Курс лекций / Новосиб. гос. ун-т. Новосибирск, 2009. — 192 с.
Учебное пособие включает лекции по обязательному одноименному курсу, читаемому для студентов отделения информатики физического факультета Нгу и предназначено для студентов 4 курса кафедр Афти и Фти. Так как современная микроэлектроника – это
полупроводниковая микроэлектроника, примерно половина курса посвящена введению в физику полупроводников. В другой половине излагаются физические принципы работы основных элементов микроэлектроники, основы технологии и перспективы микроэлектроники, которая на рубеже веков преодолела субмикронный масштаб и трансформировалась в наноэлектронику.
В пособие включены вопросы для подготовки к экзамену и некоторые задачи, которые рекомендованы к решению на семинарских занятиях или для самостоятельной подготовки. Оглавление
Введение
Структура, методы роста и исследования полупроводников
Динамика кристаллической решетки. Фононы
Элементы зонной теории твердого тела
Статистика электронов и дырок в полупроводниках
Примеси в полупроводниках
Кинетические явления в полупроводниках
Термоэлектрические и термомагнитные явления. Диффузионный ток
Поверхность полупроводника, поверхностные состояния.Область пространственного заряда – Опз. Гетерограница,гетероструктуры
Контакт металл–полупроводник. Диод Шоттки.
P-n переход
Приборное применение p-n переходов. Биполярный транзистор
Эффект поля. Мдп–транзистор
Приборы на основе Мдп–структур
Элементы планарной технологии
Проблемы и предельные параметры планарной технологии. Наноэлектроника
Экзаменационные вопросы
Критериальные вопросы
Библиографический список
Учебное пособие включает лекции по обязательному одноименному курсу, читаемому для студентов отделения информатики физического факультета Нгу и предназначено для студентов 4 курса кафедр Афти и Фти. Так как современная микроэлектроника – это
полупроводниковая микроэлектроника, примерно половина курса посвящена введению в физику полупроводников. В другой половине излагаются физические принципы работы основных элементов микроэлектроники, основы технологии и перспективы микроэлектроники, которая на рубеже веков преодолела субмикронный масштаб и трансформировалась в наноэлектронику.
В пособие включены вопросы для подготовки к экзамену и некоторые задачи, которые рекомендованы к решению на семинарских занятиях или для самостоятельной подготовки. Оглавление
Введение
Структура, методы роста и исследования полупроводников
Динамика кристаллической решетки. Фононы
Элементы зонной теории твердого тела
Статистика электронов и дырок в полупроводниках
Примеси в полупроводниках
Кинетические явления в полупроводниках
Термоэлектрические и термомагнитные явления. Диффузионный ток
Поверхность полупроводника, поверхностные состояния.Область пространственного заряда – Опз. Гетерограница,гетероструктуры
Контакт металл–полупроводник. Диод Шоттки.
P-n переход
Приборное применение p-n переходов. Биполярный транзистор
Эффект поля. Мдп–транзистор
Приборы на основе Мдп–структур
Элементы планарной технологии
Проблемы и предельные параметры планарной технологии. Наноэлектроника
Экзаменационные вопросы
Критериальные вопросы
Библиографический список