• формат djvu
  • размер 5.05 МБ
  • добавлен 09 февраля 2010 г.
Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута (Bi2Te3)
Полупроводниковые термоэлектрические материалы на оенове Bi2Te3, Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Изд. -во «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, 1972.

В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi2Te3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей.
Большое внимание уделено общим вопросам технологии получения сложных соединений, исследованию фазовых диаграмм, введению примесей, гомогенизации.
Подробно рассмотрены такие имеющие большое практическое значение проблемы, как возникновение микропеоднородностей при кристаллизации и их влияние на термоэлектрические свойства. Описаны основные практические применения твердых растворов на основе Bi2Te3
Рис. 188, табл. 34, библ. 467 назв.
Смотрите также

Бурштейн А.И. Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств

  • формат djvu
  • размер 1.42 МБ
  • добавлен 18 февраля 2011 г.
М. Физматлит. 1962. 136 с. Введение Стационарный тепловой поток в проводящем стрежне Термоэлектрическое охлаждение Термоэлектрический подогрев Термоэлектрические генераторы

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники (конспект лекций)

  • формат pdf
  • размер 7.67 МБ
  • добавлен 30 ноября 2011 г.
Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Пленочные термоэлементы: физика и применение

  • формат djvu
  • размер 6.28 МБ
  • добавлен 18 февраля 2011 г.
М. Наука. 1985. 233 с. Теория явлений переноса и методы их исследования в полупроводниковых пленках Влияние технологии получения пленок термоэлектрических материалов на их свойства Исследование электро- и теплофизических свойств термоэлектрических пленок Пленочные термобатареи и их использование в метрологии

Лабораторные работы по ФОЭ

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 338.91 КБ
  • добавлен 22 мая 2009 г.
Полупроводниковые диоды. стабилитроны. однополупериодные и двухполупериодные выпрямители. исследование биполярного транзистора.

Левитский С.М. Радиоэлектроника

  • формат doc, docx, tif
  • размер 6.81 МБ
  • добавлен 22 июня 2011 г.
Курс лекций С. М. Левитского(заслуженного профессора АН Украины и КНУ имени Тараса Шевченка ) по радиоэлектронике. Правда вот на украинском языке. Содержание: - полупроводниковые устройства. - генераторы электрических сигналов. - усилители. - принципы радиосвязи. - элементы и узлы радиоустройств.

Лекции - Полупроводники

Статья
  • формат pdf
  • размер 5.91 МБ
  • добавлен 02 ноября 2011 г.
Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.

Лекция - Сложные полупроводники (Материалы и элементы электротехники)

Статья
  • формат doc
  • размер 117.04 КБ
  • добавлен 21 октября 2009 г.
Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

Маругин А.П., Меженный Е.В. Физические основы электроники часть 2

Практикум
  • формат pdf
  • размер 919.74 КБ
  • добавлен 23 февраля 2011 г.
УГГУ Екатеринбург 2010 Методические указания по дисциплине «Физические основы электроники» составлены в соответствии с программой курса и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилитель-ные устройства» и «Импульсная техника». Расчетные задания предназначены для развития у студентов специальности 140604 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологиче-ских комплексов» (ЭГП)...

Ружников В.А. Электронно-дырочный переход

  • формат pdf
  • размер 400.4 КБ
  • добавлен 01 января 2012 г.
Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Физические основы микроэлектроники (ФОМ)

  • формат pdf
  • размер 1.01 МБ
  • добавлен 19 января 2007 г.
Электроника и микроэлектроника, схемотехника. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые структуры. Электронные усилители и генераторы. Импульсная техника.