М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2009. — 443, [2] с.: ил. — ISBN
978-5-7038-3251-6.
Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных
явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками
электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В
отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы
активной среды. Это позволило исследовать все возможные типы
лазерных переходов, используя материалы с различными свойствами, в
том числе недоступные для инжекционных лазеров, обнаружить новые
явления, создать мощные лазеры, конкурирующие твердотельными.
Рассмотрены известные соединения A3B5 и A2B6, а также новые трех- и
четырехкомпонентные «идеальные» твердые растворы. В условиях
интенсивного возбуждения обнаружено новое явление - атермический
импульсный отжиг, в результате которого улучшаются объемные и
поверхностные свойства активных сред. Описаны деградационные
явления и спектрально-временные характеристики излучения с
разрешением до 10Е-11с. Рассмотрены возможные физические модели
этих явлений.
Материалы монографии автор использует при чтении лекций в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Изложенный в книге материал ранее в других монографиях не обсуждался.
Для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области квантовой электроники.
Материалы монографии автор использует при чтении лекций в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Изложенный в книге материал ранее в других монографиях не обсуждался.
Для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области квантовой электроники.