М.: Главная редакция физико-математической литературы издательства
«Наука», 1976. — 416 с.
Книга посвящена полупроводниковым лазерам — эффективным и
компактным источникам когерентного излучения, имеющим перспективы
широкого практического применения. Основное место в книге уделяется
инжекционным лазерам и лазерам с возбуждением быстрыми электронами.
Во Введении дается краткий обзор характеристик и сводка
полупроводниковых материалов, используемых в лазерах. Первая часть
книги содержит анализ механизма излучательной рекомбинации в
кристаллах полупроводниковых соединений, некоторых вопросов
динамики и основных характеристик полупроводниковых лазеров
инжекционного типа. Рас-смотрены физические процессы,
сопровождающие работу лазера, а также проблемы, возникающие при их
практическом применении.
Во второй части книги рассматриваются теоретические вопросы и практические применения лазеров с электронным возбуждением; описаны процессы взаимодействия быстрых электронов с кристаллом, образование избыточных носителей тока, процессы взаимодействия когерентного излучения с активной средой в лазерах этого типа при различной геометрии резонатора и пучка, тепловые режимы, динамика генерации и практическое применение лазеров с электронным возбуждением.
Во второй части книги рассматриваются теоретические вопросы и практические применения лазеров с электронным возбуждением; описаны процессы взаимодействия быстрых электронов с кристаллом, образование избыточных носителей тока, процессы взаимодействия когерентного излучения с активной средой в лазерах этого типа при различной геометрии резонатора и пучка, тепловые режимы, динамика генерации и практическое применение лазеров с электронным возбуждением.