Зеегер К. Физика полупроводников

формат djvu
размер 6.94 МБ
добавлен 04 марта 2009 г.

М.: Мир, 1977. - 616 с. Пер с англ. под ред. Ю. К. Пожелы: K. Seeger, Semiconductor Physics, Wien: Springer-Werlag, 1973.
Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим изложением основных принципов физики полупроводников в ней можно найти достаточно обширный материал, касающийся новейших направлений исследований в этой области. Обилие охваченного в книге материала делает ее энциклопедическим справочником, полезным при работе над текущей научной литературой.
Книга может служить учебным пособием для студентов физических и инженерных специальностей. Она представляет интерес для научных работников, работающих в различных областях физики полупроводников и полупроводниковой электроники, а также инженеров, преподавателей, аспирантов.

Смотрите также

Бормонтов Е.Н., Хухрянский М.Ю. Моделирование поверхностных свойств полупроводников. Учебно-методические материалы к лекциям и практическим занятиям

Практикум

формат pdf
размер 247.03 КБ
добавлен 30 августа 2011 г.

Воронеж: ВГУ, 2002. - 23 с. Настоящее пособие является продолжением учебно-методических материалов по физике полупроводников, в котором рассмотрены объемные свойства полупроводниковых материалов и методы их исследования. В пособии рассмотрена классификация поверхностных электронных состояний, дано введение в феноменологическую теорию поверхности и описание основных поверхностных свойств полупроводников. Особое внимание уделено моделированию важн...

Гасанли Ш.М., Мурсакулов Н.Н., и др. Особенности механизмов проводимости в гетероструктурах Si/олиго-?-нафтол/металл

Статья

формат pdf
размер 194.93 КБ
добавлен 07 октября 2011 г.

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 7, с. 905-909 Проведено исследование механизмов проводимости в гетероструктурах Si?полимер?металл, где в качестве широкозонного полимера был использован олиго-?-нафтол. Полученные результаты объясняются в рамках моделей прыжкового переноса по ловушечным уровням, эмиссии Шоттки и полевой туннельной эмиссии. При этом разные механизмы переноса заряда работают в разных температурных интервалах и п...

Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами

Статья

формат tif
размер 451.22 КБ
добавлен 12 декабря 2011 г.

Отрывок из журнала физика и техника полупроводников, Санкт-Петербург, Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №4 с. 437 – 440 Анотация. Рассмотрены некоторые особенности спектров DLTS глубоких уровней, которые эффективно обмениваются носителями тока с обеими разрешенными зонами. Показано, что максимумы пиков смещаются незначительно по шкале температур, но обработка спектров традиционными методами приводит к ошибкам в определении параметр...

Луцкий В.Н., Пинскер Т.Н. Размерное квантование

формат djvu
размер 1.03 МБ
добавлен 05 декабря 2011 г.

М.: Знание, 1983. - 64 с. - (Новое в жизни, науке, технике. Сер. "Физика"; №9). В научно-популярной форме описываются свойства двумерного электронного газа в кристаллах: в тонких пленках, слоях пространственного заряда на поверхности полупроводников и гетеропереходах. Обсуждаются механизмы образования двумерных электронных систем и условия их реализации. Перечислены основные направления фундаментальных и прикладных исследований двумерных электрон...

Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков

формат djvu
размер 4.55 МБ
добавлен 15 декабря 2011 г.

М.: Высшая школа, 1977. - 448 с. В книге изложены элементы зонной теории твердых тел; статистика электронов и дырок в полупроводниках; неравновесные носители заряда в полупроводниках и диэлектриках; кинетические явления в полупроводниках; контактные явления и физика p-n-переходов; поверхностные, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках; некоторые вопросы в физике неоднородных и неупорядоченных структур; явления в си...

Поклонский Н.А. и др. Полупроводники: основные понятия

формат pdf
размер 2.2 МБ
добавлен 14 июня 2011 г.

Справочное пособие. - Н. А. Поклонский, С, А. Вырко, Н. М. Лапчук; - Минск, БГУ, 2002. - 155 с. Справочное пособие по основным понятиям полупроводников исходит из опыта чтения курсов лекций "Статистическая физика полупроводников" и "Низкоразмерные конденсированные системы" в БГУ. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов проводимости, дырок, фононов и атомных дефектов в трех-, двух- и одномерных кристаллических...

Смит Р. Полупроводники

формат pdf
размер 26.32 МБ
добавлен 13 июля 2010 г.

М.: Мир, 1982, 560 стр. Учебное пособие известного английского физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное и дополненное изданне курса физики полупроводников. С большим педагогическнм мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в полупроводниках. Для аспирантов и студентов университетов и технических вузов, а также для уче...

Смит Р. Полупроводники

формат djvu
размер 6.85 МБ
добавлен 07 декабря 2010 г.

Перевод с английского. Москва Мир 1982, 560с. Учебное пособие известного английского физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное и дополненное издание курса физики полупроводников. С большим педагогическим мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в полупроводниках. Для аспирантов и студентов университетов и технических...

Судзуки Т., Ёсинага Х., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность

формат djvu
размер 7.38 МБ
добавлен 28 декабря 2010 г.

М.: Мир, 1989 Динамика дислокаций и пластичность. Физика твердого тела, кристаллофизика, физика дислокаций, физика полупроводников, материаловедение.

Шалимова К.В. Физика полупроводников

формат pdf
размер 6.82 МБ
добавлен 18 августа 2010 г.

М.: Энергоатомиздат, 1985. — 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектр...