Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с. ISBN 5-89146-600-0
Рассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины. Рассмотрены также основные операции изготовления гибридных интегральных микросхем.
Пособие предназначено для студентов специальности 21020165, изучающих вопросы технологии электронных средств.
Содержание.
Общие сведения о технологии интегральных микросхем.
Классификация интегральных микросхем по технологии их изготовления.
Особенности формирования структуры полупроводниковой ИМС на примере эпитаксиально-планарного транзистора.
Общая характеристика технологического процесса изготовления полупроводниковых ИМС.
Физико-химические основы технологии выращивания монокристаллического кремния
Получение поликристаллического кремния.
Выращивание монокристаллических слитков кремния методом Чохральского.
Получение монокристаллического кремния методом бестигельной зонной плавки.
Физико-химические основы технологии полупроводниковых интегральных микросхем
Эпитаксиальные процессы в технологии полупроводниковых интегральных микросхем.
Формирование диэлектрических слоев на поверхности кремния.
Формирование структур методом диффузии.
Формирование структур методом ионной имплантации.
Ядерное (трансмутационное) легирование кремния.
Процессы в кремниевых структурах, стимулированные лазерным излучением.
Процессы в кремниевых структурах, стимулированные радиационными дефектами.
Литографические процессы в технологии электронных средств.
Травление.
Физико-химические основы технологии гибридных интегральных микросхем.
Термовакуумное напыление тонких пленок.
Ионно-плазменные методы получения тонких пленок.
Технология толстопленочных ГИС.
Физико-химические процессы в металлических проводниках и контактах.
Металлы и сплавы, применяемые в технологии электронных средств.
Электромиграция ионов в металлических проводниках.
Диаграммы состояния бинарных сплавов.
Рассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины. Рассмотрены также основные операции изготовления гибридных интегральных микросхем.
Пособие предназначено для студентов специальности 21020165, изучающих вопросы технологии электронных средств.
Содержание.
Общие сведения о технологии интегральных микросхем.
Классификация интегральных микросхем по технологии их изготовления.
Особенности формирования структуры полупроводниковой ИМС на примере эпитаксиально-планарного транзистора.
Общая характеристика технологического процесса изготовления полупроводниковых ИМС.
Физико-химические основы технологии выращивания монокристаллического кремния
Получение поликристаллического кремния.
Выращивание монокристаллических слитков кремния методом Чохральского.
Получение монокристаллического кремния методом бестигельной зонной плавки.
Физико-химические основы технологии полупроводниковых интегральных микросхем
Эпитаксиальные процессы в технологии полупроводниковых интегральных микросхем.
Формирование диэлектрических слоев на поверхности кремния.
Формирование структур методом диффузии.
Формирование структур методом ионной имплантации.
Ядерное (трансмутационное) легирование кремния.
Процессы в кремниевых структурах, стимулированные лазерным излучением.
Процессы в кремниевых структурах, стимулированные радиационными дефектами.
Литографические процессы в технологии электронных средств.
Травление.
Физико-химические основы технологии гибридных интегральных микросхем.
Термовакуумное напыление тонких пленок.
Ионно-плазменные методы получения тонких пленок.
Технология толстопленочных ГИС.
Физико-химические процессы в металлических проводниках и контактах.
Металлы и сплавы, применяемые в технологии электронных средств.
Электромиграция ионов в металлических проводниках.
Диаграммы состояния бинарных сплавов.