Под ред. Д.В. Чепура. — Львов: Вища школа, Львовский университет,
1983. — 184 с.
Монография посвящена вопросам физики, химии и технологии некоторых
сложных полупроводниковых материалов. Рассмотрены методы синтеза и
выращивания монокристаллов, основные физико-химические
характеристики и возможности практического применения сложных
халькогенидов и халькогалогенидов в нелинейно-оптических
устройствах, аккустооптике, электрооптике и других отраслях
современной техники. Особое внимание уделено выяснению взаимосвязи
кристаллической структуры с энергетическим и фононным спектрами,
фазовыми превращениями и свойствами этих веществ.
Нормативные материалы приведены по состоянию на 3 января 1983 г.
Для научных работников, инженеров и специалистов, работающих в области физики, химии и технологии полупроводников и диэлектриков, а также аспирантов и студентов вузов. Предисловие.
Соединения в системах Э1–Э2–X, где Э1- элементы I–V групп, Э2-III-V групп, X-сера, селен, галогены.
Синтез веществ и выращивание их монокристаллов. Фазовые соотношения в исследуемых системах.
Кристаллическая структура сложных соединений.
Халькогенидные материалы для оптоэлектроники как «избыточные, нормальные иди дефектные соединения».
Особенности энергетического и фононного спектров.
Теоретико-групповые характеристики энергетического и фотонного спектров.
Особенности спектров, обусловленные сильной анизотропией кристаллов.
Особенности дисперсии E(k) и магнитное квантование.
Особенности спектров кристаллов со сверхструктурой.
Зонная структура кристаллов типа SbSJ, Ag3AsS3, AgAsS2.
Колебательные спектры Tl3TaS4Sc4), Ag3AsS3, CdGa2S4, InPS4,
Tl3AsS4, Sm2P2S6 AgAsS2.
Устойчивость структуры слоистых; цепочечных и других сложных халькогенидных и халькогалогенидных кристаллов.
Особенности строения и способность халькогенидных и халькогалогенидных кристаллов к полиморфным превращениям и разупорядочению.
Фазовые переходы в кристаллах SbSJ.
Особенности дефектообразования в сильноанизотропных кристаллах.
Фоно-дефектный механизм фазовых переходов.
Вляние дефектов на температуру Кюри.
Фазовые переходы в кристаллах BiSeJ.
Ангармонизм решеточных колебаний кристаллов при фазовых переходах.
Список литературы.
Нормативные материалы приведены по состоянию на 3 января 1983 г.
Для научных работников, инженеров и специалистов, работающих в области физики, химии и технологии полупроводников и диэлектриков, а также аспирантов и студентов вузов. Предисловие.
Соединения в системах Э1–Э2–X, где Э1- элементы I–V групп, Э2-III-V групп, X-сера, селен, галогены.
Синтез веществ и выращивание их монокристаллов. Фазовые соотношения в исследуемых системах.
Кристаллическая структура сложных соединений.
Халькогенидные материалы для оптоэлектроники как «избыточные, нормальные иди дефектные соединения».
Особенности энергетического и фононного спектров.
Теоретико-групповые характеристики энергетического и фотонного спектров.
Особенности спектров, обусловленные сильной анизотропией кристаллов.
Особенности дисперсии E(k) и магнитное квантование.
Особенности спектров кристаллов со сверхструктурой.
Зонная структура кристаллов типа SbSJ, Ag3AsS3, AgAsS2.
Колебательные спектры Tl3TaS4Sc4), Ag3AsS3, CdGa2S4, InPS4,
Tl3AsS4, Sm2P2S6 AgAsS2.
Устойчивость структуры слоистых; цепочечных и других сложных халькогенидных и халькогалогенидных кристаллов.
Особенности строения и способность халькогенидных и халькогалогенидных кристаллов к полиморфным превращениям и разупорядочению.
Фазовые переходы в кристаллах SbSJ.
Особенности дефектообразования в сильноанизотропных кристаллах.
Фоно-дефектный механизм фазовых переходов.
Вляние дефектов на температуру Кюри.
Фазовые переходы в кристаллах BiSeJ.
Ангармонизм решеточных колебаний кристаллов при фазовых переходах.
Список литературы.