Kиев: Выща школа. Головное издательство, 1982. — 224 с.
Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—n перехода и гетероперехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омическим контактам металл — полупроводник.
Для студентов радиофизических, физических и электронных специальностей вузов, занимающихся вопросами физики полупроводников и полупроводниковой электроники. Пособие может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам.
Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—n перехода и гетероперехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омическим контактам металл — полупроводник.
Для студентов радиофизических, физических и электронных специальностей вузов, занимающихся вопросами физики полупроводников и полупроводниковой электроники. Пособие может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам.