ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими
основами и процессами, происходящими в полупроводниковых
материалах, а также на границе двух сред –
полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл,
полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с
фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике.
Достаточно подробно рассмотрены вопросы элементной базы электроники
и микроэлектроники, связанные с описанием принципа действия,
вольтамперных характеристик параметров и применения электронных
приборов. Дано описание полупроводниковых приборов, принцип
действия которых основан на преобразовании световой энергии в
электрическую и обратного преобразования.
Лекции по ФОЭ
Статья
- формат doc
- размер 476.65 КБ
- добавлен 02 мая 2009 г.
Смотрите также
Лекции - Полупроводники
Статья- формат pdf
- размер 5.91 МБ
- добавлен 02 ноября 2011 г.
Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.
Лекции - Физические основы электроники (ФОЭ)
Статья- формат doc
- размер 11.07 МБ
- добавлен 22 февраля 2011 г.
109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников. Основы теории твердого тела. Строение твердых тел. Энергетические уровни и зоны. Собственная проводимость полупроводников. Глубокие уровни. Примесные полупроводники. Оптические и электрические свойства полупроводников. Жидко кристальные приборы для отображения информации. Физические эф...
Лекции Основы физики полупроводников
Статья- формат doc
- размер 423 КБ
- добавлен 31 января 2011 г.
На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...
Лекции по курсу Физические основы полупроводниковых электронных приборов
Статья- формат doc
- размер 3.23 МБ
- добавлен 09 июля 2010 г.
Курс лекций. для студентов специальности 40 02 02. «Электронные вычислительные средства». Министерство образования Республики Беларусь. Учреждение образования. Минский государственный высший радиотехнический колледж. Кафедра общетехнических дисциплин. Содержание. Электрофизические свойства полупроводников. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Униполярные (полевые) транзисторы. Тиристоры.
Лекции по основам информационной электроники
Статья- формат doc
- размер 1.87 МБ
- добавлен 22 апреля 2009 г.
Лекции составленны преподавателем, и даны студентам, чтобы не тратить время на писанину. Все в Worde. Аккуратно, с картинками, а главное на доступном языке. Подойдет как для неэлектронщиков, так и для основного изучения по специальности. Полупроводниковые диоды. Принцип работы диода. Вольт-амперная характеристика диода (ВАХ). Выпрямительные диоды. Высокочастотные диоды. Импульсные диоды. Стабилитроны и стабисторы. Биполярные транзисторы. Общие пр...
Лекции по ФОЭ
Статья- формат doc
- размер 997.82 КБ
- добавлен 17 сентября 2006 г.
Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника. Метод расчета концентраций. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках. Положение уровня Ферми в полупроводниках. Распределение н...
Лекции по ФОЭ
Статья- формат doc
- размер 383.66 КБ
- добавлен 28 сентября 2008 г.
Темы: Электропроводность полупроводников. Р-п переходы.Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Обратная связь. Операционные усилители. Применение операционных усилителей. и пр.// Лекции в формате .doc иллюстрированные.
Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках
- формат djv
- размер 5.42 МБ
- добавлен 19 января 2010 г.
Данная книга посвящена изучению влияний различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных схем. В основу книги легли лекции, читавшиеся автором в ведущих технических университетов США; тек...
Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках
- формат pdf
- размер 5.92 МБ
- добавлен 03 июля 2010 г.
Издательство: М.: Мир. Год: 1974. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных микросхем. В основу книги легли л...
Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электрическим свойствам материалов
- формат djvu
- размер 4.89 МБ
- добавлен 13 декабря 2009 г.
Издательство М: Мир, 1991 504 страницы Книга авторов из Великобритании представляет собой тщательно обработанный текст лекций по физическим основам твердотельной электроники, читаемых на инженерном отделении Оксфордского университета (перевод с 4-го издания). Методически продуманно излагаются принципы построения полупроводниковых приборов, основы оптоэлектроники, квантовой электроники, вопросы применения магнитных явлений и сверхпроводимости (вк...