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 "Приборостроение", и специальности 200106 "Информационно-измер...

Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 100 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и по-левые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 "Приборостроение", и специальности 200106 "Информационно-измерительная техника и технологии" очной, очно-заочной и заочной форм обучения, также мо...

Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 90 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктив-ности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупро-водников, их основные свойства и характеристики, электрические переходы, по-лупроводниковые диоды различного назначения и с...

Автореферат. диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. -Тамбов. 2007. Работа выполнена на кафедре «Автоматизированные системы и приборы» ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический универ-ситет». Научный руководитель; Мищенко Сергей Владимирович. Цель работы заключается в разработке стационарного метода и уст-ройства, обеспечивающих повышение точности измерения теплопровод-ности (за счет учета в математической модел...

Рабочая программа, контрольные задания и методические указания для студентов заочного отделения направления 210700 Инфокоммуникационные технологии и средства связи (квалификация "Бакалавр"). – Хабаровск: ДВГУПС. – 18 с. Даны задания к контрольным работам №1 и 2 с методическими указаниями к их выполнению.

Методические указания к курсовой работе. – Хабаровск: ДВГУПС, 2006. – 36 с. В методических указаниях рассматривается круг вопросов и задач, связывающих изучение физических процессов в твердотельных приборах с расчётами простейших электронных схем. Приведены примеры расчётов и варианты заданий. Методические указания предназначены для студентов специальности "Автоматика, телемеханика и связь". Введение. Физические процессы в диодах и стабилитронах....

Методические указания к выполнению лабораторных работ № 1-7 — СПб. : Изд-во ГУАП, 2008. — 60 с. Содержится методические указания к выполнению лабораторных работ , посвященных изучению физических явлений и эффектов, используемых в приборах и устройствах электроники и микроэлектроники. Предназначены для студентов всех специальностей при изучении дисциплин "Физические основы электроники" и "Физические основы микроэлектроники". Подготовлены кафедрой...

М.: Радио и связь, 1994. — 164 с. Приведены результаты исследований по выявлению и изучению особенностей радиационного поведения КМОП интегральных схем. Дан анализ радиационных эффектов в базовых структурах ИС основных КМОП технологий при воздействии стационарных и импульсных ионизирующих излучений. Рассмотрены различные механизмы отказов. Рекомендовано для специалистов в области применения, проектирования и производства ИС, для аспирантов и студ...

Методические указания к выполнению лабораторных работ для студентов специальности 140604 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" . - Кемерово: КузГТУ, 2008. - 37 стр. Курс лабораторных работ, проводимый на стенде " Основы Автоматики и Вычислительной Техники " (ОАВТ), предназначен для демонстрации работы простейших логических элементов и является первым шагом для изучения цифровой техники. Для успешного про...

Томский политехнический университет. Презентация к лекции. 58 слайдов. 2014 г. Энергетические зоны полупроводников. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Концентрация носителей заряда в полупроводнике при термодинамическом равновесии. Собственные полупроводники. Примесные полупроводники. Время жизни неравновесных носителей заряда. Процессы электропроводности в полупроводниках. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и положен...

Тестовое задание. Сост. А. С. Глазырин. - Томск: Изд. ТПУ, 2006.- 19 с. Целью теста является проверка усвоения теоретического материала по курсу «Физические основы электроники» студентами специальностей 140601 «Электромеханика» и 140604 «Электропривод и автоматизация промышленных установок и технологических комплексов» Института Дистанционного Обучения Томского Политехнического Университета. Зашифрованная таблица. Список рекомендованной литератур...

Томский политехнический университет. 2013-2014 год. Для студентов технических специальностей. Кафедра ЭПЭО. Учебная дисциплина: «Физические основы электроники». 3 курс, 5 семестр. Газоразрядные приборы Полупроводниковые приборы. Фотоэлектронные приборы. Электронные выпрямители. Электронные усилители.

Ответы написанные по лекциям. для студентов групп МКС, РРиТ, СПР, ССК Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов. Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток. Классификация твердых тел по степени электропроводности Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. Разрешенные и запрещенные зоны. Потенциальная кинет...

Зачет, УГАТУ, Уфа/Россия, Андреев И.Б., 2011, Полупроводниковый диод – это: Биполярный транзистор – это: Тиристор – это: Режимы работы биполярного транзистора при усилении электрических сигналов (указать все варианты): Режимы работы биполярного транзистора в качестве электронного ключа (указать все варианты): Вакуумный диод – это: Вакуумный триод – это: Схемы включения биполярного транзистора (указать все варианты): P-n-переход- это: Емкости p-n-...

Методическое пособие к вып. лаб. работ по курсу "Физические основы электроники ". ВГАВТ, Н.Новгород, 2002. В методическом пособии изложены общие вопросы из курса "Физические основы электроники" и приведена методика выполнения лабораторных работ. Содержание: Краткие теоретические сведения Лабораторная работа №1. Изучение контрольно-измерительной аппаратуры. Лабораторная работа №2. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n пер...

Учебное пособие. Томск: Изд. ТПУ. 2000. – 152 с. Учебное пособие «Физические основы электроники» предназначено для студентов направления 55.13.00 «Электротехника, электромеханика и электротехнологии». Основные разделы курса посвящены изучению физических процессов в современных полупроводниковых приборах, причём, основной упор делается на изучение элементов силовой электроники, а также особенностей их работы в преобразовательных устройствах средне...

Мн.: Изд. центр БГУ., 2004 г., 531 стр., ISBN: 985-476-251-3 В монографии рассмотрены физические процессы, вызывающие нагрев кремниевых пластин в результате их облучения импульсами когерентного и некогерентного света. Приведены расчеты температурных полей и термических напряжений, возникающих в кремниевых пластинах при такой обработке, их влияние на параметры исходных кремниевых пластин и диэлектрических покрытий, а также даны характеристики осно...

Севастополь: Вебер, 2006. — 320 с. Монография посвящена одному из новых, перспективных направлений полупроводниковой СВЧ-электроники – реконфигурируемым мультисенсорным информационно-управляющим системам для мониторинга параметров и контроля быстропротекающих технологических процессов и перемещения высокоскоростных объектов. В монографии представлено обоснование выбора класса физических явлений, представляющих собой основу метода синтезирования м...

М.: Физический факультет МГУ, 2000. -164с. В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических специальностей. Книга может заинтересовать хим...

Учебное пособие. М.: Физический факультет МГУ, 2000 г. 164 стр., ISBN 5-211-04058-9 В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических спец...

Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 1. 204 с. Изложены теоретические и практические основы принципа действия и работы наиболее часто применяемых в производственной и исследовательской практике методов и приборов, предназначенных для измерения теплофизических свойств веществ. Большое внимание уделено стационарным и нестационарным методам и приборам для измерения теплопроводности, коэффициента температуропроводности и объемной теплоем...

Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 2. 216 с. Во второй книге приведены сведения о разработанных в Тамбовском государственном техническом университете теплофизических методах и приборах: основанных на использовании временных и пространственных интегральных характеристик температур и тепловых потоков; предназначенных для измерения эффективных теплофизических характеристик ламинарных потоков жидкостей и для исследования зависимости те...

Учебное пособие - Омск: Изд-во СибАДИ, 2004. - 167 с. Аннотация: Рассмотрены физические процессы, определяющие принципы построения и работы полупроводниковых, электровакуумных, газоразрядных, оптоэлектронных и квантовых приборов. Приведены основные характеристики и параметры диодов, транзисторов, тиристоров и других приборов, составляющих элементную базу устройств информационной и силовой электроники. Список заголовков: Классификация электронных...

Учебно-методическое пособие по курсу "Физические основы микроэлектроники» написано в полном соответствии с Программой Министерства образования РФ и представляет собой краткое введение в теорию широкого круга явлений, с которыми приходится непосредственно иметь дело конструктору и технологу радиоэлектронной аппаратуры. Его цель – помочь понять физическую сущность тепловых и электрических свойств твердых тел, контактных и поверхностных явлений в п...

Тамбов: Тамбовский государственный технический университет, 2014. — 102 с. Учебно-методическое пособие «Физические основы нано- и микроэлектроники» предназначено для студентов, обучающихся по направлению 140400.62 «Электроэнергетика и электротехника» учебной дисциплине «Информационные системы в электроэнергетике», учебной дисциплине «Материаловедение» направления 200300.62 «Биомедицинская инженерия», учебным дисциплинам «Физические основы микроэл...

Для студентів спеціальності 06.503. - К.: КНУТД, 2004. - 110 с. В посібнику викладені теоретичні основи надвисокочастотних технологій, які побудовані на взаємодії електромагнітного поля з речовиною. Основна увага приділена виявленню функціональних зв'язків між фізичними і технологічними параметрами. Приведені приклади практичного застосування надвисокочастотних технологій у переробній промисловості, енергетиці, зв'язку, медицині тощо. В дотатку д...

МГУЛ. Сообщение на тему "Пример волоконно-оптического датчика с фазовой модуляцией". 6 листов 1. Волоконно-оптические датчики 2. Пример волоконно-оптического датчика с фазовой модуляцией 3. Список литературы

УЛГТУ(Ульяновский государственный технический университет). Специальность радиотехника. 1 курс. Фото, только расчеты(без теоретической части).rn

Программа для расчета элементов ГИС. Руководство по использованию программы: Установка и запуск программы. Расчет тонкопленочных резисторов. Расчет переходных контактов. Расчет пленочных конденсаторов. Расчет теплового режима работы ИС. Литература. Программа, разработанная в данном дипломном проекте, соответствует требованиям современных операционных систем об использовании стандартных элементов пользовательского интерфейса, что значительно облег...

Учебное пособие для вузов. — Томск: Томский государственный университет, 2010. — 288 с. В пособии изложены физико-технические основы электроники. Предназначено для студентов, аспирантов, инженеров, научных работников специализирующие в области физической электроники, радиофизики. Электроны в металлах и полупроводниках. Введение твердотельную эмиссионную электронику. ТЭЭ. ФЭЭ. ВЭЭ. АЭЭ. Взр.ЭЭ. Эмиссия заряженных частиц из плазмы. Эмиссионные явле...

БГТУ им Шухова, 4 курс, Кафедра Электротехники.

По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, и построить их зависимости от напряжения на затворе. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h – параметры и построить зависимости этих параметров от тока базы. СибГути, АЭС, 2 Курс, 2 семестр, 5 стр.

Расчетная часть. Дан металлический шар. Он окружен оболочкой из диэлектрика, верхняя поверхность - сфера, всё остальное пространство – вакуум. Построить зависимости и проанализировать их особенности в областях и в пограничной точке. Построить картины вектора E и D в трех областях. Построить зависимость плотности распределения энергии в зависимости от Х для трех областей. Изменить радиус R так, чтобы количество энергии, заключенной во всем слое...

Материал из Википедии — свободной энциклопедии Материал из учебного пособия «Физика твердого тела» Епифанов Г.И. Задача: 6й вариант

Определение параметров стабилитронов КС147А и Д814Б по рабочим ветвям вольтамперных характеристик (ВАХ).

Две самостоятельные работы студента (СРС) по дисциплине "Физические основы электроники". В виде рефератов. Сданы на "отлично"

Расчетно-графические работы по ФОЭ. Дана заряженная сфера. 3 варианта, с разными исходными данными. Сдаются обычно вместе с СРС.

Учебное пособие/ Репкин Д.А. – Киров: Изд-во ВятГУ, 2007. – 158 с. В пособии содержатся основные теоретические сведения из зонной теории и теории проводимости полупроводников, физические основы работы p-n-переходов и приборов на их основе, указаны технологические особенности применения диодов, описаны конструкция и технология производства интегральных микросхем. В учебном пособии приведен ряд задач для решения на практических работах и самостояте...

В данном реферате представлена информация о магниторезистивном эффекте, пояснена сущность и модель магнетосопротивления. Также приведены основные характеристики вышеуказанного физического эффекта. В работе описаны материалы, которые применяются для изготовления приборов, использующих магниторезистивный эффект, устройство магниторезисторов, принцип их работы, их параметры, характеристики, классификация, а также область их применения и перспективы...

Перевод с испанского С. И. Баскакова. Под редакцией проф. В. А. Терехва. Издательство "Высшая школа" 1991. 352 страницы. В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы интегральной технологии. Весь материал разбит на порции, включающие теоретически...

Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Handbook издательство: ESA-ESTEC Data Systems Division / Microelectronics Section Noordwijk, The Netherlands 2 December 2011 225 стр. Содержание: Radiation environment and integrated circuits - Radiation sources (Solar flares, Coronal mass ejections, Solar wind, Galactic cosmic rays) - Radiation environment (Van Allen belts, Atmospheric neutrons, Terrestrial radiation sources) - The different types of interactions - Radiation effects (Cumulati...

Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

М.: Радио и связь, 1988. — 184 с. В популярной форме поясняется смысл единиц физических величин, используемых в технике электросвязи, приводятся примеры их применения, сообщаются краткие сведения об ученых и изобретателях, в честь которых эти единицы получили свое наименование. Для специалистов в области связи, может быть полезна молодежи, которой предстоит выбрать профессию.

Ивановский государственный химико-технологический университет. - Иваново, 2002. - 192 с. Рассмотрены физико-химические основы процессов корпускулярно-фотонных технологий, типовые установки, конкретные технологические процессы и примеры их реализации. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям "Материалы и компоненты твердотельной электроники" и "Химическая технология материалов и изделий электронной техники".

Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.rn

М.: Молодая гвардия, 1990. - 444 [4] с., ил. - (Эврика). Занимательный рассказ об электроне, об электромагнитных полях и их взаимодействии, о людях, посвятивших свои жизни развитию электроники, и той роли, какую играет современная электроника в ускорении научно-технического прогресса.

Челябинск: Изд. ЮЦрГУ, 2004. - 104 с. Описаны состав и отдельные компоненты учебного лабораторного комплекса «Электронные приборы и устройства». Представлены электрические схемы соединений и их описания, а также указания по проведению базовых экспериментов. Руководство предназначено для использования при подготовке к проведению лабораторных занятий по дисциплинам «Теоретические основы электротехники», «Электротехника и основы электроники», «Осно...

Учебное пособие посвящено теоретическим основам работы твердотельных фотоэлектричесих преобразователей световой энергии в электрическую.

Методические указания. — СПб.: СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 2003. — 32 с. Основы кристаллофизики. Динамика кристаллической решётки. Теплоёмкость решётки. Статистика электронов твёрдого тела. Энергетический спектр электронов в кристалле (зонная структура). Кинетические явления в зонных телах.

Методическая разработка для студентов дневного отделения направления «Телекоммуникации». - Самара: ПГУТИ, кафедра электродинамики и антенн , 2010. - 38с. Содержание: Цели, задачи и методы изучения дисциплины Список рекомендованной литературы Методические рекомендации по изучению дисциплины Список теоретических вопросов для подготовки к зачету Виды тестовых вопросов для подготовки к зачету Общие замечания к выполнению комплексного задания Комплек...

СПб.: Лань, 2013. — 312 с. В книге изложены историческая справка становления и развития наноэлектроники, физические основы наноструктур и приборов наноэлектроники, физические и микросистемные основы построения элементной базы приборов и устройств направлений развития функциональной электроники (акустоэлектроники, диэлектрической электроники, полупроводниковой электроники, магнитоэлектроники, оптоэлектроники, молекулярной электроники). Пособие сод...

Учебное пособие. — 2-е изд., испр. — СПб.: Лань, 2013. — 560 с.: ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — ISBN 978-5-8114-1369-0. В книге изложены: историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их упрощенного математического анализа. Пособие содержит контрольные...

Киев : Наук, думка, 1985.— 304 с. В монографии дан обзор результатов работ по основным направлениям фундаментальных и прикладных исследований, проводимых в Институте полупроводников АН УССР. Значительное внимание уделено исследованиям, положившим начало новым направлениям в теории полупроводников, оптике и радиоспектроскопии полупроводников, физике неравновесных явлений в объеме и на поверхности полупроводников, в изучении электронных и структурн...

Методические указания к курсовому проектированию электронных устройств автоматики. КХТИ, для 51 групп 8 факультета - 2 курс.rn

Издательство М: Мир, 1991 504 страницы Книга авторов из Великобритании представляет собой тщательно обработанный текст лекций по физическим основам твердотельной электроники, читаемых на инженерном отделении Оксфордского университета (перевод с 4-го издания). Методически продуманно излагаются принципы построения полупроводниковых приборов, основы оптоэлектроники, квантовой электроники, вопросы применения магнитных явлений и сверхпроводимости (вк...

Методические указания по выполнению лабораторных работ – СПб.: НМСУ «Горный», 2014. – 76 с. В методических указаниях дано описание лабораторных работ по дисциплине «Физические основы электроники», читаемой студентам специальности 130400 «Горное дело» (специализация «Электрификация и автоматизация горного производства») и направления подготовки бакалавриата 140400 «Электроэнергетика и электротехника» (профиль подготовки «Электропривод и автоматика...

Навчальний посібник - 3-тє вид., випр. та допов. — К.: Університет «Україна», 2008. — 256 с. ISBN 978-966-388-259-8. Зміст: Феноменологічна математична модель системи газ — напівпровідник Постановка задачі моделювання Формалізація задачі Система рівнянь матеріального балансу Фундаментальна система рівнянь масопереносу та переносу заряду в напівпровідниковому матеріалі Статика: статистика електронів та дірок у металоокисному напівпровіднику То...

Казань: Офсетная лаборатория КГУ, 1977. — 20 с. Описание к лабораторной работе "Исследование последовательного и параллельного контура". В теоретической части рассматриваются физические процессы и их математическим описанием, происходящих в последовательных и параллельных контурах. Описана лабораторная установка, позволяющая экспериментально ознакомиться с работой последовательного и параллельного контура. Приведенные в описании сведения дают в...

Т11 Полупроводниковые электрические аппараты: Метод. указ. /Сост. А. С. Тимофеев СибГИУ. –Новокузнецк. 2006. -114с., ил. Рассмотрены физические процессы в полупроводниковых транзисторах, дан анализ характеристик в статических и динамических режимах их работы. Предназначены для студентов всех форм обучения специальности Электромеханика в горном производстве (140601).

2009 г. Учебное пособие 101 стр, СПб Гос Университет информационных технологий, механики и оптики. содержит описание лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных технологийи Управления по направлению "Проектирование и технология электронно-вычислительных средств".

Учебное пособие. — М.: МАДИ, 2015. — 188 с. — ISBN: 978-5-7962-0176-3. Учебное пособие содержит сведения о физических свойствах и кристаллической решетке полупроводниковых материалов, о зонной теории, а также сведения о принципах создания и работы основных типов полупроводниковых приборов. Кратко изложена история изучения полупроводниковых материалов и этапы их практического применения. В пособии представлены также примеры применения полупроводни...

Издательство: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований-2009г. В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и квантовой статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твёрдотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых приборов, в частности, диод с pn-переходом и pnp-транзистор. Пособие предна...

Издательство: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований-2009г. В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и квантовой статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твёрдотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых приборов, в частности, диод с pn-переходом и pnp-транзистор. Пособие предназ...

Учебное пособие - Красноярск: СФУ, 2007 - 468с. В учебном пособии изложены современные представления о физико-химических основах технологических процессов электроники, особенности термодинамики химических и фазовых равновесий, кинетические характеристики процессов. Рассмотрены процессы зародышеобразования, роста слоев новой фазы, методы проведения термодинамического анализа. Учебное пособие предназначено бакалавров и магистров направления 210200...

Красноярск : СФУ, 2011. — 336 с. Изложены современные представления о физико-химических основах технологических процессов электроники, особенности термодинамики химических и фазовых равновесий, кинетические характеристики процессов. Рассмотрены процессы зародышеобразования, роста слоев новой фазы, методы проведения термодинамического анализа. Предназначено для студентов направлений подготовки бакалавров и магистров 211000.62, 211000.68. Может быт...

Выполнил: студент Шпаковский В.А. Преподаватель: Забелина И. А. Дисциплина - Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС. Минск, Беларусск. гос. унив. информатики и радиоэлектроники, 2001, 20с. Содержание: Туннельный эффект. Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах микроэлектроники. Контакт металл-металл. Структура металл-диэлектрик-металл. Токоперенос в тонких плёнках. Туннельный пробой в p-n-переход...

Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.

Старый Оскол: СТИ НИТУ МИСиС, 2010. — 76 с. Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Электроника», «Физические основы электроники», часть 1 для студентов специальностей: 220301 – Автоматизация технологических процессов и производств, 140604 – Электропривод и автоматика промышленных комплексов и установок, очной, заочной формы обучения.

«Уральский государственный университет им. А. М. Горького Физический факультет Кафедра общей и молекулярной физики, 2008, с.103 Лабораторный практикум «Физическая электроника» состоит из шести лабораторных работ: Эмиссия с термокатода в вакууме. изучение трубки Перрина. Определение знака и оценка величины удельного заряда частиц. Изучение зависимости спонтанного газового разряда в воздухе от давления. Ядерный магнитный резонанс в полистироле, гли...

Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полуп...

Учебное пособие. – изд. 2, испр. и доп. – М.: Советское радио, 1969. – 592 с. Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные соотношения даются в минимальном объеме, необходимом для изложения основн...

Махачкала: ИПЦ ДГУ, 2008. — 414 с. В сборнике содержатся материалы докладов, представленных на V Всероссийскую конференцию по физической электронике. В первом разделе сборника собраны работы, доложенные на секциях по газовой электронике. Во втором разделе сборника включены работы, доложенные на секции по твердотельной электронике.

Махачкала: ДГУ, 1999. — 134 с. В сборнике содержатся материалы докладов, представленных на Всероссийскую конференцию Физическая электроника. В первом разделе сборника собраны материалы обзорных докладов, доложенных на конференции. Во втором разделе сборника собраны работы, доложенные на секциях по газовой электронике. В третий раздел сборника включены работы по твердотельной электронике, доложенные на секции физические свойства конденсированных с...

Электроника и микроэлектроника, схемотехника. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые структуры. Электронные усилители и генераторы. Импульсная техника.

Курсовая работа по ФОМэ (физические основы микроэлектроники) тема: Физические основы работы фоторезисторов ВГТУ, Воронеж, 2012, 24стр. Содержание Введение Фоторезисторы, их свойства и принцип работы Технические параметры Заключение Список литературы

СПБГУАП,Санкт-Петербург, 2011 год, Нефедов В.Г. Исследование электрофизических свойств р-п перехода. Исследование эффекта Холла. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников.

Рабочая программа, метод. указ. и контр. задания для студентов спец. 140601 «Электромеханика» и 140604 «Электропривод и автоматизация промышленных установок и технологических комплексов» ИДО / Сост. А. С. Глазырин. - Томск: Изд. ТПУ, 2006.- 32 с. Рабочая программа, методические указания и контрольные задания по дисциплине «Физические основы электроники» предназначены для подготовки студентов по специальностям 140601 «Электромеханика» и 140604 «Эл...

Рабочая программа для студентов специальностей для студентов специальности 140609 – Электрооборудование летательных аппаратов и 140610 – Электрооборудование и электрохозяйства предприятий, организаций и учреждений – Таганрог. Изд. ТГРУ, 2005. – 9с. Цель и задачи дисциплины. Содержание теоретического курса. Список литературы.

Порядок аттестации студентов специальностей 140601 «Электромеханика» и 140604 «Электропривод и автоматизация промышленных установок и технологических комплексов» ИДО ТПУ по учебной дисциплине «Физические основы электроники» рассмотрен и одобрен методическим семинаром кафедры Электропривод и электрооборудование. Дементьев Ю.Н. - Томск: Изд. ТПУ, 2006.- 6 с. Общие положения. Контрольная работа. Дополнительный список литературы. Индивидуальное зад...

Элементы зонной теории твёрдого тела. Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа. Понятие об энергетических уровнях и зонах. Кристаллическая решетка. Свойства полупроводников. Собственный полупроводник. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике. Функция распределения Ферми-Дирака. Вероятность распределения электронов по энерг. уровням. Уровни Ферми. Эффективные массы электрона и дырки. Примесные полупроводники....

СПбГУАП. СПб., 2005. 52 с.: ил. Приведены краткие теоретические сведения и методические указания к выполнению четырех лабораторных работ по курсу Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств. Предназначен для студентов инженерных специальностей 200800 и 220500 всех форм обучения. - Исследование распределения удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки. - Исследование процесса термовакуумного напыления резист...

РАУ, Ереван, Армения, 2015, 3 курс "Электроника и наноэлектроника". - 11 с. Функция плотности состояний при различных размерностях. Функция плотности состояний при разных законах дисперсии. Функция плотности состояний для двумерного электронного газа.

Учебно-методическое пособие «Исследование характеристик сегнето- пьезоматериалов по петлям деформации в сильных электрических полях инфранизкой частоты» предназначено для студентов, факультета Высоких технологий. В нем даны некоторые основные понятия физики сегнетоэлектричества. Описаны особенности электромеханических свойств сегнетоэлектриков. На основе литературных данных приведены результаты экспериментальных исследований характеристик сегнето...

М.:«ЕНЕРГІЯ», 1972. - 183 с. Переклад: Бучинський В. , Дубчак І. і Кайда Н. Излагаются современные достижения физической электроники, охватывающее как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших экспериментально установленных фактов, на которых это изложение основывается, так иприложение важнейших физических идей, выдвинутых в этой области физической науки для объяснении принципов действия широко...

Появление атомной энергетики явилось стимулом развития новой отрасли физики твердого тела — физике радиационного повреждения и ее практическому применению — атомному материаловедению. Многочисленные теоретические и экспериментальные работы в области радиационного материаловедения позволяют сделать вывод, что большинство процессов, протекающих в металлах и сплавах под воздействием ионизирующего излучения, сильно зависят от изменения диффузионной п...

Рассмотрены процессы взаимодействия ионизирующего излучения с ионно-электронной системой металлических твердых тел, связь радиационного дефектообразования с локальными искажениями электронных состояний, процессы радиационно-стимулированной диффузии в гетерогенных системах, электронные свойства радиационных дефектов и изменение физических свойств на поверхности металлов в результате облучения. Книга рассчитана на специалистов в области физики' рад...

Перевод с англ. / Под ред. Ю. В. Гуляева - М.: Советское радио, 1979г. , 232 стр. Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области применения гетеропереходов: преобразователи световой энергии в электрическ...

Перевод с англ. — Под ред. Ю.В. Гуляева — М.: Советское радио, 1979. — 232 с. Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области применения гетеропереходов: преобразователи световой энергии в электрическую и...

М. Энергия 1977г. 608 стр Книга К. Шимони "Физическая электроника" представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших эспериментально устновленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение важнейших физических идей, выдвинутых в этой области физической науки, для объяснения принципов д...

Резисторы. Классификация. Основные параметры постоянных резисторов. Частотные свойства резисторов. Собственные шумы резисторов. Особенности работы резисторы в импульсивных режимах. Резисторы общего назначения Резисторы интегральных схем. Резисторы постоянные проволочные. Металлофольговые резисторы. Переменные резисторы. Конструкции переменных резисторов, их особенности. Конденсаторы. Классификация конденсаторов. Конденсаторы с неорганическим диэл...

Атом. Корпускулярно-волновые свойства материи. Постулат Бора. Соотношение неопределённостей. Квантовые числа. Рентгеновские лучи. Закон Мозли. Рентгеноспектральный анализ. Рентгеноструктурный анализ. Понятие о квантовой механике. Классическая квантовая статистика. Распределение Больцмана. Опыт М. Борна по определению длины свободного пробега. Формула Сёзерленда. Длина свободного пробега электрона. Рассеивание электронного пучка. Квантовая статис...

Вопросы по ФОПП (ФОЭ) Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы. Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы. Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Пробой р-п-перехода. Типы полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды, их характеристики и параметры. Типы...

Преподаватель - Сафинов Ш. С. Шпоры сделаны по лекциям. То есть - сканы, редактирование, размещение. Все в формате JPG. Есть вариант который резать, есть полно-размерные картинки, рассованные в папки. Вопросы: Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимоств. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла....

УГАТУ, ФИРТ, САУ, УТС, УК,2курс,4семестр. шпора для экзамена. Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимости. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. ВАХ р-n-перехода. Влияние температуры. Пробой р-n-перехода.. Виды полупроводниковых диодов. Выпрямительные...

Монография, Ленинград:. Главная редакция физико-математической литературы изд-ва «Наука», 1977 г. Книга посвящена вторично-эмиссионным методам исследования поверхностных и объемных свойств твердого тела. В основе этих методов лежат разнообразные физические явления, наблюдаемые при взаимодействии с твердым телом электронов малых и средних энергий (от 1 эВ до 100 кэВ). В книге рассматриваются физические основы методов дифракции медленных электронов...

Содержатся экзаменационные билеты, которые предлагаются студентам специальности 140604 ЭАПУ, УрФУ, на экзамене по соответствующей дисциплине.

Лекции по электронике, МИСиС, Россия, Еременко Ю.И., 2004 г., 9 стр. Постоянный электрический ток. Электрические цепи, элементы электрических цепей. Электрический ток, его характеристики. Закон Ома. Соединение резисторов в электрической цепи. Элементы конфигурации электрических цепей. Узел. Ветвь. Контур. Закон Кирхгофа. Второй закон Кирхгофа. Цепи переменного синусоидального тока. Цепи переменного синусоидального тока с активными и реактивными э...

НИУ ИТМО, Санкт-Петербург, 2012 год, 3 страницы, преп. Дмитриев А.Л. Теория. Диод Ганна. Применение. Ссылки на источники.

Методические указания. — Ухта: УГТУ, 2013. — 23 с., ил. З.Х. Ягубов, Л.П. Бойченко, И.А. Дементьев, П.С. Шичёв. Методические указания и контрольные задания предназначены для выполнения контрольных работ по дисциплине «Физические основы электроники» для бакалавров-заочников II курса по направлению «Электроэнергетика и электротехника» (140400). В методических указаниях даётся задание на выполнение контрольных работ и формулируются требования к их...

Учебное пособие. - З. Х. Ягубов , С. В. Горшков. Ухта: УГТУ, 2002. - 99с., ил. ISBN 5-88179-387-0 Учебное пособие предназначено для студентов специальности 180400 - «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» и направления бакалавра 551300 - «Электротехника, электромеханика и электротехнологии».

- З. Х. Ягубов, И. А. Тарасенко. - Ухта: УГТУ, 2001. - 22 с., ил. Методические указания и контрольные задания предназначены для выполнения контрольных работ по дисциплине "Физические основы электроники" для студентов II курса ФБО "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" В методических указаниях даётся задание на выполнение контрольных работ, и формулируются требования к оформлению. Приводятся примеры расч...

Springer, 2010. 900 p. ISBN: 3642138837 The Physics of Semiconductors provides material for a comprehensive upper-level-undergraduate and graduate course on the subject, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of solid-state and semiconductor physics, on the one hand, and the principles of various semiconductor devices and their a...

Academic Press, 2001, 964 pages Low Temperature Electronics: Physics, Devices, Circuits, and Applications summarizes the recent advances in cryoelectronics starting from the fundamentals in physics and semiconductor devices to electronic systems, hybrid superconductor-semiconductor technologies, photonic devices, cryocoolers and thermal management. Furthermore, this book provides an exploration of the currently available theory, research, and te...

InTech. 2011. 558 p. Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high temperatures and under high voltages pushes SiC on the verge of becoming the material of choice for high power electronics and optoel...

3rd edition. Wiley-Interscience, 2006. - xv, 781 p. Contents Resistivity Carrier and Doping Density Contact Resistance and Surface Barriers Series Resistance, Channel Length and Width, and Threshold Voltage Defects Oxide and Interface Trapped Charge, Oxide Thickness Carrier Lifetimes Mobility Charge-Based and Probe Characterization Optical Characterization Chemical and Physical Characterization Reliability and Failure Analysis Edito...