Иващенко В.М., Митин В.В. Моделирование кинетических явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло

Киев: Наукова думка. 1990. – 192 с. В монографии подробно изложены методы и алгоритмы моделирования на ЭВМ кинетических явлений в кремнии, германии, полупроводниках типа A₃B₅. Приведены математические модели систем, описываемых уравнением. Больцмана. Большое внимание уделено рассмотрению процессов рассеяния носителей тока. Обсуждаются особенности функций распределения и кинетических коэффициентов в электрических и магнитных полях. Приведены блок-схемы и тексты программ численного моделирования кинетических явлений в полупроводниках, а также таблицы и графики, иллюстрирующие расчеты. Даны рекомендации по оптимизации программ расчетов.
Для научных и инженерно-технических работников, изучающих и использующих численное моделирование процессов токопереноса в полупроводниках и полупроводниковых приборах; может применяться как учебное пособие студентами вузов. Предисловие
Основные обозначения
Кинетическое уравнение Больцмана и метод Монте-Карло
Зонная структура полупроводников
Теория рассеяний носителей в полупроводниках
Процедура моделирования кинетических явлений методом Монте-Карло
Моделирование кинетических явлений в полупроводниках Параметры, необходимые для моделирования кинетических свойств полупроводниковых материалов
ФОРТРАН-программа моделирования кинетических свойств полупроводниковых материалов типа A₃B₅ методом Монте-Карло
Список литературы