Реферат - Барьерная емкость. Варикапы

Реферат

формат docx
размер 381.12 КБ
добавлен 27 мая 2011 г.

Содержание.
Введение.
Принцип действия и области применения варикапа.
Малосигнальная эквивалентная схема варикапа.
Особенности конструирования варикапов.
Параметры варикапов и методы их измерения.
Функциональные зависимости параметров варикапов.
Заключение.
Список используемой литературы.

Смотрите также

Курсовая работа - Полупроводниковые диоды

Курсовая работа

формат doc
размер 625 КБ
добавлен 28 сентября 2011 г.

Содержание. Введение. Назначение и область применения. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия. Конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации. Эффекты...

Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник

формат djvu
размер 3.83 МБ
добавлен 03 июля 2010 г.

К.: Наукова думка, 1978. - 316 с. Оглавление Биполярные генерационные процессы в структурах МДП Результаты экспериментального исследования биполярных генерационных процессов в кремниевых структурах МДП Взаимосвязь генерационных и рекомбинационных параметров структур МДП Перенос заряда и полевая генерация в диэлектриках Полевая генерация в полупроводниковой подложке Туннельная спектроскопия Туннельные генерационные явления в структурах МДП с толст...

Реферат - Логические элементы и их электронные аналоги

Реферат

формат doc
размер 724.09 КБ
добавлен 04 апреля 2009 г.

Введение. Логический элемент И. . Логический элемент ИЛИ. Логический элемент НЕ. Логический элемент И-НЕ . Логический элемент ИЛИ-НЕ. Литература.

Реферат - Напівпровідникові матеріали

Реферат

формат doc
размер 315 КБ
добавлен 13 июля 2011 г.

ЧГУ им. Петра Могилы. г. Николаев. Преподователь: Прыщепов О.Ф. 2011 г. 37 с. Особливості напівпровідникових матеріалів Власна електропровідність напівпровідників Домішкова електропровідність Дрейфовий та дифузійний струми Фотопровідність напівпровідників Формування контакту напівпровідник- напівпровідник Енергетична діаграма р-n переходу Фотоефект в р-n переході

Реферат - Пассивные элементы полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем

Реферат

формат doc
размер 191.58 КБ
добавлен 27 января 2009 г.

Обзорный реферат. Рассматриваются некоторые особенности технологии изготовления резисторов (диффузионные резисторы, пинч-резисторы, эпитаксиальные резисторы, эпитаксиальные пинч-резисторы, ионно-легированные резисторы, пленочные резисторы) и конденсаторов (МДП – конденсаторы и диффузионные конденсаторы)

Реферат - Полупроводниковые диоды

Реферат

формат doc
размер 88.8 КБ
добавлен 06 мая 2009 г.

Содержание, введение, плоскостной выпрямительный диод, кремниевый стабилитрон, туннельный диод, точечный диод, импульсный диод, варикапы, диоды Шоттки, список литературы,

Реферат - СБИС

Реферат

формат doc
размер 188.48 КБ
добавлен 20 января 2008 г.

Технологии сверхбольших ИМС

Реферат - Фототиристоры

Реферат

формат doc
размер 87.64 КБ
добавлен 08 февраля 2008 г.

Реферат по фототиристорам, описание, принцип действия, обозначения, рисунки.rn

Реферат - Электрический взрыв проводников

Реферат

формат doc
размер 81.5 КБ
добавлен 29 апреля 2011 г.

Содержание. Электрический взрыв проводников. Моделирование ЭВП. Процессы протекающие при ЭВП. Основные направления работ по ЭВП. Применение ЭВП. Заключение. Список использованной литературы.

Шпаргалка - Полупроводниковые приборы

Шпаргалка

формат doc
размер 1.7 МБ
добавлен 09 ноября 2011 г.

Шпаргалка составленная по дисциплине "Электронные сверхвысокочастотные и кывантовые приборы". Содержит теорию полупроводников и краткие сведения по полупроводниковым приборам. Содержание Электроника. Электронные приборы. Физические явления в электронных приборах. Классификация электронных приборов. Электропроводность твердых тел. Классификация твердых тел по проводимости. Влияние температуры, наличия примеси, освещенности на электропроводность п/...