Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной
физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN
5-86763-111-7.
В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притягивающие центры, захват ограничивающий диффузией, многофононные процессы, оже - процессы, влияние постоянных и переменных электрических полей на процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбинационные процессы в полупроводниковых квантовых структурах. Результаты теории сопоставляются с экспериментальными данными.
Книга предназначена для научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов ВУЗов.
В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притягивающие центры, захват ограничивающий диффузией, многофононные процессы, оже - процессы, влияние постоянных и переменных электрических полей на процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбинационные процессы в полупроводниковых квантовых структурах. Результаты теории сопоставляются с экспериментальными данными.
Книга предназначена для научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов ВУЗов.