Лабораторная работа №5

Лабораторная работа по физическим основам электроники- Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами УГАТУ, АП курс - 2. для специальностей МКС, РТ, СПР.2009 год

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев Г. Я. Получение опытным путем входных и выходных статических характеристик схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам. Работа без графиков

Пгту, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительного каскада, задание режима покоя (рабочей точки) транзистора, исследование амплитудной и амплитудно-частотной характеристик усилителя, определение параметров усилителя. Работа без графиков.

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительных схем на базе ОУ, определение параметров. Нахождение частот и напряжений. Работа без графиков.

Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

МГОУ. Вакуумная и плазменная электроника. Иванов В. В. Две оформленные лабораторные работы с расчетами, графиками, схемами и выводами. Зачет.

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" доц. Савиных В. Л.

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Методическое пособие к вып. лаб. работ по курсу "Физические основы электроники ". ВГАВТ, Н.Новгород, 2002. В методическом пособии изложены общие вопросы из курса "Физические основы электроники" и приведена методика выполнения лабораторных работ. Содержание: Краткие теоретические сведения Лабораторная работа №1. Изучение контрольно-измерительной аппаратуры. Лабораторная работа №2. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n пер...