Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с
Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов
Содержание.
Введение.
Основы теории электропроводности полупроводников.
Общие сведения о полупроводниках.
Полупроводники с собственной проводимостью.
Полупроводники с электронной проводимостью.
Полупроводники с дырочной проводимостью.
Токи в полупроводниках.
Дрейфовый ток.
Диффузионный ток.
Контактные явления.
Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия.
Прямое включение p-n перехода.
Обратное включение p-n перехода.
Теоретическая характеристика p-n перехода.
Реальная характеристика p-n перехода.
Ёмкости p-n перехода.
Разновидности p-n переходов.
Гетеропереходы.
Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
Контакт металла с полупроводником.
Омические контакты.
Явления на поверхности полупроводника.
Полупроводниковые диоды.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Общие сведения.
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Схема с общей базой.
Схема с общим эмиттером.
Влияние температуры на статические характеристики БТ.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов.
Работа транзистора в усилительном режиме.
Особенности работы транзистора в импульсном режиме.
Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды.
Работа транзистора в режиме переключения.
Переходные процессы при переключении транзистора.
Полевые транзисторы.
Полевой транзистор с p-n переходом.
Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор).
Литература.
Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов
Содержание.
Введение.
Основы теории электропроводности полупроводников.
Общие сведения о полупроводниках.
Полупроводники с собственной проводимостью.
Полупроводники с электронной проводимостью.
Полупроводники с дырочной проводимостью.
Токи в полупроводниках.
Дрейфовый ток.
Диффузионный ток.
Контактные явления.
Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия.
Прямое включение p-n перехода.
Обратное включение p-n перехода.
Теоретическая характеристика p-n перехода.
Реальная характеристика p-n перехода.
Ёмкости p-n перехода.
Разновидности p-n переходов.
Гетеропереходы.
Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
Контакт металла с полупроводником.
Омические контакты.
Явления на поверхности полупроводника.
Полупроводниковые диоды.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Общие сведения.
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Схема с общей базой.
Схема с общим эмиттером.
Влияние температуры на статические характеристики БТ.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов.
Работа транзистора в усилительном режиме.
Особенности работы транзистора в импульсном режиме.
Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды.
Работа транзистора в режиме переключения.
Переходные процессы при переключении транзистора.
Полевые транзисторы.
Полевой транзистор с p-n переходом.
Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор).
Литература.