Гаман В.И. Физика Полупроводниковых Приборов (2-е изд)

формат djvu
размер 5.74 МБ
добавлен 19 марта 2010 г.

2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с.
Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; биполярные и полевые транзисторы; приборы с ВАХ S-типа.

Смотрите также

Базир Г.И. Физические основы электроники

формат pdf
размер 980.24 КБ
добавлен 15 марта 2011 г.

Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики сверхпроводимости и криоэлектроники. Пособие представляет расширенный курс лекций,...

Бобров И.И. Физические основы электроники

формат djvu
размер 3.16 МБ
добавлен 25 мая 2010 г.

Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

Бурлаков Р.Б., Блинов В.И. Физика полупроводниковых приборов

формат doc
размер 1.8 МБ
добавлен 01 апреля 2009 г.

Рассматриваются физические принципы работы полупроводни-ковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключа-тельных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабора-торных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

Глазачев А.В., Петрович В.П. конспект лекций Физические Основы Электроники 2010 г

Статья

формат pdf
размер 3.72 МБ
добавлен 05 февраля 2011 г.

Данное учебное пособие предназначено для подготовки бакалавров по направлениям 140200 "Элкектроэнергетика" и 140600 "Электротехника, электромеханика и электротехнологии". Приоритет отдан рассмотрению полупроводниковых приборов и особое внимание отдано особенностям и режимам работы силовых приборов.

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники (конспект лекций)

формат pdf
размер 7.67 МБ
добавлен 30 ноября 2011 г.

Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

формат pdf
размер 39.39 МБ
добавлен 26 марта 2011 г.

ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

Лекции по ФОЭ

Статья

формат doc
размер 476.65 КБ
добавлен 02 мая 2009 г.

ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике. Достаточно подробно рассмотрены вопросы элементной базы электроники и микроэлектроники, связанные с описан...

Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах

формат djv
размер 2.86 МБ
добавлен 19 января 2010 г.

Москва, Издательство "Радио и связь", 1990 год - 300 стр. ISBN 5-256-00496-4 В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация...

Ружников В.А. Электронно-дырочный переход

формат pdf
размер 400.4 КБ
добавлен 01 января 2012 г.

Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А

формат pdf
размер 11.54 МБ
добавлен 14 февраля 2011 г.

Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полуп...