Физика полупроводников

Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притяги...

Баку: ЭЛМ, 1971.-246 с Исследования физических процессов, происходящих на электронно-дырочных переходах полупроводников, расширенное представление о распределении квантовых энергетических уровней электронов, об их освобождении-связывании, инжекции-экстракции и законах движения в твердом теле и управление этими процессами.

М.: Радио и связь, 1989. 152 с Книга посвящена изучению статических характеристик полупроводниковых диодных структур с целью поиска новых практических удобных методов их расчета. В ней изложены результаты исследований исходных уравнений, описывающех вольт-амперные характеристики, на основе математического анализа с графическим представлением полученых результатов. В книге также приводятся результаты исследований влияния температуры среды и каэффи...

Пенза: Пензенский гос. ун-т, 2004. - 35 стр. Методические указания к лабораторной работе по физике. Подготовлены кафедрой микроэлектроники ПГУ и предназначены для студентов специальностей 200100, 220500, 230300, 190700 при изучении дисциплин Материалы электронной техники и основы микроэлектроники, Твердотельная электроника, Радиоматериалы и радиодетали, Измерения и контроль в микроэлектронике при выполнении УИРС, курсового и дипломного проектиров...

Пенза: Пензенский гос. ун-т, 2004. - 35 стр. Методические указания к лабораторной работе по физике. Подготовлены кафедрой микроэлектроники ПГУ и предназначены для студентов специальностей 200100, 220500, 230300, 190700 при изучении дисциплин "Материалы электронной техники и основы микроэлектроники", "Материалы в приборостроении", "Радиоматериалы и радиодетали" при выполнении УИРС, курсового и дипломного проектирования.

Учебно-методическое пособие. — СПб.: КМЦ ФФ, 2007. — 133 с. В учебно-методическом пособии рассмотрены строение электронных зон основных групп полупроводниковых кристаллов, взаимодействие света с кристаллами, экситонные эффекты, воздействие внешних полей, особенности оптических свойств низкоразмерных кристаллических структур, основные типы полупроводниковых устройств, применяемых в оптоэлектронике. Пособие предназначено для студентов 5–7-го курсов...

Учебное пособие. 2-е изд., испр. — СПб.: Издательство «Лань», 2012. — 240 с.: ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература) ISBN 978-5-8114-1290-7 Представлена технология и техника производства полупроводниковых материалов, имеющих широкое применение в электронной промышленности. Рассмотрены основные физические и химические свойства элементарных полупроводников и компонентов бинарных соединений, необходимые для обоснования рациональных прием...

Учебное пособие для студентов вузов оптических приборостроительных специальностей — СПб.: Политехника, 1994. — 248 с.: ил. — ISBN 5-7323-0248-3. В учебном пособии излагаются основы физики полупроводников, рассматриваются их оптические свойства. Дается описание базовых принципов и основных характеристик полупроводниковых оптических приборов: лазеров и светодиодов, фотоприемников и преобразователей, элементов направленной передачи излучения и др. К...

Н. Новгород: ННГУ, 2011. - 88 с. Раздел 1. Зонная структура германия, кремния и арсенида галия Раздел 2. Движение электронов в кристалле в слабых полях Движение в однородном электрическом поле Понятие дырки Мелкие примеси в полупроводниках Движение в слабом магнитном поле Раздел 3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Нахождение химического потенциала Концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне Концентр...

Монография. - Баку, Элм, 2007. - 286 с. Монография посвящена размытию ФП в полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках. В ней охвачены основные аспекты физики размытых ФП и содержится большое количество экспериментальных данных, указывающих на сильное размытие ФП в халькогенидах серебра и меди, а также высокотемпературных СП. Большое внимание уделено определению распределения сосуществующих фаз в области ФП, температурной постоянной Ф...

Горький: ИПФ, 1983. - 230 с. В сборнике обсуждаются инвертированные распределения горячих электронов в полупроводниках - сравнительно новая и развивающаяся область физики полупроводников, содержатся статьи, посвященные анализу условий возникновения таких распределений, методам численного и экспериментального их исследования, возможности использования систем с такими распределениями в активных системах субмиллиметрового и дальнего ИК-диапазонов. С...

Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения тока). Для чтения книги требуется знакомство с математикой, квантовой механикой и статической физикой в объеме программ физическо...

Издание 2-ое. Учебник. Москва, 1978, 616 стр. с иллюстрациями Из предисловия к первому изданию Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения тока). Для чтения книги требуется...

Москва, Издательство "Наука", 1985 год - 320 стр. Книга посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в проводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано - и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в...

М. Мир. 1980. 208 с. В книге кратко и вместе с тем достаточно ясно излагаются основы теории фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Описаны также свойства важнейших полупроводниковых материалов и фотоэлектрические полупроводниковые элементы схем. Рассчитана на научных работников, инженеров и студентов, интересующихся физикой полупроводников и вопросами их практического применения.

К: "Інтерпрес ЛТД", 1997. - 240 c. Монокристаллический кремний. Кислород - основная фоновая примесь в монокристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского. Свойства кислорода в кремнии. Электрически активные кислородные комплексы в термообработанном кремнии. Преципитация кислорода в кремнии.

Под общей редакцией П.И. Баранского Киев: Наукова думка, 1977. - 270 с. Применение полупроводников в науке и технике в подавляющем большинстве случаев основано на использовании их электрических и гальваномагнитных свойств, которые связаны с направленным движением носителей заряда и процессами их рассеяния в решетке кристалла. В анизотропных полупроводниках рассеяние тока анизотропно. При таком рассеянии вероятность переходов зависит не только от...

Учебное пособие. М.: НИЯУ МИФИ, 2013. — 124 с. — ISBN 978-5-7262-1872-4. Рассмотрено влияние радиации на современные и перспективные изделия СВЧ-диапазона, выполненные на основе таких наногетероструктурных технологий, как нитрид галлия и арсенид галлия, а также полупроводниковое соединение «кремний-германий». Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Электроника и автоматика физических установок». Содержание. Предисловие. Базовые...

Москва, Издательство "Наука", 1978 год - 285 стр. В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строи...

Москва, Издательство Наука , 1978 год - 285 стр В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строится...

М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1989. - 288 с. Благодаря достижениям полупроводниковой технологии в настоящее время возможно создание многослойных периодических структур. Важным классом последних являются полупроводники со сверхрешётками, обладающие уникальными свойствами и поэтому весьма перспективные в плане практических приложений. С единых позиций исследуются электромагнитные свойства полупроводников со сверхрешётками, находящихся во внеш...

Ленинград: Наука, 1968.-180 с В книге описаны основные типы управляемых полупроводниковых емкостей (барьерная, диффузионная, поверхностная), зависимость емкости от напряжения, частоты, температуры, освещения. Рассмотрены важнейшие параметры варикапов (рабочий диапазон частот, нелинейность, рабочий интервал температур, шумы), а также основные режимы работы варикапов в схемах. Издание рассчитано на широкий круг специалистов, занимающихся изучением,...

Л.: Наука, 1972. 104 c В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования полупроводниковых материалов и приборов. Рассмотрено определение концентрации примесей и электрического поля в p-n-переходах и параметров сложных эквивалентных схем. Описаны методы определения параметров глубоких примесных уровней, обусловленных как примесями, вводимыми в полупроводник, так и радиационными дефектами. Емкостные методы, описанные в книге, о...

Москва: Гос.издат. физ-мат.лит., 1963.— 88 с. В книге рассмотрены основы электроники нелинейной полупроводниковой емкости, зависимость емкости от напряжения, температуры, частоты, а также основные параметры нелинейной полупроводниковой емкости как радиоэлектронного прибора. Рассмотрена работа емкости как элемента схемы, сформулированы требования, предъявляемые к параметрам нелинейной емкости в различных режимах. Книга рассчитана на инженерно-техн...

Л.: «Наука», 1981. — 176 с. OCR В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах и приборах. Рассмотрены определение параметров глубоких центров и профиля их концентрации, идентификация неконтролируемых глубоких центров, кинетика образования и отжига радиационных дефектов. Теоретический анализ сочетается с примерами из различных областей физики полупроводников и полупроводник...

Под ред. Д.В. Чепура. — Львов: Вища школа, Львовский университет, 1983. — 184 с. Монография посвящена вопросам физики, химии и технологии некоторых сложных полупроводниковых материалов. Рассмотрены методы синтеза и выращивания монокристаллов, основные физико-химические характеристики и возможности практического применения сложных халькогенидов и халькогалогенидов в нелинейно-оптических устройствах, аккустооптике, электрооптике и других отраслях с...

В книге подробно изложены разделы теории групп, которые находят применение в физике твердого тела, и методы расчета спектров электронов и фононов вблизи особых точек, основанные на использовании теории групп, а также рассмотрены деформационные эффекты в полупроводниках, т. е. эффекты, возникающие при деформациях, нарушающих симметрию кристалла. Подробно изложен ряд вопросов, касающихся применения теории групп в физике твердого тела. Сюда относятс...

Учеб. пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2005. 113стр. Пособие соответствует государственому образовательному стандарту по дисциплине "Физико-химические основы технологии полупроводников" для студентов, обучающихся по программе бакалавров по направлению 550100 - "Техническая физика" Предназначено для студентов физико-технического факультета.

М.: Главная редакция физико-математической литературы издательства «Наука», 1976. — 416 с. Книга посвящена полупроводниковым лазерам — эффективным и компактным источникам когерентного излучения, имеющим перспективы широкого практического применения. Основное место в книге уделяется инжекционным лазерам и лазерам с возбуждением быстрыми электронами. Во Введении дается краткий обзор характеристик и сводка полупроводниковых материалов, используемых...

Харьков: Основа, 1992. - 176с. Пособие посвящено физическим процессам в полупроводниках и полупроводниковых приборах, физическим основам преобразования солнечной энергии в электрическую. Большое внимание уделено физике явлений, полное исследование которых проводится с помощью простых математических средств. Описаны новые методические приемы, отработанные в процессе лекций. Для студентов экспериментальных физических, инженерно-физических, физико-т...

Воронеж. 2003, 31с. Аннотация: Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлетроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендовано для студентов 3 курса физического факультета. Содержание: Введение Распределение квантовых состояний в зонах Распределение Ферми-Дирака Концентрация электронов и дырок в зонах Концентрация носителей заряда на локальных уровнях Определение положения уровня Ф...

Главная редакция физико-математической литературы изд-ва «Наука», 1972 г. – 415 c. Книга посвящена изложению современных представлений о доменной электрической неустойчивости, возникающей при определенных условиях в полупроводниках с горячими электронами. Это явление, открытое и исследованное в последние семь лет, вызывает широкий интерес как в связи с возможными практическими приложениями (генераторы Ганна и т. п. ). так и в принципиальном отнош...

1981, 383 с. Книга содержит изложение основных представлений современной теории неупорядоченных полупроводников. Подробно обсуждаются новые идеи, возникшие в связи с изучением движения частиц в случайных полях, характеристики которых заданы только статистически (идея о «самоусредняющихся» величинах, локализация электронов в случайных потенциальных ямах и другие). Выясняется, какие представления стандартной зонной теории сохраняют силу и в примене...

1977, 678 с. Эта книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на физических факультетах университетов и в физико-технических институтах.

Москва: МИР, 1977. - 678 с. (интерактивное оглавление, OCR-нет) Эта книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на физических факультетах университетов и в...

Київ, НТУУ "КПІ", 2012. - 454 с. Загальні відомості з фізики напівпровідників Електричні переходи між напівпровідниками Напівпровідникові діоди Біполярні транзистори Тиристори Польові транзистори Прилади на нанорозмірних і квантових ефектах Оптоелектронні напівпровідникові прилади Навчальний посібник для студентів, які навчаються за напрямом “Електроніка”, широкого загалу спеціалістів у галузі твердотільної електроніки і мікроелектроніки. Розглян...

Учебное пособие для студентов 3 курса физического факультета Воронежского гос. университета. Кафедра физики полупроводников и микроэлектроники. Воронеж: 2003, 33 стр. Содержание. Основные предположения зонной теории. Волновая функция электрона в периодическом поле. Зоны Бриллюэна. Методы расчета энергетической структуры кристаллов. Модель Кронига - Пенни. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники. Практические задания.

Воронеж: ВГУ, 2002. - 23 с. Настоящее пособие является продолжением учебно-методических материалов по физике полупроводников, в котором рассмотрены объемные свойства полупроводниковых материалов и методы их исследования. В пособии рассмотрена классификация поверхностных электронных состояний, дано введение в феноменологическую теорию поверхности и описание основных поверхностных свойств полупроводников. Особое внимание уделено моделированию важн...

Пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 419 с. Коллективная монография, написанная ведущими специалистами США, Великобритании, ФРГ, Бельгии и Франции. Освещены все основные направления исследований в области физики аморфного состояния - от проблем теоретического описания электронного спектра, кинетических и оптических свойств до проблем изготовления солнечных батарей на основе аморфных полупроводников. Для специалистов, работающих в области физики неупор...

Тамбов. Изд-во ТГУ, 2002, 80 с. Учебное пособие посвящено резистивным и магнитным материалам на основе окислов переходных металлов. В пособии рассматриваются кристаллическая структура и существующие теории механизма проводимости 3d-окислов и методы синтеза оксидных полупроводников с заданными значениями электросопротивления и температурного коэффициента сопротивления. Даны основы теории магнетизма ферритов, основные типы магнитных высокочастотных...

Монография. — Ленинград: Наука, 1979. — 184 с. Фазовый переход металл-полупроводник в соединениях переходных металлов Механизмы фазового перехода металл-полупроводник Свойства V2O3 Фазовый переход металл-полупроводник в двуокиси ванадия Окиснованадиевый ряд Магнели VnO2n-1 (n=3--8) Фазовый переход в соединениях титана, железа, никеля, хрома Феноменологические особенности фазового перехода металл-полупроводник Применение фазового перехода металл-...

Препринт ИМК-90- 8. - Харьков: ВНИИ монокристаллов. - 1990. -31с. Приведены результаты цикла исследований, где на примере органических монокристаллов стильбена показано, что введение в расплав электроноакцепторных примесей позволяет регулировать степень структурного совершенства, а следовательно, изменять структурные, полупроводниковые и люминесцентные характеристики выращиваемых кристаллов. Обсуждаются физические процессы, обуславливающие эти из...

М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. - 399 с. (Программа "Университеты России"). - ISBN 5-211-03487-2 Рассмотрены особенности протекания генерационно-рекомбинационных (ГР) процессов в полупроводниковых структурах, содержащих область пространственного заряда, в частности вопросы поведения кинетических коэффициентов, описывающих ГР в сильных электрических полях и с учетом электрон-фононного взаимодействия. Разбираются различные аспекты данных процессов пр...

М.: Издательство иностранной литературы, 1962.- 559 с. Настоящая книга, написанная известным американским специалистом в области фотопроводимости и люминесценции Р. Бьюбом, является первой в мировой литературе монографией, в которой достаточно полно и последовательно излагаются все основные аспекты фотопроводимости. Основное внимание автор уделяет физической сущности рассматриваемых явлений и тех теоретических представлений, которые привлекаются...

М., Физматгиз, 1963, - 264 с. В книге изложены физические представления о действии электромагнитного и корпускулярных излучений на полупроводники. Рассмотрены процессы поглощения электромагнитного излучения, фотоионизация и ионизация при прохождении заряженных частиц высокой энергии, а также основные типы процессов рекомбинации, приводящей к возвращению возбужденного излучением кристалла в исходное равновесное состояние. В отдельной главе содержа...

Успехи физических наук - июнь 1959 - т. LXVIII вып. 2 - с. 247- 260. В настоящем обзоре излагаются основные теоретические представления об излучательной рекомбинации в полупроводниках и экспериментальные результаты, полученные до конца 1958 г.

2е изд. — М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988. — 192 с. Изложены основные представления о физических явлениях, приводящих к изменениям электрических, оптических и других свойств полупроводников под воздействием электромагнитного излучения, быстрых заряженных частиц и нейтронов. Основное внимание обращено на анализ первичных процессов, таких, как фотоионизация и ионизация заряженными частицами, внедрение ускоренных ионов примесей (ионная импл...

Диссертация д.т.н., специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Томск, Томский политехнический университет, 2014. – 325 с. Исследовательские ядерные реакторы (ИЯР) как инструмент для радиационной обработки материалов обладают большим потенциалом. В настоящее время накоплен опыт их успешного применения во многих технологиях модификации твёрдых тел: при получении материалов с заданными свойствами, в производстве радиофармпрепаратов...

Учебное пособие. — Томск: Изд-во Том. ун-та, 1987. — 222 с. В учебном пособии рассмотрены основные закономерности поглощения электромагнитного излучения в полупроводниках. Даётся детальное описание различных видов поглощения (собственное, экситонное, примесное, свободными носителями заряда и атомами кристаллической решётки) и иллюстрируются возможности оптических методов для определения фундаментальных параметров полупроводников. Значительное вни...

М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987. - 432 с. Подводится итог 40-летней работы автора и его сотрудников в области физикохимии поверхности полупроводников. Книга носит энциклопедический характер. Автор раскрывает механизм процессов, протекающих на поверхности полупроводников. Дается сводка экспериментальных результатов в науке о поверхности. Полно и систематически изложена электронная теория хемосорбции и катализа. Для физиков, работающих в о...

М.: Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1947. — 353 с. В монографии рассматриваются с некоторой единой точки зрения разнообразные электронные процессы, развивающиеся в реальных кристаллах.В книге даётся сводка экспериментального материала, хотя в основном книга носит теоретический характер. Она предназначена для физиков-экспериментаторов и инженеров, занимающихся электрическими свойствами твёрдых тел.

Санкт-Петербург, Издательство СПбГТУ, 1999г. Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях, функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и др. Проведены расчеты этих характеристик. Приведено сопоставление с экспериментом. Пособие ориентировано на образова...

Учеб. пособие / Под ред. Л. Е. Воробьева. - СПб.: Наука, 2000. - 160 с., ил. 73 (Серия учебных пособий "Новые разделы физики полупроводников"). В пособии рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях: функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и другие. П...

Учебное пособие. - Л., изд. ЛПИ, 1988, 99 с. В пособии с помощью теории возмущений определяются вероятность и время релаксации импульса для основных механизмов рассеяния электронов и дырок в полупроводниках: на акустических, пьезоэлектрических, деформационных и полярных оптических колебаниях решетки, при примесном, междолинном и электрон-электронном рассеянии и др. При этом учитывается экранирование дальнодействующего потенциала. Проводится сравн...

СПб., Наука, 2001 г. , 250 стр., под общ. ред. Ильина В. И. и Шика А. Я. В монографии рассмотрены основные механизмы рекомбинации для биполярного и монополярного случаев в объемных полупроводниках и полупроводниковых структурах с квантовыми ямами. Наряду с хорошо известными фотоэлектрическими явлениями описаны новые, такие как увлечение носителей заряда потоком фотонов и m-фотопроводимость. Описаны фотодетекторы, основанные на явлении внутризонно...

Киев, Наукова Думка, 1987 г. , 620 стр. Наиболее полное и подробное справочное пособие по оптике полупроводников на русском языке. Рассмотрены теория излучения/поглощения, зонная структура, оптические константы, люминесцентные свойства и многое другое для полупроводниковых систем: IV, AIIIBV, AIIBVI, AIVBIV, AIVBVI и их многокомпонентных твёрдых растворов, а так же аморфные полупроводники и система Si/SiO 2. Книга рассчитана на студентов, аспиран...

Издательство М: Энерноатомиздат, 1986 192 страницы Изложена нелинейная кинетическая теория резонансного взаимодействия электромагнитного поля с полупроводниками. Описание проводится на основе новых представлений о специфических квазичастицах, кинетика которых подчиняется перенормированным уравнениям. На основе этих представлений развиты теории насыщения поглощения сильного электромагнитного поля, полупроводникового лазера, прохождения импульсов...

Учебник для техникумов.— М.: Высш. школа, 1982. — 245 с, ил. В учебнике дано описание основных закономерностей строения твердого тела на основе современных квантово механических представлений: рассмотрены наиболее важные электрофизические свойства, явления и эффекты, наблюдаемые в твердых телах, кинетические и контактные явления, термоэлектрические и фотоэлектрические свойства полупроводников и электронные процессы, протекающие в тонких пленках....

учеб пособие:– Д.: Национальный горный университет, 2012.– 74 с. – (Библиотека иностранного студента). Учебное пособие предназначено для самостоятельной работы студентов направления 6.050301 Горное дело. Пособие содержит изложение основных представлений физики полупроводников. Рассмотрены элементы зонной теории твердых тел, понятие о статистике электронов и дырок в полупроводниках, электронно-дырочные переходы, выпрямление и усиление перемен...

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 7, с. 905-909 Проведено исследование механизмов проводимости в гетероструктурах Si?полимер?металл, где в качестве широкозонного полимера был использован олиго-?-нафтол. Полученные результаты объясняются в рамках моделей прыжкового переноса по ловушечным уровням, эмиссии Шоттки и полевой туннельной эмиссии. При этом разные механизмы переноса заряда работают в разных температурных интервалах и п...

М.: Наука. Гл. ред. физмат, лит. , 1986. 320 с. Распознан. Впервые в отечественной литературе представлены наиболее актуальные в научном и практическом отношениях аспекты физики соединений AIIBVI. Основное внимание уделено наиболее важным физическим свойствам этих веществ, например экситонам, фононам, дислокациям, точечным дефектам, нелинейным оптическим и другим свойствам, составляющим основу современных наиболее важных технических применений п...

Монография, СПб.: Изд-во «Технолит», 2008. 324с. ISBN 5-7629-0933-6 Излагаются основы теории симметрии кристаллов, включая тензорное описание их физических свойств, а также методы теории групп в квантовой механике и физике твердого тела. Теоретико-групповой подход используется для анализа энергетического спектра электронов в объемных полупроводниках и полупроводниковых наногетероструктурах. Особое внимание уделяется обоснованию метода инвариантов...

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.07 – физика конденсированного состояния, 01.04.10 – физика полупроводников. — Тульский государственный педагогический университет им. Л.Н. Толстого. — Москва, 2008. — 54 с. Научный консультант: доктор физико-математических наук,профессор Панин В.А. Цели и задачи работы Исследование спиновой поляризации на поверхности ферромагнитных металлов, в диэлектрич...

Монография. — Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. — 208 с. Научный редактор - д-р хим. наук, проф. Угай Я.А. В монографии дан подробный анализ кристаллохимических, физико-химических и электрофизических свойств соединений типа АIVBV, приведены полные фазовые диаграммы систем с участием кремния и германия, с одной стороны, и фосфора и мышьяка - с другой. Описываются свойства твердых растворов на основе бинарных соединений. Книга представляет интерес для ис...

Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. Учебное пособие, 101 стр., 55 иллюстраций, 2013 г. Пособие написано на основе курса лекций, прочитанных на физическом факультете ННГУ им. Н.И.Лобачевского в 1970-1980 годы, крупным ученым в области исследования фотоэлектронных явлений на поверхности и в объеме полупроводников, заслуженным деятелем науки России, почетным профессором ННГУ, доктором физ.-мат. наук И.А. Карповичем (1931...

Минск, Наука и техника, 1975 г. 464 стр. В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычислени...

Москва, Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1956г., 348 с. с илл. В книгах, посвященных твердым выпрямителям и принадлежащих большей частью перу иностранных авторов, вопросы теории освещены далеко не полно и почти вовсе игнорируются работы советских авторов. Предлагаемая вниманию читателя книга должна заполнить существующий пробел. Здесь изложены с единой точки зрения основные работы по теории выпрямляющего действия пол...

Учебное пособие, СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007. 96с. ISBN 5-7629-0840-2 Приведены расчеты электронной структуры, диэлектрических, оптических и магнитных восприимчивостей, упругих постоянных и фононных частот, энергий когезии и замещения, реконструкции по-верхности кубических ковалентных и ионно-ковалентных полупроводников в рамках приближения сиязывающих орбиталей. Предназначено для магистрантов и аспирантов кафедры микроэлектроники. Оглавлен...

Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 1998 - 56 c Рассматриваются модельные представления адсорбции, используемые для объяснения физических и химических процессов, протекающих в поликристаллических полупроводниковых сенсорах.

Л.: Наука, 1978. — 208 с. В монографии излагаются физические основы процессов диффузии и дефектообразовання в полупроводниковых эпитаксиальных гетеро- и гомоструктурах. Рассматриваются особенности диффузионного легирования эпитаксиальных структур, связанные с взаимодействием примесных атомов с дефектами кристаллической решетки, полями упругих напряжений и контактными электрическими полями. Приведен математический анализ диффузионной задачи примен...

Автореф. дисс. к.ф.-м.н. (01.04.17 – 17 – химическая физика, в том числе физика горения и взрыва). - Черноголовка: Институт проблем химической физики РАН, 2008. - 22 с. ЦЕЛЬ РАБОТЫ: установление взаимосвязи между спиновой динамикой и высокочастотными магнитными и электрическими свойствами новых гибридных молекулярных магнетиков на основе высокоспиновых кластеров марганца игерманиевых наноструктур (пленок Ge, имплантированного Mn, и нанопроволок G...

Новосибирск: Новосибирский гос. технич. ун-т, 2003. — 22 с. Работа подготовлена на кафедре КТРС В работе даны варианты расчетно-графических заданий по дисциплинам «Физические основы микроэлектроники» и «Физические основы электроники». Рассмотрены примеры получения аппроксимационных зависимостей основных физических параметров полупроводников, таких как подвижности электронов и дырок при произвольных значениях температуры и концентрации примеси на...

Методическое пособие к лабораторным работам по атомной и ядерной физике. - Зеленодольск , 2012 - 32 с. Предназначено для студентов третьего курса физико-математического факультета Зеленодольского филиала КФУ, специализирующихся по радиофизике. В нем изложены основы теории, описание установки и методика выполнения лабораторной работы по изучению профиля эмиссионной линии излучения полупроводников. Лабораторная установка разработана в НТЦ Владис....

Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn

Киев: Наукова Думка, 1981. - 320 с. Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Главное внимание уделено изучению кинетических эффектов при строгом учете специфики механизмов рассеяния и закона дисперсии электронов и дырок. Рассмотрены явления переноса и электрооптические эффекты в широко используемых на практике полупроводниках. Изл...

Издательство "Мир", Москва, 1973. УДК 530.145+539.2 Еще в 1932 г. выдающийся советский ученый И. Е. Тамм указал на возможность существования электронных поверхностных уровней (получивших позднее название "таммовских уровней"), которые играют важную роль в физике твердого тела. Однако до сих пор квантовая теория кристалла, ограниченного поверхностью (в отличие от теории бесконечного кристалла), развита недостаточно. Несмотря на наличие многочислен...

СПб.: СЗТУ, 2005. - 80 с. Учебное пособие по дисциплине "Физико-химические основы технологии РЭС" соответствует требованиям государственных образовательных стандартов высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированного специалиста 654300 - "Проектирование и технология электронных средств" (специальность 200800 - "Проектирование и технология электронных средств") и направлению подготовки бакалавра 551100 - "Проектирова...

Учебно-методический комплекс. — М.: РХТУ им. Д.И. Менделеева, 2010. – 124 с. Учебно-методический комплекс дисциплины «Основы технологии и методы анализа высокочистых веществ» подготовки бакалавров по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества». Развитие всех современных наукоемких технологий, в частности, твердотельной технологии в микро- и наноэлектронике, невозможно без уг...

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 - Физика полупроводников. — Рязанский государственный радиотехнический университет. — Рязань, 2014. — 191 с. Научный консультант: кандидат физико-математических наук, доцент Литвинов В.Г. Введение Анализ физических основ электрических методов исследования электронных состояний в полупроводниковых микро- и наноструктур Метод спектроскопии низкочастотного шума Ме...

Физика и техника полупроводников - 1999 - том 33 - вып. 7 - с. 778-780 В статье исследовались поляризационные спектры фотолюминесценции нитрида галлия. Из анализа спектров следует, что неоднородное уширение линии излучения, имеющей значение полуширины больше 20 мэВ, может определяться дисперсией углов осей симметрии различных кристаллитов, образующих эпитаксиальный слой GaN, по отношению к поверхности слоя. Вариация угла падения и фокусировки воз...

Серия учебных пособий «Новые разделы физики полупроводников» - СПб.: Наука, 2000. — 72 с. ISBN 5-02-024927-0 В книге рассмотрены электронные свойства неупорядоченных твердых тел. Изложению физики неупорядоченных систем предшествует краткий обзор основных представлений теории протекания. Рассматриваются переходы «металл—диэлектрик» — переходы Мотта и Андерсона. Описаны свойства основных групп атомно-неупорядоченных твердых тел — полупроводников с...

Задачи по физике для специальности АУ, 3 семестр. Собственная концентрация носителей; равновесная концентрация электронов и дырок; ширина запрещенной зоны; коэффициент диффузии электронов; удельное сопротивление образца легированного акцепторной примесью; отношение собственной удельной проводимости к минимальной; время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике;скорость поверхностной рекомбинации.

М.: Изд-во Моск. ун-та, 1984. — 192 с. Книга посвящена изложению новых идей и методов, возникших в последние годы при изучении электронных явлений переноса в неупорядоченных полупроводниках. В ней обсуждаются свойства носителей заряда с энергиями, близкими к порогу подвижности, стационарный прыжковый перенос, не стационарные процессы — проводимость на переменном токе и дисперсионный перенос; значительное внимание уделено вопросам, связанным с...

М.: Физматлит. 2009 — 333 с. В данном учебном пособии рассмотрены следующие темы: симметрия кристаллов и колебания кристаллической решетки; зонная структура полупроводников; кинетические явления в полупроводниках; оптические свойства полупроводников. Изложена современная концепция квантового эффекта Холла, одного из удивительных явлений физики полупроводников XX века. Большое внимание уделено сопоставлению физических моделей с экспериментальными...

М.: Мир, 1977. - 616 с. Пер с англ. под ред. Ю. К. Пожелы: K. Seeger, Semiconductor Physics, Wien: Springer-Werlag, 1973. Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим изложением основных принципов физики полупроводников в ней можно найти...

Пер с англ. Р. Бразиса, А. Матулениса и А. Тетервова под ред. Ю. К. Пожелы. Издательство "Мир", Москва, 1977. - 616 с. Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим изложением основных принципов физики полупроводников в ней можно найти дос...

Сборник. — М.: Наука, 1985. — 264 с. Сборник "Легированные полупроводниковые материалы" содержит работы, выполненные в Институте металлургии им. А.А. Байкова АН СССР, в институтах Академии наук и АН союзных республик, а также в институтах ряда министерств и высших учебных заведений. Работы посвящены изучению физико-химических основ легирования полупроводниковых материалов и, в частности, рассмотрению следующих вопросов: примесные атомы и уровни,...

Дальневосточный государственный университет путей сообщения, г. Хабаровск, 2007 г. Основные понятия зонной теории Металлы и полупроводники Энергетические уровни валентных электронов Объяснение свойства проводимости у проводников и полупроводников Примесная проводимость полупроводников Искусственное выращивание монокристаллов в космосе

Киев, Наукова Думка, 256 стр., 1981 г. Изложена физика инжекционно-контактные явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с уче...

Киев: Наукова думка. 1990. – 192 с. В монографии подробно изложены методы и алгоритмы моделирования на ЭВМ кинетических явлений в кремнии, германии, полупроводниках типа A3B5. Приведены математические модели систем, описываемых уравнением. Больцмана. Большое внимание уделено рассмотрению процессов рассеяния носителей тока. Обсуждаются особенности функций распределения и кинетических коэффициентов в электрических и магнитных полях. Приведены блок-...

Киев: Наукова думка. 1990. – 192 с. В монографии подробно изложены методы и алгоритмы моделирования на ЭВМ кинетических явлений в кремнии, германии, полупроводниках типа A3B5. Приведены математические модели систем, описываемых уравнением. Больцмана. Большое внимание уделено рассмотрению процессов рассеяния носителей тока. Обсуждаются особенности функций распределения и кинетических коэффициентов в электрических и магнитных полях. Приведены блок-...

К.: "Наукова думка", 1992.- 240 с. В монографии изложены результаты исследований открытого сотрудниками Института полупроводников АН Украины явления стимулированного излучением проникновения металла в полупроводники (Photodoping). Впервые обобщен экспериментальный материал, касающийся природы явления и технологических особенностей его практического применения. Рассмотрены физические процессы, происходящие в тонкопленочных системах полупроводник —...

М:. АН СССР, 1957. — 491 с. Развитие теории полупроводников и внедрение их в народное хозяйство — это одно из важнейших условий технического прогресса. Решение значительного числа задач неразрывно связано с применением полупроводников. Предлагаемая работа академика Абрама Федоровича Иоффе (1880-1960) посвящена физике полупроводников и их применению.

УлГПУ, 2012, 38 стр Дисциплина - Физика твердого тела Электрофизические свойства полупроводниковых материалов Основы зонной теории Удельная проводимость Температурная зависимость Экспериментальные расчеты Оценочные расчеты

Учебное пособие. — Л.: ЛПИ, 1984. — 80 с. Учебное пособие предназначено для студентов специальностей "Полупроводники и диэлектрики", "Физическая электроника", "Технология специальных материалов электронной техники", изучающих физику полупроводников, полупроводниковых приборов и металлов. Рассмотрены теория и качественное описание эффектов Холла, Нернста — Эттингсгаузена, магнитосопротивления и т.д. Теория явлений переноса при воздействии на объек...

Учебное пособие. - Л., изд. ЛПИ, 1981, 79 с. Учебное пособие предназначено для студентов специальностей «Полупроводники и диэлектрики», «Физическая электроника», «Технология специальных материалов электронной техники», изучающих физику полупроводников, полупроводниковых приборов и металлов. Рассмотрены теория и качественное описание явлений электропроводности, теплопроводности, эффектов Зеебека, Пельтье, Томсона. Теория явлений переноса в отсутст...

Ташкент: Фан, 2005. — 250 с. В этой уникальной монографии рассматриваются: сведения о поверхности и влиянии различных сред её свойства, металлургические и межзёренные, электронные и физические границы в полупроводниках; физико-технологические проблемы, влияние промежуточных слоев на свойства р-n-переходов; принципы и способы получения резкого и тонкого p-n-nepexoдa; структуры с запирающим р-n-переходом, возможности улучшения температурных и фотоэ...

Ташкент: Фан, 2005. — 250 с. В этой уникальной монографии рассматриваются: сведения о поверхности и влиянии различных сред её свойства, металлургические и межзёренные, электронные и физические границы в полупроводниках; физико-технологические проблемы, влияние промежуточных слоев на свойства р-n-переходов; принципы и способы получения резкого и тонкого p-n-nepexoдa; структуры с запирающим р-n-переходом, возможности улучшения температурных и фотоэ...

М.: Наука, 1988. — 469 с. Книга входит в серию монографий "Современные проблемы науки о конденсированных средах", публикуемых издательствами "Наука" (СССР) и "Норс Холланд Компани" (Голландия). В ней принимают участие ведущие советские и иностранные ученые. В книге содержится обзор результатов многолетних теоретических и экспериментальных исследований физических свойств нового состояния вещества - электронно-дырочной жидкости в полупроводниках. Р...

УДК 537.311.33 Москва: Энергоатомиздат, 1991.— 304 с.— ISBN 5-283-03992-7 Описано современное состояние микроскопической теории электронной структуры и энергетических уровней ионов переходных металлов в ковалентных полупроводниках. Рассмотрена специфика примесей переходных металлов, дано теоретическое обоснование физических свойств ионов переходных металлов в полупроводниках AIIBVI и AIIIBIV, показаны различия в их поведении в этих системах и эле...

Москва, Высшая школа, 1969. Книга написана как учебное пособие для студентов, это наложило определенный отпечаток на метод изложения материала. В ней практически отсутствует экспериментальный материал, связанный с описанием свойств. конкретных полупроводниковых веществ. Это обусловлено тем, что объем информации в настоящее время крайне велик и к то му же ой непрерывно возрастает, поэтому сведения, олученные сегодня, завтра могут оказаться устарев...

Учеб. пособие для втузов. М., «Высш. школа», 1975. Книга написана как учебное пособие для студентов, это наложило определенный отпечаток на метод изложения материала. В ней практически отсутствует экспериментальный материал, связанный с описанием свойств. конкретных полупроводниковых веществ. Это обусловлено тем, что объем информации в настоящее время крайне велик и к тому же ой непрерывно возрастает, поэтому сведения, олученные сегодня, завтра м...

Томск: Издательство Томского университета, 1984, - 117 с. В монографии обобщен материал по основным физико-химическим свойствам твёрдых растворов на основе изоэлектронных аналогов германия. Описаны их объёмные (структурные, люминисцентные, электрические, магнитные) и поверхностные (адсорбционные, каталитические) характеристики. Для научных инженерно-технических работников, занимающихся исследованием и применением полупроводников, а также препод...

Изд-во «Металлургия» 1970 г. 432 с. Илл.143 Табл. 12 Библ. 432 назв. В книге приведены методы исследования основных физических свойств полупроводников и методы контроля качества полупроводниковых материалов. Рассмотрены физические основы методов измерений, а также вопросы их экспериментального осуществления. Подробно описаны различные способы измерения удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, методы исследования парам...

К.: Наукова думка, 1971. - 124 с. Книга представляет собой сборник статей о влиянии радиационного излучения на полупроводниковые материалы.

Перевод с английского А.Ф. Волкова и А.Я. Шульмана. Под редакцией И.Б. Левинсона и Ю.К. Пожелы. — М.: Мир, 1970. — 384 с. Книга посвящена электропроводности полупроводников в сильных электрических полях. Рассматриваются также другие кинетические явления в полупроводниках, связанные с действием сильных электрических полей. Ценной особенностью книги является подробное сопоставление теоретических и экспериментальных данных для конкретных полупроводн...

М., Физический факультет МГУ, 312 с., 2003 Учебное пособие написано на основе курса, читаемого автором на физическом факультете Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова. В пособии описываются физические свойства трех основных классов магнитных полупроводников: монооксида и монохалькогенидов европия, халькогенидных шпинелей и манганитов. Особое внимание уделено описанию гигантских эффектов, наблюдавшихся в этих материалах - ко...

М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2009. — 443, [2] с.: ил. — ISBN 978-5-7038-3251-6. Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы активной среды. Это позволило исследовать все возможные типы лазерных переходов, используя материалы...

М.: Металлургия, 1991, 175с. В книге с позиции теории регулярных растворов и модели диффузионного массопереноса рассмотрены особенности жидкофазовой эпитаксии твердых растворов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Проанализировано влияние упругих деформаций на смещение равновесий в многокомпонентных системах. Дано математическое описание эффекта стабилизации периода решетки и кинетики кристаллизации многокомпонентных твердых растворов,...

Курск: Университетская книга, 2014. — 87 с. — ISBN 978-5-9905749-0-8. Предназначено для студентов специальности 222900.62 «Нанотехнологии и микросистемная техника» при изучении дисциплины «Физика конденсированного состояния». Приводится описание устройства и физического принципа действия датчиков Холла, играющих важную роль в системах управления автоматикой и современных автомобилей. Подробно изложены теоретические сведения о проводимости и конце...

Радио и связь, 1990. Излагаются вопросы теории гальваномагнитных эффектов в режимах ЭДС и тока Холла, в том числе, в квантующих магнитных полях и в материалах со смешанной проводимостью. Рассматриваются их особенности в неоднородных и неупорядоченных полупроводниках, слоистых структурах. Даётся методология интерпретации нормальных и аномальных результатов измерений. Приводятся требования, предъявляемые к исследуемым образцам, анализируются мешающ...

Монография. — Москва: Наука, 1978. — 256 с. В монографии освещено современное состояние исследований в области физической химии, технологии и физики полупроводниковых соединений группы А2В5. Описаны приборы, разработанные на основе этих соединений, и перспективы их дальнейшего применения в полупроводниковой технике. Книга рассчитана на широкий круг ученых, работающих в области физико-химии и материаловедения полупроводников.

Москва, Издательство "Мир", 1973 год - 413 стр. Книга посвящена исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеет большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел, и кроме того, имеют много важных технических применений, в частности в диэлектрической электронике и оптоэлектронике. Книг...

Монография, М.: Мир, 1984. – 264 с. Цель данной книги – познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Пер. с англ. - Москва: Мир, 1984 - 264 с. Перевод с английского д-ра физ.-мат. наук Ю. М. Гальперина, канд. физ.-мат. наук В. И. Козуба, канд. физ.-мат. наук Э. Б. Сонина под редакцией д-ра физ.-мат. наук В. Л. Гуревича Цель данной книги - познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, те...

Пер. с англ. — Москва: Мир, 1985 — 304 стр. Перевод с английского д-ра физ.-мат. наук Ю. М. Гальперина, канд. физ.-мат. наук В. И. Козуба, канд. физ.-мат. наук Э. Б. Сонина под редакцией д-ра физ.-мат. наук В. Л. Гуревича Цель данной книги, написанной французскими учеными, — анализ влияния точечных дефектов на различные физические свойства полупроводников. В книге рассматриваются эффект Яна — Теллера и электронный парамагнитный резонанс, вопросы...

Отрывок из журнала физика и техника полупроводников, Санкт-Петербург, Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №4 с. 437 – 440 Анотация. Рассмотрены некоторые особенности спектров DLTS глубоких уровней, которые эффективно обмениваются носителями тока с обеими разрешенными зонами. Показано, что максимумы пиков смещаются незначительно по шкале температур, но обработка спектров традиционными методами приводит к ошибкам в определении параметр...

Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.

На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...

Конспект лекций по физике полупроводников профессора Э. Сенокосова. ПГУ им. Т. Г. Шевченко г. Тирасполь Записан и набран самостоятельно.

Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

СПб.: НИУ ИТМО, 2012. — 53 с. Содержание. Классификация твердых тел. Теория металлов Друде. Электропроводность металлов. Кристаллы. Кристаллическое состояние Образование кристаллов Структура кристалла Полупроводники Собственная проводимость Примесная проводимость Функция Ферми-Дирака Температурная зависимость проводимости полупроводника Терморезистор (термистор) Фотосопротивление (фоторезистор) Оптический квантовый генератор (лазер) Эл...

Москва, Издательство "Радио и связь", 1990 год - 300 стр. ISBN 5-256-00496-4 В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация...

КазНУ, Физико-технический факультет кафедра ФТТ и НФ, Алматы. - 18 с. В рамках курса лекций рассматриваются темы: -Отличительные свойства полупроводников. -Основные группы полупроводниковых материалов, механизм электропроводности собственного и примесного полупроводникового материала. -Зонная модель энергетического спектра электронов в твердом теле. Понятие валентной зоны и зоны проводимости. -Энергетическая диаграмма идеального (собственного) п...

Учеб.-методич. пособие по курсу ФОЭ. — СПб: НИУ ИТМО, 2014. – 34 с. Рассматриваются основные физические процессы, лежащие в основе функционирования элементов твердотельной электроники и принципы работы полупроводниковых приборов. Пособие содержит элементарные сведения из квантовой механики и физики твердого тела, необходимые для понимания основного содержания курса «Физические основы электроники». Учебное пособие предназначено для студентов II к...

Данная книга посвящена изучению влияний различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных схем. В основу книги легли лекции, читавшиеся автором в ведущих технических университетов США; тек...

Издательство: М.: Мир. Год: 1974. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных микросхем. В основу книги легли л...

ЮРГПУ, доц. к.т.н. Балюк А.В., Новочеркасск, 2012, 110 с. В работе рассмотрены и проанализированы методы измерения основных электрофизических параметров объёмных термоэлектрических материалов (ТЭМ): удельной электропроводности, коэффициента термо–ЭДС и теплопроводности. Выполнена оценка возможности применения этих методов для измерения аналогичных параметров плёночных ТЭМ, сформулированы задачи исследования. Предложены и подробно рассмотрены моде...

Изучение эффекта Холла. Определение постоянной Холла и концентрации носителей тока в полупроводниковом материале InSbrn

Пер. с англ. — Москва: Мир, 1972. — 408 с. Книга представляет собой первый в отечественной и зарубежной литературе обзор, посвященный физике магнитных полупроводников. В нем подробно рассматриваются зонная структура магнитных полупроводников, явления переноса, различные виды взаимодействия, оптические свойства, причем основное внимание уделяется выяснению механизма явлений. Наряду с подробным изложением теории книга содержит большой экспериментал...

Монография. М.: Издательство главного управления по использованию атомной энергии при совете министров СССР, 1960. — 304 с. Введение. Качественное рассмотрение основ теории плоскостных транзисторов. Качественная физика полупроводника. Количественные соотношения в физике полупроводников. Ток в полупроводниках. Граничные условия в p-n переходе с прямым смещением. p-n переход с приложенным потенциалом постоянного тока. Транзистор типа p-n-p. Влияние...

М.: Мир, 1975. Книга американских физиков А. Милнса и Д. Фойхта содержит обстоятельное изложение основных физических процессов в полупроводниковых гетеропереходах и переходах металл — полупроводник и анализ характеристик приборов, основанных на таких переходах. Значительное внимание уделено технологии изготовления гетеропереходов. В монографии использован весьма обширный экспериментальный материал, библиография включает более 1500 названий. Книга...

Монография. — Томск: Изд-во Том. ун-та, 1990. — 230 с. В монографии приводятся и обсуждаются результаты исследований поверхности многокомпонентных полупроводниковых соединений типа АIIIВV, AIIBVI и AIVBVI в связи с условиями их обработки. Рассматривается физико-химия процессов формирования, состав и строение границ раздела фаз поверхностный слой — водный раствор, объём кристалла полупроводника — поверхностный слой при обработке поверхности в раст...

М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. - 320 с. - ISBN 5-9221-0458-6. Издаваемый посмертно сборник избранных трудов Э.Л. Нагаева включает шесть тематических разделов, отражающих основные направления разносторонней деятельности автора в области теории твердого тела. Центральный раздел посвящен физике магнитных полупроводников. Это направление, созданное и в течение 30 лет активно развивавшееся Э.Л. Нагаевым, при несло ученому мировую известность. Другие яркие стран...

Методические указаиня к теоретической части цикла лабораторных работ по дисциплине "Физика". М.: МИИЖТ, 1986. – 21 с. Лабораторные работы: Электронно–дырочный переход в полупроводнике (или p–n переход). Обратное включение p–n перехода. Прямое включение p–n перехода. Барьерная емкость p–n перехода. Анализ вольт–фарадной характеристики p–n перехода. Физический смысл энергетической (запрещенной зоны) и энергии активации в полупроводнике.

Новосибирск, 1994, 184с. Лекции для студентов (специальность 20.01). Часть 1. Новосибирский государственный технический университет Лекции 1- 16. Содержание отсутсвует. Сканированные двойные страницы.

Калуга: Изд-во КГПУ, 2000 . – 176 с. В монографии с единых материаловедческих позиций систематизированы и проанализированы характерные свойства и их закономерности для многокомпонентных магнитных полупроводников (как концентрированных, так и разбавленных) - веществ, обладающих одновременно полупроводниковыми характеристиками и магнитным упорядочением. Рассмотрен широкий спектр веществ - соединения типа АВС-2 (такие как CuFeS-2, KFeS-2, NaCrS-2 и...

ПНИПУ, Пермь, РФ, Ермаков Н.Н., 2015. Молекулярно-лучевая эпитаксия представляет собой процесс эпитаксиального роста слоев различных соединений, происходящий за счет реакций между термически создаваемыми молекулярными или атомными пучками соответствующих компонентов на поверхности подложки, находящейся в сверхвысоком вакууме при повышенной температуре. Основные положения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии Устройство установки и принципы дейс...

Целью работы является исследование температурной зависимости обратного тока диода и определение ширины запрещенной зоны полупроводника. ТУСУР 2012. Работа зачтена, есть ответы на контрольные вопросы и графики.

Практикум – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2013. – 24 с. В работе прорабатывается и закрепляется материал соответствующего раздела курса лекций «Физика полупроводников»: описана теория, основные методы измерения эффекта Холла и методика определения типа, концентрации и подвижности носителей заряда. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 210100 – Электроника и наноэлектроника, 222900 – Нанотехнол...

М., Мир, 1973 г., 458 стр. Монография известного американского специалиста Ж. Панкова посвящена физическим процессам взаимодействия света с полупроводниками, а также практическому использованию этих процессов в полупроводниковых лазерах, люминесцентных диодах, приемниках видимого и инфракрасного излучения. Книга снабжена большим количеством (около 400) иллюстраций — схем, графиков, чертежей, что делает ее полезной для инженерных расчетов, а та...

Казань: КазГУ, 2001. - 60 с. Методическое пособие предназначается для студентов четвертого курса радиофизических специальностей при выполнении ими работ по физике полупроводников на практикуме по физике твердого тела. Оно также может быть полезно при изучении соответствующих разделов общих лекционных курсов «Физика твердого тела», «Физика конденсированного состояния вещества» и спецкурса «Физика полупроводников».

Казань: КазГУ, 2004. - 56 с. Методическое пособие предназначается для студентов четвертого курса радиофизических специальностей при выполнении ими работ по физике полупроводников на практикуме по физике твердого тела. Оно также может быть полезно при изучении соответствующих разделов общих лекционных курсов "Физика твердого тела", "Физика конденсированного состояния вещества" и спецкурса "Физика полупроводников".

Методическое пособие к спецкурсу "Кинетические явления в полупроводниках" , для студентов 5, 6 курсов физического факультета, Одесса, "Одесский национальный университет",2011, 68 страниц. Методическое пособие написано для студентов 5, 6 курсов, специализирующихся по физике полупроводников и диэлектриков на кафедре экспериментальной физики физического факультета. Изучение процессов переноса носителей заряда под действием различных физических факто...

Тейтель Н.М. Заявлено 4 ноября 1927 г. — 2 с. Предмет патента - улучшение поверхности полупроводникового слоя закиси меди для повышения КПД выпрямительного диода

Киев: Издательство киевского университета, 1967. — 192 с. Книга является учебным пособием по курсу физики поверхности полупроводников В ней рассмотрены вопросы влияния состояния поверхности на физические свойства полупроводников, а также на работу полупроводниковых приборов. Излагаются основные вопросы теории области пространственного заряда и поверхностного рассеяния носителей тока. Рассмотрены теория поверхностной рекомбинации и основные экспер...

—К.: Вища школа. Головное изд-во, 1984 —214 с. Ил. 128 Табл. 4 Библиогр.: 78 назв. В учебном пособии излагаются современные представления о влиянии поверхности на физические явления в полупроводниках. Проанализированы причины образования поверхностных электронных состояний и приповерхностной области пространственного заряда (ОПЗ). Рассмотрены электрические, фотоэлектрические и оптические явления с учетом поверхности и ОПЗ, поверхностное рассеяние...

Вища школа, 1984. – 216 с. Язык: русский. В учебном пособии излагаются современные представления о влиянии поверхности на физические явления в полупроводниках. Проанализированы причины образования поверхностных электронных состояний и приповерхностной области пространственного заряда (ОПЗ). Рассмотрены электрические, фотоэлектрические и оптические явления с учетом поверхности и ОПЗ, поверхностное рассеяние носителей заряда, статистика поверхностн...

Підручник. — К.:Либідь,1992. — 240 с. У підручнику викладено сучасні уявлення про природу електронних станів на ідеальній та реальній поверхнях напівпровідників, описано електрофізичні властивості їх при приповерхневої області, розглянуто фотоелектроичні та оптичні явища в цій області. Розглядаються моделі гетеро- і гомопереходів під напругою, випрямлення на котнакті, воль-амперні характеристики p-n-переходу, випрямні властивості гетеропереходів,...

Методическое пособие по курсу «Физика твердого тела» для студентов специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы», «Квантовые информационные системы» всех форм обучения. — Минск: БГУИР, 2005. — 59 с. Методическое пособие содержит сведения, достаточные для самостоятельной подготовки студентов к выполнению экспериментальной части лабораторной работы по одному из разделов курса «Физика твердого тела». Рассматриваются понятия дрейфово...

Учебное пособие. − СПб: НИУ ИТМО, 2015. − 58 с. В учебно–методическом пособии представлен цикл лабораторных работ по изучению свойств полупроводников с использованием физических методов и современной приборной базы. Пособие предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 223200 «Техническая физика» Физические принципы аналитического приборостроения. Методические указания содержат краткое изложение основ физики полупроводников, теории пог...

Справочное пособие. - Н. А. Поклонский, С, А. Вырко, Н. М. Лапчук; - Минск, БГУ, 2002. - 155 с. Справочное пособие по основным понятиям полупроводников исходит из опыта чтения курсов лекций "Статистическая физика полупроводников" и "Низкоразмерные конденсированные системы" в БГУ. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов проводимости, дырок, фононов и атомных дефектов в трех-, двух- и одномерных кристаллических...

НГУ, 12 слайдов, 2011 г. Структура полупроводника; Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры; Структура энергетических зон; Фазовая диаграмма системы Ga-As; Атомные реконструкции на поверхностях (001) и (111).

Полупроводники. Примесная проводимость. P-N переход.

Полупроводники — новая область физики, получившая развитие всего лишь в последние двадцать пять лет, несмотря на то, что почти вся окружающая нас неорганическая природа состоит из полупроводящих веществ.

Реферат - ТГТУ, Ташкент, 2011 г., 14 стр. Содержание: Введение, Основные области применения, Основные характеристики датчиков температуры, Основные типы полупроводниковых датчиков температуры, Датчики температуры на основе диодов и транзисторов, Датчики температуры на основе терморезисторов, Пленочные полупроводниковые датчики температуры, Заключение, Список литературы.

ДВГУПС, методичка, заготовка и решение лабораторной.rn

Реферат на тему полупроводниковый лазер(или, что одно и то же, лазеры на диодах). В нем рассмотрены следующие вопросы: принцип действия, виды полупроводниковых лазеров, инверсная населенность, применение. Саратовский государственный университет, 4 курс, физический факультет.

Учебное пособие. — СПб. гос. техн. ун-т. C.-Петербург, 1994. — 80 с. Рассмотрены физические свойства полупроводников с неупорядоченно распределенными примесными атомами и некоторые общие вопросы физики неупорядоченных систем. Изложению физики неупорядоченных полупроводников предшествует краткий обзор основных понятий теории протекания. Далее рассматриваются переходы типа металл — диэлектрик (переходы Мотта и Андерсона), локализованные состояния в...

Москва. Издательство иностранной литературы 1957. -160 с Предлагаемая в русском переводе небольшая книга английского физика Райта знакомит читателей с основами физики полупроводников и с их электрическими свойствами; кроме того, в ней дано описание некоторых технических применений полупроводников.Несмотря на сжатый объем, эта книга знакомит читателя с современным состоянием проблемы. При этом автору удалось сравнительно удачно сочетать научную ст...

Год издания не известен, г. Бургхаузен, Wacker Атлас Wacker для определения характеристик дефектов в кремнии (Eng)

Как устроен пьезоэлектрический полупроводник. Поглощение и усиление звука. Нелинейные эффекты при усилении звука. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления. Звукоэлектрический эффект. Заключение.

Арсенид индия является прямозонным полупроводником, у которого зона проводимости сферически симметрична и минимум ее находится в центре зоны Бриллюэна. Вблизи минимума кривизна зоны велика, вследствие чего эффективная масса электрона очень мала

Москва: Наука, 1976, - 254 с Монография посвящена механизмам рассеяния носителей заряда в инверсионных каналах, процессам захвата их на поверхностные состояния границы раздела полупроводник — диэлектрик и состояния в диэлектрике. Рассмотрены вопросы протекания тока через диэлектрик и вопросы нестабильности МДП-структур, а также механизмы генерации неосновных носителей заряда в них при неравновесных условиях. Обсуждаются также структуры приповерхн...

Методическое указание. — Улан-Удэ: ВСГУТУ, 2008. — 12 с. Цель работы – градуировка поля электромагнита с помощью датчика Холла, а также изучение электрических свойств материала самого датчика.

ЗГІА, 2014, 30 стр. Дисципліна -Твердотіла електроніка ПАРАМЕТРИ ТА ХАРАКТЕРИСТИКИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв Електронно-дірковий перехід та його властивості Класифікація напівпровідникових діодів Характеристики та властивості арсеніду галію РОЗРАХУНОК ПАРАМЕТРІВ ТА ХАРАКТЕРИСТИК МАЛОПОТУЖНОГО ВИСОКОЧАСТОТНОГО ДІОДУ АД110А Випрямляючий діод Параметри діода Розрахунки параметрів та характеристи...

Москва, Издательство "Мир", 1966 год - 189 стр. Книга известного американского ученого А. Роза содержит изложение основных вопросов теории фотопроводимости твердых тел. Большое место занимает феноменологическое описание процессов рекомбинации носителей тока. Значительное внимание уделено рассмотрению явлений, ограничивающую область применения фотопроводников, таких как токи, ограниченные объемным зарядом и токовые шумы. Отдельные главы отведены...

М., ФИЗМАТГИЗ, 1963 г. , 496 стр., серия: "Физика полупроводников и полупроводниковых приборов" В монографии рассматриваются процессы генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей тога в полупроводниках. Основное внимание уделено рассмотрению процессов рекомбинации через локальные центры прилипания, диффузии и дрейфа неравновесных носителей тока в электрическом и магнитном полях и в связи с этим описанию явлений фотопроводимости (соб...

Киев: Наук. думка, 1984. - 232 с. Рассмотрены физические механизмы формирования различных фотоэффектов в приповерхностных областях полупроводников и слоистых структур на их основе. Изложены последовательный метод теоретического анализа физических механизмов неравновесных процессов в приповерхностных слоях полупроводников. Описаны теоретические и экспериментальные исследования фотомагнитного эффекта, фотоэлектродвижущей силы, фотоемкости фотопрово...

Киев-Одесса: Вища школа. Головное изд-во, 1982.— 151 с. Сердюк В. В., Чемересюк Г. Г., Терек М. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках: Учеб. пособие для вузов. Аннотация: Приведена феноменологическая теория процессов возбуждения, захвата и рекомбинации неравновесных носителей тока. Значительное внимание уделено изучению электронных процессов, связанных с наличием локальных центров, обеспечивающих захват и рекомбинацию. Описаны методы опред...

Лабораторный практикум для студентов специальности «Технология материалов и компонентов электронной техники». — Минск: БНТУ, 2013. — 86 с. Данный лабораторный практикум содержит теоретические сведения и инструкции, необходимые для выполнения лабораторных работ по дисциплине «Контроль параметров полупроводников». В практикум включены лабораторные работы, посвященные эффекту Холла, явлениям фотоЭДС на границе раздела «полупроводник-электролит», фо...

Новосибирск: "Наука", 1980. — 296 с. 600 dpi + OCR В монографии приведены конкретные данные о радиационных дефектах в полупроводниках, о возможностях и примерах их использования в технологических целях. Большое внимание уделено вопросам управления радиационными процессами. Точечные дефекты, разупорядоченные области, разупорядоченные и аморфные слои,полученные радиационными методами, их свойства, вопросы стабильности, ионное и ядерное легирование,...

Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2002. —- 89 с. Рассмотренные в данном учебном пособии основные положения физики твердого тела можно считать минимально необходимым для дальнейшего, более углубленного изучения основ физики полупроводников.

Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2002. — 127 с. Физика полупроводников - наука молодая и быстроразвивающиеся, поэтому не все разделы имеют завершенный вид. Объем материала соответствует изучению физики полупроводников в течение одного семестра; пользоваться учебным пособием могут студенты, специализирующиеся в области полупроводниковой электроники, электронных приборов и оптоэлектроники.

М.: Мир, 1982, 560 стр. Учебное пособие известного английского физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное и дополненное изданне курса физики полупроводников. С большим педагогическнм мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в полупроводниках. Для аспирантов и студентов университетов и технических вузов, а также для уче...

Перевод с английского. Москва Мир 1982, 560с. Учебное пособие известного английского физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное и дополненное издание курса физики полупроводников. С большим педагогическим мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в полупроводниках. Для аспирантов и студентов университетов и технических...

Монография. - СПб.: Издательство РГПУ им. А.И. Герцена, 2003. - 169 с. ISBN 5-8064-0689-х В монографии приведены результаты оптических исследований сближения энергии плазменных колебаний, межзонных переходов и колебаний кристаллической решетки, наблюдающихся в легированных акцепторной примесью кристаллах висмута и сплавах висмут-сурьма. Работа выполнена в ходе исследований, проводившихся на кафедре общей и экспериментальной физики Российского гос...

Данная книга представляет собой систематической рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений. Книга рассчитана на широкий круг читателей - инженеров, научных работников и студентов старших курсов технических ВУЗов.

Москва, «Советское радио», 1967. 452 с. Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектических свойств и контактных явлений. В первой главе эти вопросы рассмотрены в качественной форме, а в последующих дается количе...

Kиев: Выща школа. Головное издательство, 1982. — 224 с. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—n перехода и гетероперехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих...

-М.; Энергоатомиздат, 2003. - 507 с: ISBN 5-283-00769-3 Рассмотрены явления люминесценции, эмиссии заряженных частиц, генерации электронно-дырочных пар при возбуждении поверхности твердых тел атомными частицами сверхнизких энергий (хемоэлектроника гетерогенных систем). Изложены физические основы методов изучения поверхности и газовой фазы, основанных на неравновесных гетерогенных хемоэффектах. Предложен многоквантовый колебательно-электронный мех...

Учебное пособие, Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989.- 224 с. Библиогр. 11 назв. Ил. 78, Табл. 11 В учебном пособии рассматриваются природа поверхности полупроводников и границы раздела полупроводник-диэлектрик, дано введение в феноменологическую теорию приповерхностной области пространственного заряда полупроводника и описание основных ее характеристик. Излагается теория структур металл-диэлектрик-полупроводник, описываются неравновесные процессы на гра...

Монография .— Ставрополь : изд-во СКФУ, 2015 .— 97 с. — ISBN 978-5-9296-0785-1 В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и нано-стр...

Методические указания по выполнению лабораторной работы. – Хабаровск: ДВГУПС, 2008. – 15 с. Методические указания разработаны в соответствии с профессиональной образовательной программой. Рассмотрены теоретические вопросы, касающиеся проводимости полупроводников. Предназначены для студентов 2–го курса дневной и заочной форм обучения всех инженерно–технических специальностей, изучающих дисциплины "Физика", "Физика твердого тела". Методические ука...

Перевод с чешского. М Издательство иностранной литературы 1962г. 256 с. Книга крупнейшего чехословацкого специалиста по полупроводникам проф. Тауца посвящена фото- и термоэлектрическим явлениям в полупроводниках, на которых основана возможность прямого преобразования световой (солнечной) и тепловой энергии в электрическую. В книге дано краткое изложение физики полупроводников, в частности теории явлений переноса. Основная часть книги посвящена ф...

Учебное пособие. Москва. 2000 г. – 51 стр. Модель Кронига-Пенни. Термодинамические равновесные концентрации электронов и дырок в чистом и примесных полупроводниках. Теория контактного PN-перехода.

Моногр. / В.В. Трегулов ; Ряз. гос. ун-т им. С.А. Есенина. – Рязань, 2011. – 124 с. ISBN 978-5-88006-677-3 Монография содержит обзор информационных источников и основ-ные сведения о пористом кремнии – перспективном материале современной микро- и наноэлектроники. Рассматриваются вопросы технологии из-готовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и электрофизические характеристики, особенности применения при изготовлении по...

Підручник. – К.: Видавничо-поліграфічний центр "Київський університет", 2007. – Т. 1. – 338 с. Викладено основні ідеї фізики твердого тіла, на базі якої вивчається зонна структура напівпровідників; розглянуто статистику електронів та дірок, кінетичні явища та явища перенесення. Подано ефекти, що обумовлені наявністю домішок та дефектів у напівпровідниках. Розглянуто механізми розсіювання носіїв заряду, процеси дифузії та дрейфу. Обговорюються яви...

Рига: Зинатне, 1966.-547 с. Сборник трудов, обзорных работ, статей по изeчению физики p-n переходов. Число работ, посвященных исследованию физических свойств переходов растет. Книга будет интересна для специалистов, работающих в области изучения физических явлений в полупроводниках, а также для занимающихся изучением свойств ряда полупроводниковых приборов с p-n переходами.

М.: Мир. 1970. 488с. Книга представляет собой коллективную монографию крупных зарубежных специалистов по физике полупроводников, посвпщенную оптическим свойствам полупроводниковых соединений элементов III и V групп периодической системы (A^3 B^5). Такие соединения (InSb, GaAs, InР, ВР и т. д.) в последние годы находят все более широкое применение как материалы для полупроводниковых приборов в электронике и лазерной технике. В книге излагаются рез...

Учебное пособие. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с. Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология получения расчетных оценок амплитудно-временных характеристик импульс...

М.: Наука. Год издания: 1977. Количество страниц: 366. Предметный указатель: Абсолютно черное тело. Автоколлимационная схема. Акустические фононы. Алмазная решетка. Анализ эллиптической поляризации. Антимонид алюминия. Аренса поляризатор. Арсенид галлия. Арсенид индия. Атомные полупроводники. Болометр. Бриллюэна зона. Броута правило сумм. Брюстеря угол. Бурштейна — Мосса эффект. ван Хова особые точки. Ванье — Мотта экситон. Вектор волновой фонона...

Омский государственный университет путей сообщения, Омск, 2012. - 13 с. Представлена контрольная работа с подробным решением. Задание: Определить прямой ток, сопротивление постоянному току и сопротивление переменному току кремниевого диода. Обратный ток диода Iо= 20 мкА, прямое напряжение 0,9 В, температура T = 300° К По исходным данным, приведенным в табл. 2.1, постройте схему включения биполярного транзистора в активном режиме его работы, постр...

Учеб. пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Технология специальных материалов электронной техники». — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1984. — 352 с., ил. В книге изложены основные разделы физики полупроводников; освещены важнейшие области ах применения; рассмотрены наиболее распространенные методы измерения параметров полупроводниковых материалов. Содержание второго издания (1-е вышло в 1975 г.) переработано с уч...

Монография — М.: Металлургия, 1977, 240 с. — 600dpi, чёрно-белый, OCR Рассмотрены принципиальные отличия явления распада в полупроводниках от распада в металлах. Показано возникновение в полупроводниках качественно новых закономерностей — ускорение распада, появление дополнительных кинетических стадий и др. Развит квазихимический подход для описания процессов взаимодействия примесных атомов с дефектами и анализа кинетических кривых распада. Под...

Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов.

Перевод с английского. Москва издательство "Мир" 1989 г. в 3 частях 341 стр. Труды традиционной большой интернациональной конференции которая проводится в ETTORE MAJORANA FOUNDATION AND CENTRE FOR SCIENTIFIC CULTUR и посвящена актуальным вопросам физики твердого тела.

М. Мир 1989г. 240 с Книга польского ученого представляет собой введение в новую область физики полупроводников - физику многослойных полупроводниковых микроструктур, так называемых сверхрешеток, нашедших важное применение в пикосекундной полупроводниковой электронике. Раасматривается электропроводность сверхрешеток, обсуждаются перспективы их применения, а также технология изготовления и результаты экспериментальных исследований. Книга содержит д...

М.: "Наука", 1986. - 240 с. В книге описываются бесщелевые полупроводники, свойства которых благодаря отсутствию щели между зоной проводимости и валентной зоной чрезвычайно чувствительны к внешним воздействиям. Рассматриваются электронный спектр чистых бесщелевых полупроводников типа серого олова и теллурида ртути, влияние примесей (в том числе магнитных) на их зонную структуру и явления переноса заряда. Обсуждаются возможности и перспективы исп...

Издательство "Наука", Главная редакция физико-математической литературы, М. , 1972 г. Книга посвящена изложению современного состояния зонной теории полупроводников и динамики электронов и дырок. Подробно рассматриваются методы расчета электронных энергетических спектров твердых тел, причем уделяется внимание вопросам построения качественной картины спектра на основе одних лишь соображений симметрии и химической связи или на основе детального ана...

Запорожье: ЗГИА, 2004. — 344 с. Изложены теоретические основы и вопросы практической реализации технологии полупроводникового кремния, методы выращивания монокристаллов и получения изделий из кремния, а также получение эпитаксиальных слоев кремния. Значительное внимание уделено фазовым переходам в полупроводниках и тонкой структуре монокристаллов кремния. Рассмотрено влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и...

М.: Наука, 1969. — 292 с. В книге в весьма доступной и сжатой форме описаны тепловые и диффузионные процессы в кристаллах, кинетические, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Включены такие новые вопросы, как явления в сильных квантующих магнитных полях, электрическая доменная неустойчивость, принципы работы квантовых оптических генераторов. Интерпретация явлений дана, прежде всего, качественная, но в необходимых случаях приво...

М.: Наука, 1969. — 292 с. В книге в весьма доступной и сжатой форме описаны тепловые и диффузионные процессы в кристаллах, кинетические, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Включены такие новые вопросы, как явления в сильных квантующих магнитных полях, электрическая доменная неустойчивость, принципы работы квантовых оптических генераторов. Интерпретация явлений дана, прежде всего, качественная, но в необходимых случаях приво...

Москва, Издательство "Энергоатомиздат", 1985 год - 392 стр. В книге рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивания носителей зарядов, генерация и рекомбинация носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства....

М.: Энергоатомиздат, 1985. — 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектр...

Учебник. 4-е изд., стер. — СПб.: Лань, 2010. — 400 с. — (Учебники для вузов. Специальная литература). В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактн...

Учебное пособие для вузов. — М.: Энергия, 1971. — 312 с. В книге изложены основные вопросы по физики полупроводников. В ней рассмотрена элементарная теория проводимости и модельные представления о механизме проводимости полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей, диффузия и дрейф неравновесных носителей зар...

2-е изд., перераб. — М.: Энергия, 1976. — 416 с. В книге изложены основные вопросы физики полупроводников. В ней рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, и...

М.: Мир, 1991. — 464 с., ил. Книга ученого из ФРГ содержит систематическое изложение актуальных вопросов динамики нелинейных систем, неравновесных фазовых переходов и возникновения детерминированного хаоса в приложении к физике полупроводников. Сделана попытка связать физику полупроводников с теорией линейных механических систем, далеких от термодинамического равновесия. Рассматриваются токовые пространственно-временные неустойчивости и структуры...

СПб, СПбГТУ, 1993. - 76 с Посвящено физике, технологии и возможностям приборного применения полупроводниковых структур с двумерным электронным газом. Исследование таких структур стало в последнее десятилетие наиболее активно развивающимся направлением физики полупроводников. Предназначено для студентов-физиков, изучающих физику полупроводников, в первую очередь для студентов радиофизического факультета специальностей 20.01 (физическая электроника...

Учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: ННГУ, 2009. – 18 с. Данное учебно-методическое пособие является дополнением к курсу «Физика низкоразмерных систем», читаемом на физическом факультете ННГУ для студентов, обучающимся по направлению подготовки 210600 «Нанотехнология». В пособии рассматривается метод построения энергетической диаграммы идеального гетероперехода по правилу электронного сродства и приводится методика расчета параметров...

Изд. «Наука», Физ-мат лит., Москва, 1979 г. , 416 стр. В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсеновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активациоииой при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления,...

Монография. — М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1979, 416 стр. Аннотация: В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсоиовская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активационной при изменении степени...

М.: Металлургия, 1964.- 208с. Книга знакомит читателя с рядом перспективных для радиоэлектроники полупроводниковых материалов, принадлежащих к наиболее обширной группе полупроводников — алмазоподобным полупроводникам. В книге рассматриваются только такие полупроводники, технологии изготовления которых в отечественной и зарубежной литературе. Детальному описанию этих материалов предшествуют главы, в которых изложены основы физики, химии и технолог...

Приложение к теории транзисторов. - М.: Издательство иностранной литературы, 1953. - 715 с. В основу этой книги положен ряд лекций, прочитанных автором в связи с развитием программы работ по транзисторам. Содержание ее и структура в значительной степени определились этими лекциями. Ударение в из.1ожении сделано, в соответствии с этим, на явления, наиболее существенные для электроники транзисторов. Первая часть книги содержит лишь самое элементарн...

Java приложение на телефон. Подходит на любой телефон, поддерживающий java. Есть функция поиска, активное оглавление. Общие сведения Собственные и примесные полупроводники Время жизни носителей заряда и диффузионная длина Основные эффекты в полупроводниках Бинарные соединения Нанокристаллические полупроводники Температурные зависимостиrn

Москва: Радио и связь, 1997.-208 с. В монографии, написанной известным специалистом в области полупроводниковой электроники, изложены физические основы работы, технология и проблемы надежности лавинно-пролетных диодов. Рассмотрены вопросы конструирования СВЧ-генераторов и усилителей на основе лавинно-пролетных диодов. Приведены примеры использования приборов в СВЧ-технике. Для научных работников и инженеров, работающих в области полупроводниково...

Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных р...

3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...

М., Изд. МГУ, часть 1 (122 с.), 1988 Учебное пособие включает в себя первую часть спецкурса, посвященного различным явлениям, обусловленным взаимодействием электромагнитного излучения с полупроводниками. Рассмотрены поглощение, отражение, излучение света, связь оптических параметров с квантовомеханическими параметрами системы; показано, как из спектров в коротковолновой области определяется электронный энергетический спектр во всей зоне Бриллюэн...

М., Изд. МГУ, часть 2 (88 с.), 1991 Учебное пособие представляет собой вторую часть спецкурса, который посвящен взаимодействию электромагнитного излучения с полупроводниками. Рассмотрены поглощение и отражение свободными носителями тока, однофононный резонанс, двухфононное поглощение, рассеяние на оптических и акустических фононах. Рассмотрено взаимодействие света с примесями, поглощение и излучение на водородоподобных центрах, поглощение и излуч...

Новосибирск: НГУ, 1980. — 92 с. Учебное пособие посвящено анализу работы и методам расчета основных элементов акустоэлектронных устройств обработки и хранения информации - преобразователей для возбуждения и индикации поверхностных волн. Эти вопросы являются предметом второй части учебного пособия. В НГУ соответствующие лекции читаются на IV курсе физического факультета. Пособие предназначено для студентов физического факультета, специализирующи...

Пособие. — Минск: БГУ, 2014. — 156 с. Рассмотрены вопросы, связанные с воздействием радиации на полупроводниковые материалы, а также физические принципы и явления, лежащие в основе современных ионно—радиационных технологий. Для студентов учреждения высшего образования, обучающихся по специальности «Физика (по направлениям)». Процессы образования первичных радиационных дефектов в полупроводниках. Управление составом дефектных центров. Влияние скоп...

Учебное пособие. Воронеж: ИПЦ ВГУ, 2007. - 62 с.Учебное пособие подготовлено на кафедре неорганической химии химического факультета Воронежского государственного университета. Оно содержит основные материалы курса "Основы физики и химии полупроводников", изложенные в удобной и компактной форме, с большим количеством поясняющих иллюстраций и таблиц. В первой части пособия кратко излагаются основные положения физики твердого тела. Главное внимание...

Учебное пособие. Воронеж: ИПЦ ВГУ, 2007. - 51 с. Учебное пособие подготовлено на кафедре неорганической химии химического факультета Воронежского государственного университета. Оно содержит основные материалы курса "Основы физики и химии полупроводников", изложенные в удобной и компактной форме, с большим количеством поясняющих иллюстраций и таблиц. Рекомендуется для студентов III курса дневного и IV курса вечернего отделения специальности: 02010...

Wile, Chichester, 2009, 400 pages The main purpose of this book is to pre a comprehensive treatment of the materials aspects of group-IV, III?V and II?VI semiconductor alloys used in various electronic and optoelectronic devices. The topics covered in this book include the structural, thermal, mechanical, lattice vibronic, electronic, optical and carrier transport properties of such semiconductor alloys. The book reviews not only commonly known...

Elsevier, 2007. - 476 p. Introduction Germanium Materials Grown-in Defects in Germanium Diffusion and Solubility of Dopants in Germanium Oxygen in Germanium Metals in Germanium Ab-Initio Modeling of Defects in Germanium Radiation Performance of Ge Technologies Electrical Performance of Ge Devices Device Modeling Nanoscale Germanium MOS Dielectrics and Junctions Advanced Germanium MOS Devices Alternative Ge Applications Trends and Outlook

2007. - 296 p. This book brings together several leaders in theoretical research on defects in semiconductors. Although the treatment is tutorial, the level at which the various applications are discussed is today's state-of-the-art in the field. The book begins with a "big picture" view from Manuel Gardona, and continues with a brief summary of the historical development of the subject in Ghap. This includes an overview of today's most commonly...

Выражение для емкости резкого p-n перехода в случае полностью ионизированных примесей. Определение величины его барьерной емкости. Расчет контактной разности потенциалов, толщины слоя объемного заряда. Величина собственной концентрации электронов и дырок. Кол-во стр. 22

World Scientific Publishing Company, 1995. - 250 р. This book surveys semiconductor superlattices, in particular their growth and electronic properties in an applied electric field perpendicular to the layers. The main developments in this field, which were achieved in the last five to seven years, are summarized. The electronic properties include transport through minibands at low electric field strengths, the Wannier–Stark localization and Bloc...

2nd ed. - Springer-Verlag, Berlin, 2010, 570 p. This book presents a detailed description of the basic physics of semiconductors. All the important equations describing the properties of these materials are derived without the help of other textbooks. The reader is assumed to have only a basic command of mathematics and some elementary semiconductor physics. The text covers a wide range of important semiconductor phenomena, from the simple to the...

2004. - 453 p. The electronic properties of semiconductors form the basis of the latest and current technological revolution, the development of ever smaller and more powerful computing devices, which affect not only the potential of modern science but practically all aspects of our daily life. This dramatic development is based on the ability to engineer the electronic properties of semiconductors and to miniaturize devices down to the limits se...

Elsevier Science, 2005, Pages: 630 The high speed lasers operating at wavelength of 1.3 µm and 1.55 µm are very important light sources in optical communications since the optical fiber used as a transport media of light has dispersion and attenuation minima, respectively, at these wavelengths. These long wavelengths are exclusively made of InP-based material InGaAsP/InP. However, there are several problems with this material system. Therefore,...

CRC : 2010, ISBN: 1439826943, 431 pages Space applications, nuclear physics, military operations, medical imaging, and especially electronics (modern silicon processing) are obvious fields in which radiation damage can have serious consequences, i.e. , degradation of MOS devices and circuits. Zeroing in on vital aspects of this broad and complex topic, Radiation Effects in Semiconductors addresses the ever-growing need for a clear understanding o...

Wоrld Sciеntific, 1994, 349 pages This volume discusses the theory of the electron states of transition metal impurities in semicondutors in connection with the general theory of isoelectronic impurities. It contains brief descriptions of the experimental data available for transition metal impurities (from iron, palladium and the platinum groups) and rare-earth impurities in various semiconductor compounds. The applications of the theory to th...

2nd ed. Springer, 2005. - 797 p. The book on Semiconductor Optics has been favourably received by the students and the scientific community worldwide. After the first edition, which appeared in 1995 several reprints became necessary starting from 1997, one of them for the Chinese market. They contained only rather limited updates of the material and corrections. In the meantime scientific progress brought a lot of new results, which necessitate a...

Язык издания английский. Количество страниц - 490. В доступной форме изложены основы физики твердого тела и взаимодействие света с полупроводниками. Уравнения Максвелла, фотоны, спектры отражения и поглощения, влияние поверхности, электрон в периодическом поле кристаллической решетки, экситоны, плазмоны, нелинейная оптика, ультрабыстрая спектроскопия и экспериментальная техника

Electronics —1965 — issue 8 — p.6 В этой статье был впервые описан известный всеми закон Мура, говорящий о экспоненциальном росте компонентов СБИС на одном кристалле.

Acаdemic Prеss, 1973, 288 pages This classic work on the basic chemistry and solid state physics of semiconducting materials is now updated and improved with new chapters on crystalline and amorphous semiconductors. Written by two of the world's pioneering materials scientists in the development of semiconductors, this work offers in a single-volume an authoritative treatment for the learning and understanding of what makes perhaps the world's...

1999. - 436 p. This book, then, is written primarily for the postgraduate student and the experimentalist. It attempts to set out the theory of those basic quantum-mechanical processes in homogeneous semiconductors which are most relevant to applied semiconductor physics. Therefore the subject matter is concentrated almost exclusively on electronic processes. Thus no mention is made of phonon-phonon interactions, nor is the optical absorption by...

Cambridge University Press; 2 edition, 2009, 409 pages Advances in nanotechnology have generated semiconductor structures that are only a few molecular layers thick, and this has important consequences for the physics of electrons and phonons in such structures. This book describes in detail how confinement of electrons and phonons in quantum wells and wires affects the physical properties of the semiconductor. This second edition contains fou...

Springer, New York, 2008, 622 pages This book describes semiconductors from a materials science perspective rather than from condensed matter physics or electrical engineering viewpoints. It includes discussion of current approaches to organic materials for electronic devices. It further describes the fundamental aspects of thin film nucleation and growth, and the most common physical and chemical vapor deposition techniques. Examples of the app...

Wiley-VCH, 2003, 686 pages Semiconductor components based on silicon have been used in a wide range of applications for some time now. These elemental semiconductors are now well researched and technologically well developed. In the meantime the focus has switched to a new group of materials: ceramic semiconductors based on nitrides are currently the subject of research due to their optical and electronic characteristics. They open up new indus...

Springer, 1995, 318 pages Based on courses given at the Ecole Polytechnique in France, this book covers not only the fundamental physics of semiconductors, but also discusses the operation of electronic and optical devices based on semiconductors. It is aimed at students with a good background in mathematics and physics, and is equally suited for graduate-level courses in condensed-matter physics as for self-study by engineers interested in a...

Springer-Verlag, 2009. 294 pp. Defect charging can affect numerous aspects of defect properties, including physical structure, rate of diffusion, chemical reactivity, and interactions with the electrons that give the semiconductor its overall characteristics. This book represents the first comprehensive account of the behavior of electrically charged defects in semiconductors. A comprehensive understanding of such behavior enables "defect engine...

Prentice Hall. 1995. 484 p. Crystal properties and growth of semiconductors Atoms and electrons Energy bands and charge carriers in semiconductors Excess carriers in semiconductors Junctions p-n junction diodes bipolar junction transistors field-effect transistors Integrated circuits Lasers p-n-p-n switching devices Negative conductance microwave devices

2003. - 396 p. This book is made up of recent new developments in the field of ultrafast dynamics in semiconductors with particular emphasis on its applications. It consists of eight chapters. The Chapter by Jie Shan and Tony F. Heinz reviews the different schemes for generating THz radiation using photoconductive emitters excited by femtosecond lasers. The Chapter by Dzmitry A. Yaroteki and Antoinette J. Taylor deals with principles and applicat...

Springer, 2000, 144 pages Recent advances in semiconductor technology have made it possible to fabricate microcavity structures in which both photon fields and electron-hole pairs (or excitons) are confined in a small volume comparable to their wavelength. The radiative properties of the electron-hole pairs and excitons are modified owing to the drastic change in the structure of the electromagnetic-field modes. This book is the first to give a...