Л.: «Наука», 1981. — 176 с. OCR
В книге обобщен опыт использования емкостных методов для
исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах и
приборах.
Рассмотрены определение параметров глубоких центров и профиля их концентрации,
идентификация неконтролируемых глубоких центров, кинетика образования и отжига радиационных дефектов.
Теоретический анализ сочетается с примерами из различных областей физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Рис. 87, табл. 1, библ. назв. 148.
Рассмотрены определение параметров глубоких центров и профиля их концентрации,
идентификация неконтролируемых глубоких центров, кинетика образования и отжига радиационных дефектов.
Теоретический анализ сочетается с примерами из различных областей физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Рис. 87, табл. 1, библ. назв. 148.