Лабораторный практикум для студентов специальности «Технология
материалов и компонентов электронной техники». — Минск: БНТУ, 2013.
— 86 с.
Данный лабораторный практикум содержит теоретические сведения и
инструкции, необходимые для выполнения лабораторных работ по
дисциплине «Контроль параметров полупроводников».
В практикум включены лабораторные работы, посвященные эффекту Холла, явлениям фотоЭДС на границе раздела «полупроводник-электролит», фотоэлектромагнитному эффекту, емкостным и зондовым методам контроля полупроводников. Электрофизические параметры полупроводниковых материалов.
Анализ радиального распределения рекомбинационных параметров методом поверхностных фотоЭДС.
Определение рекомбинационных параметров p–Ge методом ФЭМ-эффекта.
Определение и концентрационного профиля легирования в базовой области p–n-перехода методом вольтфарадных характеристик.
Определение времени жизни неосновных носителей заряда методом модуляции проводимости.
В практикум включены лабораторные работы, посвященные эффекту Холла, явлениям фотоЭДС на границе раздела «полупроводник-электролит», фотоэлектромагнитному эффекту, емкостным и зондовым методам контроля полупроводников. Электрофизические параметры полупроводниковых материалов.
Анализ радиального распределения рекомбинационных параметров методом поверхностных фотоЭДС.
Определение рекомбинационных параметров p–Ge методом ФЭМ-эффекта.
Определение и концентрационного профиля легирования в базовой области p–n-перехода методом вольтфарадных характеристик.
Определение времени жизни неосновных носителей заряда методом модуляции проводимости.