Полупроводниковые диоды
Ваганов А.В., Стряпкин Л.И. и др. Исследование полупроводниковых диодов и устройств на их основе
Практикум- формат pdf
- размер 594,78 КБ
- добавлен 05 октября 2014 г.
Методические указания к лабораторной работе. — М.: МГУПС (МИИТ), 2014. — 72 с. В работе приводятся объёмные теоретические сведения по p-n переходам, полупроводниковым диодам различных типов. Рассмотрены простейшие однофазные выпрямители. В практической части исследуются вольт-амперные характеристики кремниевых и германиевых диодов при различной температуре, характеристика стабилитрона и осциллограммы однополупериодного выпрямителя. Работа выполня...
Грехов И.В., Месяц Г.А. Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов
Статья- формат pdf
- размер 372.81 КБ
- добавлен 12 июля 2011 г.
Статья. Опубликовано в УФН 2005. Т .175. №7 с.735-744. Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундпых размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 1010 Вт) и частоты следования (до 104 Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это...
Дикарева Н.В., Карзанова М.В., Некоркин С.М. Измерение энергетических параметров излучения полупроводниковых лазерных диодов с помощью измерителя Lab Max-Top
- формат pdf
- размер 928,13 КБ
- добавлен 28 октября 2014 г.
Учебно-методическое пособие. — Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2012. — 37 с. Настоящее пособие посвящено изучению энергетических параметров полупроводниковых лазерных диодов с помощью измерительного прибора Lab Max-Top. Изложены физические принципы работы приемников излучения (термопарные и пироэлектрические датчики), входящих в комплект оборудования Lab Max-Top, устройство и правила эксплуатации измерительного прибора, принцип раб...
Диодные мосты однофазные выпрямительные
Справочник- формат pdf
- размер 401.06 КБ
- добавлен 13 октября 2016 г.
Сводная таблица параметров однофазных выпрямительных диодных мостов в диапазоне 0,5 - 35 А, 50 - 1000 В. 1 лист. Таблица параметров и корпуса. Качество хорошее.
Дипломна робота - Діоди
- формат rtf
- размер 270.45 КБ
- добавлен 22 сентября 2009 г.
Київ, 2005 Вступ. Розділ. Електрофізичні властивості напівпровідників. Власні й домішкові напівпровідники. Енергетичні діаграми напівпровідників. Силові діоди. Розділ. Загальні відомості про напівпровідникові розмикачі струму. Розділ. Основні типи напівпровідникових розмикачів струму. Дрейфовий діод з різким відновленням. SOS-діоди. Розмикачі струму на основі карбіду кремнію. Розділ. Промислові генератори імпульсів на основі ДДРВ й SOS-діодів. Ви...
Зихла Ф. ЖКИ, светоизлучающие и лазерные диоды: схемы и готовые решения
- формат djvu
- размер 16,74 МБ
- добавлен 01 августа 2012 г.
СПб.: БХВ-Петербург, 2012. - 336 с. - ISBN: 978-5-9775-0816-2 Оглавление: Предисловие Часть I - Схемы со светодиодами и семисегментными индикаторами Общие сведения, терминология и технические характеристики Физическое излучение и светотехнические величины Световой поток Сила света Кривая распределения силы света Освещенность Экспозиция Яркость Угол половинного рассеяния Расчет добавочного сопротивления Прямое напряжение светодиода Расчет освещенн...
Зихла Ф. ЖКИ, светоизлучающие и лазерные диоды: схемы и готовые решения
- формат pdf
- размер 17,12 МБ
- добавлен 03 августа 2012 г.
СПб.: БХВ-Петербург, 2012. - 336 с. - ISBN: 978-5-9775-0816-2 Оглавление: Предисловие Часть I - Схемы со светодиодами и семисегментными индикаторами Общие сведения, терминология и технические характеристики Физическое излучение и светотехнические величины Световой поток Сила света Кривая распределения силы света Освещенность Экспозиция Яркость Угол половинного рассеяния Расчет добавочного сопротивления Прямое напряжение светодиода Расчет освещенн...
Исследование ВАХ и определение номинальных параметров электронных ламп
Лабораторная- формат doc
- размер 26,05 КБ
- добавлен 08 марта 2012 г.
ИНЕУ, Казахстан, 2012 год, страницы- 3. Двухэлектродный полупроводниковый элемент * диод содержит n - и p -проводящий слои (рис. 1.1.1). В n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в p-проводящем слое * дырки. Существующий между этими слоями p-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован. При прямом приложении напряжени...
Исследование параметров и характеристик диода
Лабораторная- формат doc
- размер 109,62 КБ
- добавлен 16 декабря 2012 г.
ЧГУ, Череповец, 2012 Работа выполнена с использованием программы workbench. Содержание: Исследование диода при прямом смещении р-п перехода. Исследование диода при обратном смещении р-п перехода. Получение ВАХ диода на экране осциллографа Исследование схем диодных ограничителей. Исследование параметров и характеристик стабилитрона. После каждого пункта имеются выводы
Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
- формат doc
- размер 71.5 КБ
- добавлен 19 декабря 2006 г.
измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) кремниевого диода КД103 и диода Шоттки 1N5817, сравнительная оценка полученных характеристик и определение параметров диодов
Исследование полупроводниковых диодов
Лабораторная- формат doc
- размер 153,95 КБ
- добавлен 28 июля 2011 г.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 2009, 4с. Цель работы Изучить устройство, принцип действия, систему обозначений, параметры и характеристики полупроводниковых диодов, области их применения. Экспериментально исследовать вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, указанных в карточке задания, и рассчитать по измеренным характеристикам их требуемые параметры. Приведены расчётные формулы. Схема установки. Резул...
Исследование полупроводниковых диодов 7 вариантов
Лабораторная- формат doc
- размер 375,82 КБ
- добавлен 24 августа 2011 г.
БГУИР, Минск/Беларусь - 2011 г. Преподаватели: Русакович В. Н., Березовский В.Т., Дрюк Л. С., Валенко В.С. и др. Электронные приборы (ЭП). Содержание: Цель работы Расчётные формулы Схема установки Результаты измерений Результаты расчетов Вывод
Исследования полупроводникового диода
- формат jpg
- размер 1.8 МБ
- добавлен 26 сентября 2011 г.
Исследования полупроводникового диода.rn
Конакова Р.В., Кордош П., Тхорик Ю.А. и др. Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов
- формат djv
- размер 2.18 МБ
- добавлен 17 января 2010 г.
Киев, Издательство "Наукова Думка", 1986 год - 180 стр. В книге систематизированы и обобщены результаты разработок методов прогнозирования надежности полупроводниковых лавинных диодов и исследование механизмов их деградации. Авторы опираются на собственные исследования и разработки в этой области. Проанализированные различные механизмы деградации полупроводниковых лавинных диодов с p - n переходом, гетеропереходом. Рассмотрены пути повышения их...
Корольков В.И., Рахимов Н. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур
- формат djv
- размер 1.2 МБ
- добавлен 17 января 2010 г.
Ташкент: Фан, 1968. - 152 с.: ил. В книге рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных...
Курсовая работа - Полупроводниковые диоды
Курсовая работа- формат doc
- размер 625 КБ
- добавлен 28 сентября 2011 г.
Содержание. Введение. Назначение и область применения. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия. Конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации. Эффекты...
Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов
Курсовая работа- формат doc
- размер 425.63 КБ
- добавлен 27 июня 2010 г.
Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.
Ланских А.М. Расчет схем на диодах
Практикум- формат pdf
- размер 1,29 МБ
- добавлен 12 мая 2012 г.
Методические указания и задания по самостоятельной работе. - Киров: изд-во ВятГУ, 2005. - 44с.: ил. Содержание. введение. Расчет схем на полупроводниковых диодах. диоды и их параметры. Диодные ограничители. Пример расчета диодного ограничителя. Выпрямительные устройства. Пример расчета выпрямителя. Стабилизаторы напряжения на диодах. Пример расчета стабилизатора. Контрольные задания. расчет ограничителя. Расчет выпрямителя. Расчет параметрическог...
Методическое указание по полупроводникам и диодам
- формат pdf
- размер 468.02 КБ
- добавлен 31 декабря 2006 г.
Полупроводниковые диоды. Основы физики полупроводников. Удельная электропроводность. Влияние температуры. Влияние примеси. Влияние света, ионизирующих излучений, энергетических воздействий. Зонная теория твердого тела. Статистическая функция Ферми-Дирака. Электронно-дырочные пары. Рекомбинация. Собственные полупроводники. Примесные полупроводники. Дрейфовый ток. Подвижность носителей заряда. Диффузионный ток. Коэффициент диффузии. Электронно-дыро...
Полупроводниковые диоды
Презентация- формат pdf
- размер 677,59 КБ
- добавлен 24 ноября 2016 г.
Доцент Гребенников В.В. Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Томск. Россия. Учебная дисциплина «Электроника». 2016г. –23с. Определение Пробой p-n-перехода Параметры реальной ВАХ диода Включение диода в электрическую цепь Виды полупроводниковых диодов Емкости p-n-перехода Импульсные диоды Стабилитроны (диоды Зенера)
Полупроводниковые диоды
Презентация- формат ppt
- размер 213,44 КБ
- добавлен 25 января 2013 г.
Алматы, 2013, РК, Физика 8 класс - школьная презентация 13 слайдов
Потапович Н.С. Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия
Дисертация- формат pdf
- размер 538,06 КБ
- добавлен 1 апреля 2015 г.
Автореферат диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Специальность 01.04.10 – физика полупроводников. — СПб, ФТИ, 2011. — 18 с. Солнечная энергетика в настоящее время является одной из наиболее быстроразвивающихся отраслей электроэнергетики. Большой потенциал роста этой ветви альтернативной энергетики обусловлен такими глобальными факторами, как необходимость обеспечения национальной энергобезопасности и повыш...
Принцип работы и характеристики полупроводниковых выпрямительных диодов и стабилитронов
Реферат- формат doc
- размер 210,44 КБ
- добавлен 29 января 2012 г.
Харьков 2012 стр. 15. В реферате описаны: Общий принцип действия, конструкция полупроводниковых приборов, графические изображения и вольтамперные характеристики выпрямительных диодов и стабилитронов. Включение выпрямительных диодов в схемах выпрямителей. Вывод и список литературы прилагается.
Реферат - Барьерная емкость. Варикапы
Реферат- формат docx
- размер 381.12 КБ
- добавлен 27 мая 2011 г.
Содержание. Введение. Принцип действия и области применения варикапа. Малосигнальная эквивалентная схема варикапа. Особенности конструирования варикапов. Параметры варикапов и методы их измерения. Функциональные зависимости параметров варикапов. Заключение. Список используемой литературы.
Реферат - Полупроводниковые диоды
Реферат- формат doc
- размер 88.8 КБ
- добавлен 06 мая 2009 г.
Содержание, введение, плоскостной выпрямительный диод, кремниевый стабилитрон, туннельный диод, точечный диод, импульсный диод, варикапы, диоды Шоттки, список литературы,
Слабухин Александр. Диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния
- формат pdf
- размер 390.55 КБ
- добавлен 20 мая 2010 г.
Компоненты и технологии № 2'2005 Повышение производительности, достигающееся при использовании высоковольтных выпрямителей на основе карбида кремния в бустерных преобразователях, может использоваться для увеличения выходной мощности, частоты коммутации в устройствах небольших размеров или для повышения их надежности. Диоды Шоттки на основе карбидакремния компании Cree отлично подходят для повышения производительности, к тому же, сих помощью можн...
Справочник по полупроводниковым диодам
Словарь- формат htm
- размер 600.19 КБ
- добавлен 13 декабря 2007 г.
В этом справочнике описаны основные характеристики различных полупроводниковых диодов.Так же имеется цветовая маркировка диодов и рисунки корпусов.Справочник сделан мной в формате HTTP rn
Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров
- формат ppt
- размер 2,46 МБ
- добавлен 08 марта 2012 г.
Презентация: Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров. В основе работы полупроводниковых светоизлучающих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них: инжекция неосновных носителей в активную область структуры электронно-дырочным гомо- или гете-ропереходом; излучательная рекомбинация инжектированных носителей в активной области структуры. Явление инжекции неосновных носителей служит основным механизмом введения нерав...
Украинец В.О., Ильчук Г.А., Украинец Н.А., Рудь Ю.В., Иванов-Омский В.И. Электрические свойства диодов Шоттки на высокоомных кристаллах CdTe
Статья- формат pdf
- размер 90,64 КБ
- добавлен 28 июня 2014 г.
Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып. 16. - 6 с. Проведено измерение высоты барьера Шоттки на монокристаллах, легированных галогенами Cl, Br, J в процессе выращивания методом химических транспортных реакций, посредством предлагаемой модификации авторами F(V)-функции.
Фалеев Д.С. Контактная разность потенциалов между металлом и полупроводником
Практикум- формат doc
- размер 614,97 КБ
- добавлен 08 октября 2013 г.
Методические указания по выполнению лабораторной работы. – Хабаровск: ДВГУПС, 2013. – 21 с. В методических указания рассматриваются основы теории для двух контактирующих металлов, металла и полупроводника, точечного диода. Излагается физическая сущность рассматриваемых явлений. Приводится методика расчета контактной разности потенциалов в точечных диодах. Кратко описана экспериментальная установка для измерений контактной разности потенциалов. Пр...
Федоров М.А. Полупроводниковые диоды и триоды
- формат djvu
- размер 210.35 КБ
- добавлен 06 февраля 2010 г.
Небольшая статья, в которой рассказывается о работе полупроводниковых диодов и триодов (транзисторов), замечательных электронных устройств, изобретение которых стало возможным только после кропотливого изучения свойств определенного типа веществ — полупроводников. Сконструированные несколько десятков лет назад, эти устройства в настоящее время стали незаменимыми элементами огромного количества физических и радиотехнических приборов. Если Вы б...
Хрулёв А.К., Черепанов В.П. Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник в 3-х томах. Том 1
Справочник- формат djvu
- размер 9.79 МБ
- добавлен 15 августа 2009 г.
В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даютсяклассификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковы...
Хрулёв А.К., Черепанов В.П. Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник в 3-х томах. Том 2
- формат djvu
- размер 6.02 МБ
- добавлен 15 августа 2009 г.
Во втором томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики стабилитронов, ограничителей напряжения, импульсных диодов, варикапов, туннельных и обращённых диодов. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зару...
Хрулёв А.К., Черепанов В.П. Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник в 3-х томах. Том 3
- формат djvu
- размер 5.58 МБ
- добавлен 15 августа 2009 г.
В третьем томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики сверхвысокочастотных диодов, излучающих диодов ИК диапазона, светоизлучающих диодов, знакосинтезирующих индикаторов, оптопар и оптоэлектронных интегральных микросхем. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и п...
Черепанов В.П. Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров. Справочник
Справочник- формат djvu
- размер 1.59 МБ
- добавлен 02 марта 2011 г.
Издательство: КУбК-а (Москва). Год издания: 1997. ISBN: 5-85554-156-8. Страниц: 224. Справочник построен в виде таблицы, в которой приведены типо-номиналы отечественных диодов и тиристоров в соответствии с действующим рубрикатором на полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги с указанием различных фирм изготовителей США, Японии и Западной Европы. Для удобства работы книга разделена на две части. В первой части приведены зарубежные аналоги...
Чжоу В.Ф. Принципы построения схем на туннельных диодах
- формат djvu, txt
- размер 3,58 МБ
- добавлен 10 ноября 2012 г.
М.: Мир, 1966. — 448 с. Пер. с англ. Н.З. Шварца. Книга является первой попыткой систематизации обширного материала по применению туннельных диодов в радиотехнике и вычислительной технике. Она написана видным американским специалистом по полупроводниковым приборам, автором ряда известных книг по транзисторам. В ней рассмотрены физические явления, происходящие в туннельном диоде, подробно изложены вопросы усиления, генерирования и преобразования п...
Электронные компоненты. Выпрямительные диоды, диодные мосты и области их применения
- формат pdf
- размер 746.5 КБ
- добавлен 03 декабря 2010 г.
Электронные компоненты. Выпрямительные диоды, диодные мосты и области их применения. Номенклатура, описание, схемы применения. 2010 г. Гамма Санкт-Петербург. 13 с.
Chen G., Craven V. et.al. Performance of high-power III-nitride light emitting diodes
- формат pdf
- размер 423.27 КБ
- добавлен 10 июля 2010 г.
G. Chen, M. Craven, A. Kim, A. Munkholm, S. Watanabe, M. Camras, W. G?tz, and F. Steranka. Phys. Status Solidi A, 205 (5), 1086 – 1092 (2008). Philips Lumileds Lighting Company