Лекции по курсу Физические основы полупроводниковых электронных приборов

Статья

формат doc
размер 3.23 МБ
добавлен 09 июля 2010 г.

Лекции по курсу Физические основы полупроводниковых электронных приборов

Курс лекций.
для студентов специальности 40 02 02.
«Электронные вычислительные средства».
Министерство образования Республики Беларусь.
Учреждение образования.
Минский государственный высший радиотехнический колледж.
Кафедра общетехнических дисциплин.
Содержание.
Электрофизические свойства полупроводников.
Контактные явления в полупроводниках.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Униполярные (полевые) транзисторы.
Тиристоры.

Смотрите также

Бобров И.И. Физические основы электроники

формат djvu
размер 3.16 МБ
добавлен 25 мая 2010 г.

Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

Бурлаков Р.Б., Блинов В.И. Физика полупроводниковых приборов

формат doc
размер 1.8 МБ
добавлен 01 апреля 2009 г.

Рассматриваются физические принципы работы полупроводни-ковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключа-тельных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабора-торных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

Глазачев А.В., Петрович В.П. конспект лекций Физические Основы Электроники 2010 г

Статья

формат pdf
размер 3.72 МБ
добавлен 05 февраля 2011 г.

Данное учебное пособие предназначено для подготовки бакалавров по направлениям 140200 "Элкектроэнергетика" и 140600 "Электротехника, электромеханика и электротехнологии". Приоритет отдан рассмотрению полупроводниковых приборов и особое внимание отдано особенностям и режимам работы силовых приборов.

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники (конспект лекций)

формат pdf
размер 7.67 МБ
добавлен 30 ноября 2011 г.

Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники

формат pdf
размер 7.54 МБ
добавлен 06 августа 2011 г.

Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направле-ний микроэлектроники. Для студентов с...

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

формат pdf
размер 39.39 МБ
добавлен 26 марта 2011 г.

ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

Лекции по ФОЭ

Статья

формат doc
размер 997.82 КБ
добавлен 17 сентября 2006 г.

Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника. Метод расчета концентраций. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках. Положение уровня Ферми в полупроводниках. Распределение н...

Лекции по ФОЭ

Статья

формат doc
размер 476.65 КБ
добавлен 02 мая 2009 г.

ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике. Достаточно подробно рассмотрены вопросы элементной базы электроники и микроэлектроники, связанные с описан...

Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах

формат djv
размер 2.86 МБ
добавлен 19 января 2010 г.

Москва, Издательство "Радио и связь", 1990 год - 300 стр. ISBN 5-256-00496-4 В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация...

Савиных В.Л. Физические основы электроники

формат doc
размер 685.88 КБ
добавлен 26 августа 2009 г.

Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...