Учебное пособие, Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989.- 224 с.
Библиогр. 11 назв. Ил. 78, Табл. 11 В учебном пособии рассматриваются природа поверхности полупроводников и границы раздела полупроводник-диэлектрик, дано введение в феноменологическую теорию приповерхностной области пространственного заряда полупроводника и описание основных ее характеристик.
Излагается теория структур металл-диэлектрик-полупроводник, описываются неравновесные процессы на границе полупроводник-диэлектрик и в области пространственного заряда МДП-
структур, методы исследования и свойства реальных МДП-систем.
В приложении помещены графики, таблицы и алгоритмы анализа и расчета, применяемые для исследования реальных МДП-систем.
Издание предназначено для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики и техники полупроводников и полупроводниковых приборов. Может быть полезно широкому кругу инженерно-технических работников электронной промышленности и специалистам в области интегральной микроэлектроники.
Библиогр. 11 назв. Ил. 78, Табл. 11 В учебном пособии рассматриваются природа поверхности полупроводников и границы раздела полупроводник-диэлектрик, дано введение в феноменологическую теорию приповерхностной области пространственного заряда полупроводника и описание основных ее характеристик.
Излагается теория структур металл-диэлектрик-полупроводник, описываются неравновесные процессы на границе полупроводник-диэлектрик и в области пространственного заряда МДП-
структур, методы исследования и свойства реальных МДП-систем.
В приложении помещены графики, таблицы и алгоритмы анализа и расчета, применяемые для исследования реальных МДП-систем.
Издание предназначено для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики и техники полупроводников и полупроводниковых приборов. Может быть полезно широкому кругу инженерно-технических работников электронной промышленности и специалистам в области интегральной микроэлектроники.