К.: "Наукова думка", 1992.- 240 с.
В монографии изложены результаты исследований открытого
сотрудниками Института полупроводников АН Украины явления
стимулированного излучением проникновения металла в полупроводники
(Photodoping). Впервые обобщен экспериментальный материал,
касающийся природы явления и технологических особенностей его
практического применения. Рассмотрены физические процессы,
происходящие в тонкопленочных системах полупроводник — металл при
их облучении. Основное внимание уделено системам халькогепндные
стеклообразные полупроводники — серебро, на основе которых созданы
высокоразрешающие регистрирующие среды. Приведены примеры
практического применения таких сред для производства
опто-технических изделий, в качестве неорганического резиста для
оптической электронной, ионной и рентгеновской литографии, для
записи информации и др.
Для научных работников и инженеров, занимающихся изучением радиационно-стимулированной диффузии в неупорядоченных твердых телах, созданием и применением регистрирующих сред.
Для научных работников и инженеров, занимающихся изучением радиационно-стимулированной диффузии в неупорядоченных твердых телах, созданием и применением регистрирующих сред.