Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. —
М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ
физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных,
колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и
полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический,
чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая
теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов.
Отдельно рассмотрены технологические вопросы получения
полупроводников и полупроводниковых наносистем и их приборные
применения, отдельное рассмотрение уделено полупроводниковым
гетеропереходам.
Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач "за руку" приведут студентов к научным результатам.
Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников.
Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач "за руку" приведут студентов к научным результатам.
Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников.