Радиоэлектроника
Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 74,67 КБ
  • добавлен 19 марта 2012 г.
Туннелирование в микроэлектронике
Выполнил: студент Шпаковский В.А. Преподаватель: Забелина И. А. Дисциплина - Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС.
Минск, Беларусск. гос. унив. информатики и радиоэлектроники, 2001, 20с.
Содержание:
Туннельный эффект.
Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах микроэлектроники.
Контакт металл-металл.
Структура металл-диэлектрик-металл.
Токоперенос в тонких плёнках.
Туннельный пробой в p-n-переходе.
Эффекты Джозефсона.
Эффект Франца-Келдышева.
Туннельный диод.
Литература (8 наимен.).