Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

формат pdf
размер 1.43 МБ
добавлен 19 сентября 2011 г.

3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с.

Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов.
Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач "за руку" приведут студентов к научным результатам.

Содержание

Введение
Структура электронных зон
Колебательные свойства атомов в полупроводниках и электрон-фононное взаимодействие
Электронные свойства дефектов
Электрический транспорт
Оптические свойства I
Оптические свойства II
Фотоэлектронная спектроскопия
Квантовый размерный эффект для электронов и фононов в полупроводниках

Смотрите также

Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов

формат djvu
размер 4.58 МБ
добавлен 15 октября 2010 г.

Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...

Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках

формат tif
размер 32.83 МБ
добавлен 20 марта 2011 г.

Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn

Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники

формат pdf
размер 7.54 МБ
добавлен 06 августа 2011 г.

Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направле-ний микроэлектроники. Для студентов с...

Лабораторная работа №1

Лабораторная

формат doc
размер 39.07 КБ
добавлен 27 декабря 2007 г.

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лабораторная работа №2

Лабораторная

формат doc
размер 98 КБ
добавлен 28 декабря 2007 г.

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лекции Основы физики полупроводников

Статья

формат doc
размер 423 КБ
добавлен 31 января 2011 г.

На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...

Свойства полупроводников, расчёт характеристик p-n перехода

Курсовая работа

формат docx
размер 423.15 КБ
добавлен 04 мая 2011 г.

Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.rn

Стильбанс Л.С. Физика полупроводников

формат djv
размер 3.71 МБ
добавлен 19 января 2010 г.

Данная книга представляет собой систематической рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений. Книга рассчитана на широкий круг читателей - инженеров, научных работников и студентов старших курсов технических ВУЗов.

Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники

формат pdf
размер 397.15 КБ
добавлен 03 января 2009 г.

Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.

Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

формат djvu
размер 11.48 МБ
добавлен 06 июля 2010 г.

Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных р...