Радиоэлектроника
pottee
  • формат doc
  • размер 3.82 МБ
  • добавлен 21 июня 2009 г.
Ответы на билеты по ФОЭ, преподаватель Лобанов Ю.В
Ответы написанные по лекциям. для студентов групп МКС, РРиТ, СПР, ССК

Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов.

Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток.

Классификация твердых тел по степени электропроводности

Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. Разрешенные и запрещенные зоны. Потенциальная кинетическая энергия электронов.

Квазиимпульс и эффективные массы носителей заряда.

Междолинный переход носителей заряда, зависимость энергии электрона от импульса.

Зонные структуры примесных полупроводников. Энергия ионизации доноров и акцепторов. Эффективная концентрация носителей заряда. Типы ловушек и их энергетические уровни. Зонная диаграмма неоднородного полупроводника. Зонная диаграмма однородного полупроводника при наличии внешнего поля.

Механизмы рекомбинации

Законы распределения равновесных носителей заряда в энергетических зонах. Распределение Ферми-Дирака.
Поверхностные явления в полупроводниковых структурах.

Дрейфовое движение носителей заряда.

Уравнение непрерывности потока носителей заряда, частные случаи его решения.

Работа выхода и электронное сродство. Виды электрических переходов. Физические процессы при контакте металл-полупроводник. Барьер Шоттки. Выпрямляющие контакты. Образование инверсного слоя. Омические (невыпрямляющие) контакты «металл-полупроводник».

Виды электронно-дырочных переходов.

Анализ электронно-дырочного перехода в неравновесном состоянии

Математическая модель идеализированного p-n перехода.

ВАХ реального электронно-дырочного перехода

Пробойные явления в переходах

Инерционные свойсства р-n перехода. Барьерная емкость.

Контакты межу полупроводниками одного типа проводимости. Омические контакты.
Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности

Фотоэлектрические явления

Термоэлектрический эффект Зеебека. Причины возникновения термо-ЭДС. Энергетические диаграммы. Термоэлектрический эффект Пельтье

Гальваномагнитные явления

Особенности квантово-размерных структур. Квантовые переходы.

Физические основы эмиссионной электроники.

Электрический разряд в газе. Упругие и не упругие взаимодействия, эффективное сечение. Несамостоятельный и самостоятельный газовый разряд. Стационарный газовый разряд: тихий тлеющий, дуговой. Нестационарные газовые разряды.

Плазма
Смотрите также

Билеты по ФОЭ

Билеты и вопросы
  • формат txt
  • размер 3.9 КБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
2009. Идеальные кристаллы. Кристаллическая решетка Бравэ. Обозначение плоскостей и направлений кристалла. Индексы Миллера Реальные кристаллы. Структура реальных кристаллов. Дефекты кристаллической решеткиrn

Контрольная работа - Физические основы микроэлектроники

Контрольная работа
  • формат pdf
  • размер 320.31 КБ
  • добавлен 08 января 2011 г.
РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант 30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"

Лабораторная работа - Исследование полупроводниковых триодов

Лабораторная
  • формат docx
  • размер 34.15 КБ
  • добавлен 07 января 2011 г.
ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев Г. Я. Получение опытным путем входных и выходных статических характеристик схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам. Работа без графиков

Лабораторная работа - Исследование резистивного усилителя низкой частоты с емкостной связью в схеме с ОЭ

Лабораторная
  • формат docx
  • размер 16.88 КБ
  • добавлен 07 января 2011 г.
Пгту, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительного каскада, задание режима покоя (рабочей точки) транзистора, исследование амплитудной и амплитудно-частотной характеристик усилителя, определение параметров усилителя. Работа без графиков.

Лабораторная работа - Исследование Усилителя постоянного тока на базе операционного усилителя

Лабораторная
  • формат docx
  • размер 15.57 КБ
  • добавлен 07 января 2011 г.
ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительных схем на базе ОУ, определение параметров. Нахождение частот и напряжений. Работа без графиков.

Лобанов Ю.В. Лабораторный практикум по ФОЭ

  • формат jpg
  • размер 36.04 МБ
  • добавлен 19 марта 2009 г.
Лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по специальностям "Многоканальные телекоммуникационные системы", "Радиосвязь, радиовещание и телевидение", "Средства связи с подвижными объектами", "Электромеханика"rn

Ответы по ФОЭ

Шпаргалка
  • формат doc
  • размер 134.07 КБ
  • добавлен 22 декабря 2011 г.
Зачет, УГАТУ, Уфа/Россия, Андреев И.Б., 2011, Полупроводниковый диод – это: Биполярный транзистор – это: Тиристор – это: Режимы работы биполярного транзистора при усилении электрических сигналов (указать все варианты): Режимы работы биполярного транзистора в качестве электронного ключа (указать все варианты): Вакуумный диод – это: Вакуумный триод – это: Схемы включения биполярного транзистора (указать все варианты): P-n-переход- это: Емкости p-n-...

Шпоры по ФОЭ

pottee
  • формат rar
  • размер 51.45 МБ
  • добавлен 27 июня 2010 г.
Преподаватель - Сафинов Ш. С. Шпоры сделаны по лекциям. То есть - сканы, редактирование, размещение. Все в формате JPG. Есть вариант который резать, есть полно-размерные картинки, рассованные в папки. Вопросы: Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимоств. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла....

Экзаменационные билеты по ФОЭ

Билеты и вопросы
  • формат doc
  • размер 112.5 КБ
  • добавлен 06 сентября 2010 г.
Содержатся экзаменационные билеты, которые предлагаются студентам специальности 140604 ЭАПУ, УрФУ, на экзамене по соответствующей дисциплине.