Лабораторная работа - Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами

Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

Рассматриваются физические принципы работы полупроводни-ковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключа-тельных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабора-торных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев Г. Я. Получение опытным путем входных и выходных статических характеристик схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам. Работа без графиков

1) изучение свойств плоскостных р-n переходов путем практического снятия и исследования их вольтамперных характеристик; 2) исследование влияния на свойства р-n перехода температуры.

Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" доц. Савиных В. Л.

Лабораторная работа "Моделирование электрических полей в электронных устройствах" по дисциплине ФОЭ. Пожалуй, самая тяжелая из всех на курсе. С отличным выводом.

Методическое пособие к вып. лаб. работ по курсу "Физические основы электроники ". ВГАВТ, Н.Новгород, 2002. В методическом пособии изложены общие вопросы из курса "Физические основы электроники" и приведена методика выполнения лабораторных работ. Содержание: Краткие теоретические сведения Лабораторная работа №1. Изучение контрольно-измерительной аппаратуры. Лабораторная работа №2. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n пер...

Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с. ISBN 5-89146-600-0 Рассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины. Рассмотрены также основные операции изготовления гибридных интегральных микросхем. Пособи...