Расчетно-графическая работа - p-n переход

Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.

На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...

По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, и построить их зависимости от напряжения на затворе. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h – параметры и построить зависимости этих параметров от тока базы. СибГути, АЭС, 2 Курс, 2 семестр, 5 стр.

Расчетная часть. Дан металлический шар. Он окружен оболочкой из диэлектрика, верхняя поверхность - сфера, всё остальное пространство – вакуум. Построить зависимости и проанализировать их особенности в областях и в пограничной точке. Построить картины вектора E и D в трех областях. Построить зависимость плотности распределения энергии в зависимости от Х для трех областей. Изменить радиус R так, чтобы количество энергии, заключенной во всем слое...

Исследование биполярных транзисторов в схеме c общим эмиттером. Изучение статических вольтамперных характеристик и определение параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.

Определение параметров стабилитронов КС147А и Д814Б по рабочим ветвям вольтамперных характеристик (ВАХ).

Две самостоятельные работы студента (СРС) по дисциплине "Физические основы электроники". В виде рефератов. Сданы на "отлично"

Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: построить линию нагрузки; построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; рассчитать для линейного (мало ис...

Расчетно-графические работы по ФОЭ. Дана заряженная сфера. 3 варианта, с разными исходными данными. Сдаются обычно вместе с СРС.

Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...