Учебно - методическое пособие. — Самара: Изд-во Самар, гос.
аэрокосм. ун-та, 2008. — 84 с. ISBN 978-5-7883-0662-9
В пособии изложены теоретические положения и физико-технические
методы анализа параметров физических сред и элементов конструкций,
используемых в конструкторско-технологической практике создания
микроэлектронных устройств. Приведен большой круг задач и
упражнений по рассматриваемой тематике. Форма представления
учебного материала ориентирована на значительный объем
самостоятельной работы студентов.
Рекомендуется для студентов, обучающихся по специальности 200800 заочной формы обучения. Разработано на кафедре «Наноинженерия». Содержание
Список основных условных обозначений
Введение
Методы статистической физики, используемые в конструкторско-технологической практике создания устройств микроэлектроники
Физическая сущность статистического метода анализа макроскопических систем
Активационная модель протекания элементарных физикохимических процессов
Определение концентрации активных, с энергетической точки зрения, частиц
Динамическое равновесие элементарных процессов в макроскопических системах
Определение срока службы изделий на основе статистических методов физической надежности
Специфика протекания термоактивационных процессов в условиях внешних силовых воздействий. Кинетическая теория прочности материалов
Задачи и упражнения к разделу
Определение концентрации активных частиц, ответственных за протекание элементарных физико-химических процессов
Статистический анализ физико-химических процессов, используемых в технологической практике создания элементов электронных устройств
Оценка срока службы технических устройств с позиций активационной модели расходования ресурса
Контактные и поверхностные явления в твердотельных структурах
Физические основы выпрямляющего эффекта электроннодырочного перехода в полупроводниковых структурах
Контактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда
Вольт-амперная характеристика контактной системы «металл -полупроводник»
Задачи и упражнения к разделу
Общие рекомендации по решению задач и упражнений
Контактные явления в системах "Металл №1 - Металл №2
Контактные явления в системах «Металл - Полупроводник»
Энтропийные методы и показатели качества микро- и нанотехнологий
Цели и задачи энтропийного подхода
Формальное представление технических объектов и технологии их создания
Показатели качества технологий на микроскопическом уровне рассмотрения
Показатели качества технологий на макроскопическом уровне рассмотрения
Показатели качества реальных технологий
Информационный потенциал и дефицит технологии создания изделий
Информационный запас качества и срок службы изделий
Процесс создания микроструктур в рамках представлений теории кодирования дискретной информации
Алгоритмическая энтропия и самоорганизация сложных атомных структур
Общие принципы пространственно-временной организации и эволюции микроэлектронных устройств
Задачи и упражнения к разделу
Заключение
Список рекомендуемой литературы
Приложение Справочные данные общего характера
Рекомендуется для студентов, обучающихся по специальности 200800 заочной формы обучения. Разработано на кафедре «Наноинженерия». Содержание
Список основных условных обозначений
Введение
Методы статистической физики, используемые в конструкторско-технологической практике создания устройств микроэлектроники
Физическая сущность статистического метода анализа макроскопических систем
Активационная модель протекания элементарных физикохимических процессов
Определение концентрации активных, с энергетической точки зрения, частиц
Динамическое равновесие элементарных процессов в макроскопических системах
Определение срока службы изделий на основе статистических методов физической надежности
Специфика протекания термоактивационных процессов в условиях внешних силовых воздействий. Кинетическая теория прочности материалов
Задачи и упражнения к разделу
Определение концентрации активных частиц, ответственных за протекание элементарных физико-химических процессов
Статистический анализ физико-химических процессов, используемых в технологической практике создания элементов электронных устройств
Оценка срока службы технических устройств с позиций активационной модели расходования ресурса
Контактные и поверхностные явления в твердотельных структурах
Физические основы выпрямляющего эффекта электроннодырочного перехода в полупроводниковых структурах
Контактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда
Вольт-амперная характеристика контактной системы «металл -полупроводник»
Задачи и упражнения к разделу
Общие рекомендации по решению задач и упражнений
Контактные явления в системах "Металл №1 - Металл №2
Контактные явления в системах «Металл - Полупроводник»
Энтропийные методы и показатели качества микро- и нанотехнологий
Цели и задачи энтропийного подхода
Формальное представление технических объектов и технологии их создания
Показатели качества технологий на микроскопическом уровне рассмотрения
Показатели качества технологий на макроскопическом уровне рассмотрения
Показатели качества реальных технологий
Информационный потенциал и дефицит технологии создания изделий
Информационный запас качества и срок службы изделий
Процесс создания микроструктур в рамках представлений теории кодирования дискретной информации
Алгоритмическая энтропия и самоорганизация сложных атомных структур
Общие принципы пространственно-временной организации и эволюции микроэлектронных устройств
Задачи и упражнения к разделу
Заключение
Список рекомендуемой литературы
Приложение Справочные данные общего характера