Монография посвящена теории явлений переноса, распространения
электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и
неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в
области физики полупроводников, а также для студентов физических
факультетов.
Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках
- формат tif
- размер 32.83 МБ
- добавлен 20 марта 2011 г.
Смотрите также
Воробьев Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах
- формат pdf
- размер 5.7 МБ
- добавлен 09 сентября 2010 г.
Санкт-Петербург, Издательство СПбГТУ, 1999г. Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях, функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и др. Проведены расчеты этих характеристик. Приведено сопоставление с экспериментом. Пособие ориентировано на образова...
Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута (Bi2Te3)
- формат djvu
- размер 5.05 МБ
- добавлен 09 февраля 2010 г.
Полупроводниковые термоэлектрические материалы на оенове Bi2Te3, Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Изд. -во «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, 1972. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi2Te3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое вн...
Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов
- формат djvu
- размер 4.58 МБ
- добавлен 15 октября 2010 г.
Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...
Зюганов А.Н., Свечников С.В. Инжекционно-Контактные Явления в Полупроводниках
- формат djvu
- размер 4.28 МБ
- добавлен 17 сентября 2011 г.
Киев, Наукова Думка, 256 стр., 1981 г. Изложена физика инжекционно-контактные явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с уче...
Контрольная работа - Физические основы микроэлектроники
Контрольная работа- формат pdf
- размер 320.31 КБ
- добавлен 08 января 2011 г.
РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант 30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"
Лекции - Полупроводники
Статья- формат pdf
- размер 5.91 МБ
- добавлен 02 ноября 2011 г.
Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.
Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах
- формат djv
- размер 2.86 МБ
- добавлен 19 января 2010 г.
Москва, Издательство "Радио и связь", 1990 год - 300 стр. ISBN 5-256-00496-4 В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация...
Савиных В.Л. Физические основы электроники
- формат doc
- размер 685.88 КБ
- добавлен 26 августа 2009 г.
Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...
Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н. Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках
- формат pdf
- размер 1.06 МБ
- добавлен 11 марта 2011 г.
Учебное пособие. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с. Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология получения расчетных оценок амплитудно-временных характеристик импульс...
Шпоры по ФОЭ
Шпаргалка- формат rar
- размер 38.32 МБ
- добавлен 09 августа 2010 г.
УГАТУ, ФИРТ, САУ, УТС, УК,2курс,4семестр. шпора для экзамена. Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимости. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. ВАХ р-n-перехода. Влияние температуры. Пробой р-n-перехода.. Виды полупроводниковых диодов. Выпрямительные...