Москва, Издательство "Радио и связь", 1990 год - 300 стр. ISBN
5-256-00496-4
В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация о нешумовых характеристиках и параметров полупроводниковых приборов и материалов, а также о механизмах протекающих в них физических процессов содержится в результатах флуктуационных исследований и как она расшифровывается. Изложены методы шумовой спектроскопии уровней, а также методы экспериментального определения источников шума в электронных приборах.
Книга предназначена для научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, а также микросхем и приборов оптоэлектроники.
В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация о нешумовых характеристиках и параметров полупроводниковых приборов и материалов, а также о механизмах протекающих в них физических процессов содержится в результатах флуктуационных исследований и как она расшифровывается. Изложены методы шумовой спектроскопии уровней, а также методы экспериментального определения источников шума в электронных приборах.
Книга предназначена для научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, а также микросхем и приборов оптоэлектроники.