Лабораторная работа - Определение эффективного времени жизни полупроводников

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительных схем на базе ОУ, определение параметров. Нахождение частот и напряжений. Работа без графиков.

Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" доц. Савиных В. Л.

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лабораторная работа "Моделирование электрических полей в электронных устройствах" по дисциплине ФОЭ. Пожалуй, самая тяжелая из всех на курсе. С отличным выводом.

Методическое пособие к вып. лаб. работ по курсу "Физические основы электроники ". ВГАВТ, Н.Новгород, 2002. В методическом пособии изложены общие вопросы из курса "Физические основы электроники" и приведена методика выполнения лабораторных работ. Содержание: Краткие теоретические сведения Лабораторная работа №1. Изучение контрольно-измерительной аппаратуры. Лабораторная работа №2. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n пер...

Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.rn

Элементы зонной теории твёрдого тела. Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа. Понятие об энергетических уровнях и зонах. Кристаллическая решетка. Свойства полупроводников. Собственный полупроводник. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике. Функция распределения Ферми-Дирака. Вероятность распределения электронов по энерг. уровням. Уровни Ферми. Эффективные массы электрона и дырки. Примесные полупроводники....

Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных р...