Радиоэлектроника
Билеты и вопросы
  • формат doc
  • размер 5.52 КБ
  • добавлен 21 июня 2008 г.
Вопросы по ФОЭ
Вопросы к экзамену по курсу
«Физические основы электроника»
(для специальностей ЭМ и ЭЛА)
Смотрите также

Гаман В.И. Физика Полупроводниковых Приборов (2-е изд)

  • формат djvu
  • размер 5.74 МБ
  • добавлен 19 марта 2010 г.
2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

Изотова П.А. Методические указания по лабораторным работам по ФОЭ

Практикум
  • формат doc
  • размер 176.97 КБ
  • добавлен 07 ноября 2010 г.
Казань, 2009, Даны общие указания по выполнению работ, представлены краткие теоретические сведения по каждой теме, контрольные вопросы.

Контрольная работа - Физические основы микроэлектроники

Контрольная работа
  • формат pdf
  • размер 320.31 КБ
  • добавлен 08 января 2011 г.
РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант 30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"

Лекции по ФОЭ

Статья
  • формат doc
  • размер 476.65 КБ
  • добавлен 02 мая 2009 г.
ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике. Достаточно подробно рассмотрены вопросы элементной базы электроники и микроэлектроники, связанные с описан...

Миллер Ю.Г. Физические основы надежности интегральных схем

  • формат djvu
  • размер 4.73 МБ
  • добавлен 30 июня 2011 г.
Рассмотрены вопросы теории и практики надежности интегральных схем (ИС). Обобщаются опубликованные в периодической литературе результаты физических исследований внезапных и постепенных отказов элементов гибридных тонкопленочных (ТП) ИС и полупроводниковых ИС, созданных на основе кремния. Приведены способы обеспечения и повышения надежности. Книга может быть полезной инженерам и научным работникам, занимающимся разработкой и производством ИС, а та...

Михайлов А.В. и др. Физические основы электроники: активные электронные компоненты и компоненты оптоэлектроники

  • формат doc
  • размер 2.48 МБ
  • добавлен 26 августа 2011 г.
Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 104 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и полевые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100 «Приборостроение» и специальности 200106 «Информационно-измерительная техника и технологии», очной очно-заочной и за...

Михайлов А.В., Родионов М.Г., Горшенков А.А. Физические основы электроники: Активные электронные компоненты и компоненты оптоэлектроники: учеб. пособие

  • формат pdf
  • размер 1.22 МБ
  • добавлен 21 августа 2010 г.
Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 100 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и по-левые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 "Приборостроение", и специальности 200106 "Информационно-измерительная техника и технологии" очной, очно-заочной и заочной форм обучения, также мо...

Росадо Л. (Rosado L.) Физическая электроника и микроэлектроника

  • формат djvu
  • размер 4.8 МБ
  • добавлен 05 декабря 2009 г.
Перевод с испанского С. И. Баскакова. Под редакцией проф. В. А. Терехва. Издательство "Высшая школа" 1991. 352 страницы. В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы интегральной технологии. Весь материал разбит на порции, включающие теоретически...

Ткалич В.Л., Фролков В.Н. и др. Физические основы микроэлектроники

  • формат pdf
  • размер 1.51 МБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
2009 г. Учебное пособие 101 стр, СПб Гос Университет информационных технологий, механики и оптики. содержит описание лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных технологийи Управления по направлению "Проектирование и технология электронно-вычислительных средств".

Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники

  • формат pdf
  • размер 397.15 КБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.