Зятьков И.И., Максимов А.И., Мошников В.А. Сенсоры на основе полевых транзисторов

формат djvu
размер 1.56 МБ
добавлен 06 июня 2011 г.

Санкт-Петербург, издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002. - 56 с.
Учебное пособие
ISBN 5-7629-0474-1
Рассмотрены основные понятия и закономерности в области электродных явлений и мембранного транспорта, а также принципы работы и конструкции сенсоров на основе МДП-транзисторов.
Рекомендуется студентам, обучающимся по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и магистрантам специализации 553122 "Физика сенсорных материалов и устройств"
1. Физико-Химические основы природы ионоселективности
Равновесные электродные процессы и электродвижущие силы
Классификация электродов
Определение pH растворов
Ионоселективные электроды и мембранный транспорт
2. Принцип работы сенсора на полевом транзисторе
МДП-структура
МДП-транзистор
МДП-конденсатор
3. Разновидность сенсоров на полевых транзисторах
Особенности конструкции и технологии сенсоров на полевых транзисторах
Химически чувствительные полевые транзисторы с иммобилизованным ферментом (ФПТ)
Сенсоры на полевых транзисторах с палладиевым затвором (PdПТ)
Иммунохимически чувствительные полевые транзисторы
Сканированая копия 200dpi

Смотрите также

Использование МОП-транзисторов

формат doc
размер 656.5 КБ
добавлен 20 января 2010 г.

Курсовая работа - Использование МОП-транзисторов. СумДУ, Опанасюк О. О. , 27 страниц. Содержание: Введение. теория полупроводников. моп – Транзисторы. использование моп – Транзисторов. выводы. литература.

Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы

формат djvu
размер 3.12 МБ
добавлен 27 марта 2010 г.

Минск: Наука и техника, 1986 г. , 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные изменения свойств полупроводниковых материалов, так и процессы в отдельных...

Лабораторные работы - Биполярные, Полевые, Диоды, Усилители каскадов, Выпрямители

Лабораторная

формат doc
размер 7.78 МБ
добавлен 14 марта 2011 г.

ЧГУ им. И. Н. Ульянова 2 курс Биполярные-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усилительных каскадов с ОЭ и ОК. , полевые транзисторы-Схемы для исследований полевых транзисторов. ; Полупроводниковые диоды вольт амперные характеристики; Усилители каскадов-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усил...

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

формат pdf
размер 39.39 МБ
добавлен 26 марта 2011 г.

ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах

формат djv
размер 2.86 МБ
добавлен 19 января 2010 г.

Москва, Издательство "Радио и связь", 1990 год - 300 стр. ISBN 5-256-00496-4 В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация...

Расчетно-графическая работа - Исследование биполярных транзисторов

rgr

формат doc
размер 158 КБ
добавлен 19 декабря 2006 г.

Исследование биполярных транзисторов в схеме c общим эмиттером. Изучение статических вольтамперных характеристик и определение параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.

Расчетно-графическая работа - свойства биполярных и полевых транзисторов

Контрольная работа

формат doc
размер 116.08 КБ
добавлен 15 декабря 2010 г.

Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: построить линию нагрузки; построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; рассчитать для линейного (мало ис...

Росадо Л. (Rosado L.) Физическая электроника и микроэлектроника

формат djvu
размер 4.8 МБ
добавлен 05 декабря 2009 г.

Перевод с испанского С. И. Баскакова. Под редакцией проф. В. А. Терехва. Издательство "Высшая школа" 1991. 352 страницы. В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы интегральной технологии. Весь материал разбит на порции, включающие теоретически...

Шпоры по ФОЭ

Шпаргалка

формат rar
размер 38.32 МБ
добавлен 09 августа 2010 г.

УГАТУ, ФИРТ, САУ, УТС, УК,2курс,4семестр. шпора для экзамена. Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимости. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. ВАХ р-n-перехода. Влияние температуры. Пробой р-n-перехода.. Виды полупроводниковых диодов. Выпрямительные...

Шпоры по ФОЭ

pottee

формат jpg
размер 35.16 МБ
добавлен 28 сентября 2008 г.

Вопросы по ФОПП (ФОЭ) Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы. Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы. Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Пробой р-п-перехода. Типы полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды, их характеристики и параметры. Типы...