Выполнил: студент Шпаковский В.А. Преподаватель: Забелина И. А.
Дисциплина - Физико-химические основы микроэлектроники и технологии
РЭС и ЭВС.
Минск, Беларусск. гос. унив. информатики и радиоэлектроники, 2001, 20с. Содержание:
Туннельный эффект.
Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах микроэлектроники.
Контакт металл-металл.
Структура металл-диэлектрик-металл.
Токоперенос в тонких плёнках.
Туннельный пробой в p-n-переходе.
Эффекты Джозефсона.
Эффект Франца-Келдышева.
Туннельный диод.
Литература (8 наимен.).
Минск, Беларусск. гос. унив. информатики и радиоэлектроники, 2001, 20с. Содержание:
Туннельный эффект.
Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах микроэлектроники.
Контакт металл-металл.
Структура металл-диэлектрик-металл.
Токоперенос в тонких плёнках.
Туннельный пробой в p-n-переходе.
Эффекты Джозефсона.
Эффект Франца-Келдышева.
Туннельный диод.
Литература (8 наимен.).