Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках

формат pdf
размер 5.92 МБ
добавлен 03 июля 2010 г.

Издательство: М.: Мир.
Год: 1974.
Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных микросхем. В основу книги легли лекции, читавшиеся автором в ведущих технических университетах США; текст содержит большое количество иллюстративного, в частности графического, материала, что делает книгу полезной для практических целей.
Книга представляет интерес для специалистов в области физики твердого тела, физической электроники и электронной техники, а также для аспирантов и студентов университетов физико-технических и радиоэлектронных вузов.

Смотрите также

Абакумов Б.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках

формат djvu
размер 3.06 МБ
добавлен 16 января 2010 г.

Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притяги...

Воробьев Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах

формат pdf
размер 5.7 МБ
добавлен 09 сентября 2010 г.

Санкт-Петербург, Издательство СПбГТУ, 1999г. Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях, функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и др. Проведены расчеты этих характеристик. Приведено сопоставление с экспериментом. Пособие ориентировано на образова...

Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов

формат djvu
размер 4.58 МБ
добавлен 15 октября 2010 г.

Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...

Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках

формат tif
размер 32.83 МБ
добавлен 20 марта 2011 г.

Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn

Зюганов А.Н., Свечников С.В. Инжекционно-Контактные Явления в Полупроводниках

формат djvu
размер 4.28 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

Киев, Наукова Думка, 256 стр., 1981 г. Изложена физика инжекционно-контактные явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с уче...

Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках

формат djv
размер 5.42 МБ
добавлен 19 января 2010 г.

Данная книга посвящена изучению влияний различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных схем. В основу книги легли лекции, читавшиеся автором в ведущих технических университетов США; тек...

Светцов В.И., Вакуумная и плазменная электроника

формат pdf
размер 1.46 МБ
добавлен 01 февраля 2011 г.

Учебное пособие. Ивановский гос химико-технологический университет. Изд. ИГХТУ, 2003. 172 стр. Для студентов специальности 251000 "Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники" по дисциплине "Физическая электроника и электронные приборы" и 550700 "Электроника и микроэлектроника" по дисциплине "Вакуумная и плазменная электроника".

Толмачёв В.В. Квантовая физика полупроводников

формат djvu
размер 1.23 МБ
добавлен 22 октября 2009 г.

Учебное пособие. Москва. 2000 г. – 51 стр. Модель Кронига-Пенни. Термодинамические равновесные концентрации электронов и дырок в чистом и примесных полупроводниках. Теория контактного PN-перехода.

Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н. Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках

формат pdf
размер 1.06 МБ
добавлен 11 марта 2011 г.

Учебное пособие. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с. Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология получения расчетных оценок амплитудно-временных характеристик импульс...

Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

формат pdf
размер 1.43 МБ
добавлен 19 сентября 2011 г.

3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...