Твердотельная электроника
Арипов Х.К., Абдуллаев А.М., Кузьмина Г.Н., Объедков Е.В., Королева И.А. Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника
- формат doc
- размер 250.37 КБ
- добавлен 19 февраля 2012 г.
Раздел Полупроводниковые диоды/Конспект лекций – Ташкент : ТЭИС, 2002, 87 с. В конспекте лекций обобщен и систематизирован материал по разделу «полупроводниковые диоды» курса «Электронные и квантовые приборы и микроэлектроника». Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь при самостоятельном изучении курса. Конспект лекций предназначен для бакалавров п...
Арипов Х.К., Абдуллаев А.М., Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника
- формат doc
- размер 314.12 КБ
- добавлен 01 января 2010 г.
Раздел Микроэлектроника. Ташкент, Электротехнический институт связи, 2002 г. Конспект лекции В конспекте лекций обобщен и систематизирован материал по разделу «микроэлектроника» курса «Электронные и квантовые приборы и микроэлектроника». Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь при самостоятельном изучении курса. Конспект лекций предназначен для бак...
Арипов Х.К., Кузьмина Г.Н. Микроволновые полупроводниковые приборы
- формат doc
- размер 483.7 КБ
- добавлен 01 января 2010 г.
Х. К. Арипов, Г. Н. Кузьмина, А. М. Абдуллаев, А. М. Афанасьева. Микроволновые полупроводниковые приборы. Конспект лекций - Ташкент: ТУИТ 2003. В данном конспекте лекций обобщен материал по дисциплине " Микроволновые полупроводниковые приборы". Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь студентам при самостоятельном изучении курса. Конспект лекций пре...
Аркуша Ю.В., Белецкий Н.И., Прохоров Э.Д. Задачи по твердотельной электронике
- формат djvu
- размер 10,13 МБ
- добавлен 07 ноября 2012 г.
Харьков: ХНУ, 2004. - 144 с. Приведены задачи по основным разделам курсов - "Физика полупроводников", "Твердотельная электроника", "Оптоэлектроника", которые включают химические связи в полупроводниках, статистику электронов и дырок в полупроводниках, кинетические явления в полупроводниках, неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления, биполярные транзисторы, униполярные транзисторы, туннельные явления и приборы, пролетные...
Аркуша Ю.В., Белецкий Н.И., Прохоров Э.Д. Задачи по твердотельной электронике
- формат pdf
- размер 12,97 МБ
- добавлен 27 марта 2013 г.
Харьков: ХНУ, 2004. - 144 с. [Постраничная версия] Приведены задачи по основным разделам курсов - "Физика полупроводников", "Твердотельная электроника", "Оптоэлектроника", которые включают химические связи в полупроводниках, статистику электронов и дырок в полупроводниках, кинетические явления в полупроводниках, неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления, биполярные транзисторы, униполярные транзисторы, туннельные явления...
Артёмов К.С. Твердотельная электроника
- формат pdf
- размер 1.55 МБ
- добавлен 25 января 2012 г.
Пособие. Ярославский государственнй университет имени П.Г. Демидова. Ярославль, 2000 год. Содержание: Введение. Классификация электронных устройств. Полупроводники. p-n переход. Биполярный транзистор.
Болванович Э.И. Полупроводниковые пленки и миниатюрные измерительные преобразователи
- формат djvu
- размер 3,41 МБ
- добавлен 06 января 2014 г.
Минск, Наука и техника, 1981.- 214 с. В книге обобщены и систематизированы результаты исследований тонких пленок полупроводников с целью создания на их основе и с применением методов интегральной технологии нового поколения миниатюрных твердотельных измерительных преобразователей (ИП). Книга такой направленности издастся впервые. Она дополнит серию недавно изданных монографий, в которых рассмотрена роль полупроводниковых пленок в современной техн...
Борисов О.В., Якименко Ю.І. Твердотільна електроніка
- формат pdf
- размер 18.74 МБ
- добавлен 06 февраля 2017 г.
підручник. – К. : НТУУ «КПІ», 2015. – 484 с. Висвітлено фізичні процеси більшості відомих дискретних приладів твердотільної електроніки. Подано основні відомості з фізики напівпровідників, фізики утворення електронно-діркового та інших електронних переходів; розглянуто теоретичну модель електронно-діркового переходу та його властивості. Докладно викладено принцип дії, параметри і характеристики напівпровідникових діодів, біполярних і польових тр...
Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах
- формат djvu
- размер 5.96 МБ
- добавлен 17 октября 2010 г.
В книге английского ученого всесторонне и с единых позиций рассмотрены механизмы генерирования шумов и шумовые характеристики электронных устройств, начиная с биполярных и полевых транзисторов, диодов, резисторов, СВЧ-приборов и кончая такими современными приборами и уникальными установками, как квантовые усилители и генераторы, приборы с переходами Джозефсона и детекторы гравитационных волн. Книга отличается ясностью и полнотой изложения материа...
Бурбаева Н.В., Днепровская Т.С. Сборник задач по полупроводниковой электронике
- формат djvu
- размер 1.9 МБ
- добавлен 05 октября 2009 г.
М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. — 168 с. Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу "Основы полупроводниковой электроники", читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на 6 глав: физические основы работы p-n-перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические элементы, полупроводниковые генераторы. В начале каждой главы даётся краткий теоретический материал по соо...
Вендик О.Г. Полупроводниковая электроника и микроэлектроника
- формат htm
- размер 127.96 КБ
- добавлен 06 февраля 2011 г.
СПб: СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 2002. Курс лекций для бакалавров. Оглавление. Этапы производства и оптимизация ИС. Предельные возможности интегральной микроэлектроники. Приборы с зарядовой связью. Гетеропереход и двумерный электронный газ. Сверхбыстродействующие транзисторы на основе гетероперехода. Микроэлектроника СВЧ.rn
Височанський Ю.М., Горват А.А., Грабар О.О., Молнар О.О., Молнар Ш.Б., Наконечний Ю.С., Феделеш В.І. Твердотільна електроніка
Практикум- формат pdf
- размер 168.67 МБ
- добавлен 09 июля 2014 г.
Лабораторний практикум, Ужгород: ІВА, 2001. -388c. У посібнику наведені описи лабораторних робіт практикуму з фізичних основ роботи напівпровідникових приладів, схемотехніки, мікропроцесорної техніки та властивостей діелектричних матеріалів для функціональної електроніки. Кожна робота містить теоретичні відомості, методику проведення досліджень, експериментальні завдання, вимоги до звіту та питання для контролю знань. Завдання практикуму передба...
Воронков Э.Н. Твердотельная электроника
- формат doc
- размер 1.39 МБ
- добавлен 06 февраля 2011 г.
М.: МЭИ, 2002. - 181 с. Оглавление. Основные понятия физики полупроводниковых материалов. Диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.
Гаврикова Т.А., Ильин В.И., Полухин И.С. Твердотельная электроника. Расчеты полупроводниковых гетеропереходов
- формат djvu
- размер 1,43 МБ
- добавлен 23 февраля 2016 г.
Учебное пособие. — СПб.: Изд-во Политехнического университета, 2013. — 79 с. Соответствует содержанию авторского курса Твердотельная электроника для обучающихся по направлению 223200 Техническая физика по бакалаврской подготовке. Рассмотрены основы теории полупроводниковых гетероструктур. Дана классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом (неоднородный полупроводник — гомоструктура, варизонный полупроводник — гете...
Голомедова А.В. Полупроводниковые приборы. Справочник
- формат djvu
- размер 6.9 МБ
- добавлен 14 марта 2008 г.
Полупроводниковые приборы. Высокочастотные диоды. Диоды импульсные. Оптоэлектронные приборы. 592 страницы. Формат djvu
Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n перехода в полупроводниках
- формат djvu
- размер 17.2 МБ
- добавлен 15 февраля 2011 г.
Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их возникновения, вольт-амперная характеристика и перегрузочная способность кремниевых лавинных вентилей большой площади, связь этих характери...
Гуртов В.А. Твердотельная электроника
- формат pdf
- размер 2,63 МБ
- добавлен 14 мая 2014 г.
Учебное пособие. — Петрозаводск: Издательство Петрозаводского государственного университета, 2004. — 312 с. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзис...
Гуртов В.А. Твердотельная электроника
- формат pdf
- размер 8.38 МБ
- добавлен 10 ноября 2011 г.
Учебное пособие / 2-е изд., доп. - М.: Техносфера, 2005. - 408с. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодо...
Гуртов В.А. Твердотельная электроника
- формат pdf
- размер 3.06 МБ
- добавлен 20 марта 2009 г.
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как н...
Гуртов В.А. Твердотельная электроника
- формат pdf
- размер 32.13 МБ
- добавлен 07 октября 2016 г.
3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с. — ISBN 978-5-94836-187-1. Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светоди...
Гуртов В.А.Твердотельная электроника
- формат pdf
- размер 15.56 МБ
- добавлен 07 июля 2011 г.
М.: Техносфера, 2008. - 512 с. - ISBN: 978-5-94836-187-1 (3-е изд., доп.) В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролет...
Гусев В.А. Основы твердотельной электроники
- формат djvu
- размер 32,26 МБ
- добавлен 25 июня 2016 г.
Учебное пособие. — Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2004. — 635 с.: ил. В данном учебном пособии рассмотрены физика процессов в полупроводниковых устройствах, базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологии монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа; основные отрасли использования активных прибор...
Гусев В.А. Основы твердотельной электроники
- формат pdf
- размер 29,58 МБ
- добавлен 24 июня 2016 г.
Учебное пособие. — Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2004. — 635 с.: ил . В данном учебном пособии рассмотрены физика процессов в полупроводниковых устройствах, базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологии монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа; основные отрасли использования активных прибо...
Гусев В.А. Твердотельная электроника
- формат chm
- размер 38.11 МБ
- добавлен 17 сентября 2011 г.
М.: СевНТУ, 2004. - 635 с. - ISBN 966-7473-70-8. В учебном пособии рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологию монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа; основные области применения активных приборов и интегральных схем....
Данилов В.С. Микроэлектроника СВЧ
- формат pdf
- размер 7,41 МБ
- добавлен 27 января 2015 г.
Учеб. пособие. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2007. – 292 с. Рекомендовано учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» направления 210200 «Проектирование и технология электронных средств»...
Дудкин В.П., Коробова А.Д. Элементы и устройства твердотельной электроники в примерах и задачах: учебно-методическое пособие
- формат pdf
- размер 336.08 КБ
- добавлен 31 августа 2011 г.
Воронеж: ВГУ, 2006. - 43 с. Учебно-методическое пособие, посвященное элементам и устройствам твердотельной электроники, подготовлено на кафедрах электроники и радиофизики физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 3, 4 курсов физического факультета специальностей "Радиофизика и электроника", "Физика" (очная форма обучения), 4, 5 курсов физического факультета специальности "Радиофизика и электро...
Дурнаков А.А., Елфимов В.И. Электроника
- формат pdf
- размер 16,54 МБ
- добавлен 19 октября 2016 г.
Учебно-методическое пособие. — Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2016. — 160 с. — ISBN 978-5-7996-1787-5. Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в p-n переходе, виды пробоев p-n перехода, процессы в p-n переходах с туннельным эффектом, устройство, принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n переходом. Приводятся описание схем экспериментальных исследований, лабо...
Дурнаков А.А., Елфимов В.И. Электроника
- формат djvu
- размер 1,53 МБ
- добавлен 10 октября 2016 г.
Учебно-методическое пособие. — Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2016. — 160 с. — ISBN 978-5-7996-1787-5. Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в p-n переходе, виды пробоев p-n перехода, процессы в p-n переходах с туннельным эффектом, устройство, принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n переходом. Приводятся описание схем экспериментальных исследований, лабо...
Дьяконов В.П. Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 1. Приборы общего назначения
- формат djvu
- размер 18,03 МБ
- добавлен 1 апреля 2015 г.
М.: ДМК Пресс, 2013. — 600 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во втором томе описаны сверхскоростные и сверхширокополосные анализаторы сп...
Дьяконов В.П. Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 1. Приборы общего назначения
- формат pdf
- размер 53,30 МБ
- добавлен 1 апреля 2015 г.
М.: ДМК Пресс, 2013. — 600 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во втором томе описаны сверхскоростные и сверхширокополосные анализаторы сп...
Дьяконов В.П. Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 2. Приборы специального назначения
- формат djvu
- размер 17,19 МБ
- добавлен 1 апреля 2015 г.
М.: ДМК Пресс, 2013. — 576 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во втором томе описаны сверхскоростные и сверхширокополосные анализаторы сп...
Дьяконов В.П. Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 2. Приборы специального назначения
- формат pdf
- размер 63,06 МБ
- добавлен 1 апреля 2015 г.
М.: ДМК Пресс, 2013. — 576 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во втором томе описаны сверхскоростные и сверхширокополосные анализаторы...
Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твёрдотельная электроника
- формат pdf
- размер 3,44 МБ
- добавлен 09 марта 2015 г.
М. - Высшая Школа, 1986. — 304 с. Учебник для студентов вузов В учебнике рассмотрены тепловые, электрические, оптические и магнитные свойства твёрдых тел и электрические свойства плёнок. Для облегчения восприятия материала rpoоздкие математические построения опущены. Широко используются упрощенные модели с сохранением достаточно строгого уровня изложения. Содержание Структура кристаллов. Дефекты в кристаллах. Тепловые колебания атомов кристалла....
Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твёрдотельная электроника
- формат djvu
- размер 2.58 МБ
- добавлен 24 октября 2009 г.
Учеб. для студентов вузов М. - Высшая Школа, 1986. - 304 с. структура кристаллов. дефекты в кристаллах. тепловые колебания атомов кристалла. основы зонной теории. статистика в полупроводниках. кинетические явления. магнитные свойства твердых тел. контакт металл-полупроводник.
Исследование характеристик терморезисторов
Лабораторная- формат doc
- размер 111,25 КБ
- добавлен 25 июня 2016 г.
301 кафедра МАИ, Бусурин В.И., 2016, 9 с. Теоретическая часть. Математическая модель терморезистора. Вольтамперная характеристика терморезистора (ВАХ). Практическая часть. Практическая часть. Исходные данные. Исследование характеристик терморезистора. Термокоэффициент. Сопротивление. Функция преобразования терморезистора. ВАХ терморезистора. Исследование влияния дополнительного разогрева на ВАХ терморезистора. Вывод.
Краткий справочник - Твердотельная электроника
Словарь- формат doc
- размер 61.6 КБ
- добавлен 05 декабря 2009 г.
Р-n переход. Электрические модели р-n переход. Ёмкости р-n переход. ВАХ реальных диодов. Стабилитрон. Применение диодов и стабилитронов. Биполярные VT.
Курс лекцій з дисципліни Твердотіла електроніка
Статья- формат pdf
- размер 6.76 МБ
- добавлен 10 января 2012 г.
Курс лекцій для студентів спеціальностей 6.090803 «Електронні системи», 6.090802 «Електронні прилади і пристрої», 6.090804 «Фізична електроніка» заочної і денної форм навчання. Суми: СумДУ, 2011. - 280 с. Навчальний посібник має сім розділів. Перший присвячений елементам фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів, другий – будові, характеристикам і параметрам напівпровідникових діодів, третій – будові, принципу дії, характеристика...
Курс твердотельной электроники
Статья- формат doc
- размер 1,94 МБ
- добавлен 30 мая 2012 г.
Россия, Новосибирск, НГТУ, Макаров А.И. 2008г. Учебник подготовлен в НГТУ на кафедре микроэлектроники под ред. проф. Макарова А.И. в нем приведено современное изложение основ твердотельной электроники. Учебное пособие будет полезно студентам технических ВУЗов, интересующихся сжатым и доходчивым изложением теории и может быть полезно для самостоятельного закрепления материала, прочитанного на лекциях по ТТЭ. Выпущен издательством НГТУ в 2009 году.
Курсовая работа по технологии оптической контактной литографии
Курсовая работа- формат doc
- размер 2.1 МБ
- добавлен 09 февраля 2011 г.
Введение. Современные литографические процессы в технологии ППП и ИС. Фоторезисты. Фотошаблоны. Контактная фотолитография. Дефекты при проведении процесса контактной фотолитографии. Бесконтактная фотолитография. Рентгеновская литография. Электронно-лучевая литография. Описание технологического процесса. Выбор и описание технологического оборудования. Оценка технологического процесса. Ведомость технологической документации. Ведомость оборудования....
Лабораторная работа №1
Лабораторная- формат doc
- размер 114.64 КБ
- добавлен 15 января 2007 г.
ПП1. Лабораторная работа по курсу "Твердотельная электроника" для студентов специальности "Промышленная электроника". Вывод не лучший, но сдать можно :)
Лабораторная работа №2
Лабораторная- формат doc
- размер 238.11 КБ
- добавлен 19 января 2008 г.
Исследование динамических характеристик и параметров биполярных транзисторов
Лабораторная работа №2
Лабораторная- формат xls, doc
- размер 128.83 КБ
- добавлен 16 января 2007 г.
ПП2. Лабораторная работа "Исследование динамических характеристик и параметров биполярных транзисторов" для студентов специальности "Промышленная электроника"
Лабораторная работа №4
Лабораторная- формат doc, xls
- размер 156.25 КБ
- добавлен 16 января 2007 г.
ПП4. Лабораторная работа "Исследование статических характеристик, статических и дифференциальных параметров полевых транзисторов" для студентов специальности "Промышленная электроника"
Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. Твердотельная электроника. Учебное пособие
- формат pdf
- размер 3.84 МБ
- добавлен 12 ноября 2011 г.
Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-тр...
Легостаев Н.С., Четвергов К.В. Твёрдотельная электроника
- формат pdf
- размер 2,06 МБ
- добавлен 24 июня 2016 г.
Учебное пособие. — Томск: Эль Контент, 2011. — 244 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твёрдотельных приборов, явления переноса в твёрдых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзист...
Легостаев Н.С., Четвергов К.В. Твердотельная электроника
Практикум- формат pdf
- размер 903,23 КБ
- добавлен 14 июля 2016 г.
Методические указания по изучению дисциплины. — Томск: Эль Контент, 2012. — 52 с. Представлены рекомендации по самостоятельному изучению теоретического материала, выполнению контрольных и лабораторных работ. Для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника", с профилем "Промышленная электроника", с использованием дистанционных образовательных технологий. Введение Методические указания по изучению теоретического мате...
Лекции - Технология изделий интегральной техники
Статья- формат doc
- размер 16.7 МБ
- добавлен 23 апреля 2009 г.
Физическая природа свойств твёрдых тел. Фазовые диаграммы и твердые растворы. Структура твердотельных интегральных микросхем. Диффузионные процессы в твердых телах. Основы ионного легирования. Технологические основы микроэлектроники. /124 стр. // BSUIRrn
Лекции по твердотельной электронике
Статья- формат archive
- размер 2,18 МБ
- добавлен 02 апреля 2012 г.
Основные понятия, расчет концентрации носителей заряда в кристалле; Зависимость скорости электрона от напряженности электрического поля. Понятия эффективной массы и подвижности.
Лекции по ТТЭ
Статья- формат doc
- размер 3.3 МБ
- добавлен 01 октября 2006 г.
Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов. Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника Неравновесное состояние полупроводника. Электрические переходы в полупроводниковых приборах. Электрические переходы. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Электронно-дырочный перехо...
Лукашевич М.Г. Введение в магнитоэлектронику
- формат pdf
- размер 1.55 МБ
- добавлен 10 июля 2011 г.
Курс предназначен для студентов 4 курса специализаций «Физика полупроводников и диэлектриков» и –«Новые материалы и технологии». Рассматриваются вопросы переноса заряда в немагнитных и магнитоупорядоченных конденсированных средах и структурах на их основе во внешнем магнитном поле, возможность применения магниторезистивных эффектов в устройствах автоматики, измерительной и вычислительной техники
Лысенко А.П. (сост.) Исследование процессов восстановления обратного сопротивления диода с p-n-переходом
Практикум- формат pdf
- размер 2,10 МБ
- добавлен 09 февраля 2016 г.
М., МИЭМ, 2012. – 32 с. Учебно-методическое пособие по выполнению лабораторного практикума по «Твердотельной электронике». Предложена методика исследования параметров переходного процесса при переключении диода из проводящего состояния в запертое. Предназначено для студентов, обучающихся по специальностям 210104 – «Твердотельная электроника и микроэлектроника»; 210107 – «Электронное машиностроение». Цель работы: изучение переходных процессов в ди...
Лысенко А.П. Биполярные транзисторы
- формат pdf
- размер 872.28 КБ
- добавлен 15 октября 2009 г.
Рассматриваются процессы в различных областях транзисторной структуры, определяющие теория статический коэффициент передачи тока базы транзистора и его зависимость от режима и температуры. Для студентов и аспирантов, обучающихся по специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (Московский государственный институт электроники и математики (технический университет))
Лысенко А.П., Мироненко Л.С. (сост.) Краткая теория p-n-перехода
Практикум- формат pdf
- размер 783,66 КБ
- добавлен 25 января 2016 г.
М., МИЭМ, 2002. – 31 с. Методические указания к лабораторному практикуму по дисциплине «Твердотельная электроника» Настоящие методические указания являются руководством к выполнению лабораторных работ по курсам «Твердотельная электроника», «Физические основы электронной техники», «Физические основы микроэлектроники» для студентов дневного и вечернего отделений специальностей 200100, 200500 и 200300. Содержание Образование p-n-перехода Равновесная...
Митчел Дж., Уилсон Д. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией
- формат djvu
- размер 2,07 МБ
- добавлен 10 августа 2012 г.
Пер. с англ. — М.: Атомиздат, 1970. — 165 с. Данная книга посвящена одной из наиболее актуальных и наименее изученных проблем радиационной физики полупроводников — влиянию поверхности на характеристики полупроводниковых материалов и приборов при воздействии ионизирующего излучения. В книге анализируются работы, характеризующие современное состояние исследований по данной тематике, подробно рассматриваются вопросы физики поверхности, влияние ради...
Морозов А.И. Магнитоэлектроника
- формат pdf
- размер 878.99 КБ
- добавлен 06 августа 2011 г.
М.: МИРЭА, 2011. - 61 с. Данное учебное пособие по курсу "Магнитоэлектроника" предназначено магистрам, обучающимся по направлению 210100 "Микроэлектроника". В нем рассмотрены недавно открытые физические эффекты, которые легли в основу бурного развития этой отрасли электроники, начавшегося с 90-х годов ХХ века и продолжающегося в настоящее время. Учащиеся знакомятся с принципиальной конструкцией магнитоэлектронных устройств, созданных на основе...
Москатов Е.А. Твердотельная электроника
- формат pdf
- размер 1.85 МБ
- добавлен 17 декабря 2009 г.
Специальная редакция для журнала «РАДИО». Москатов Е. А. Электронная техника. Специальная редакция для журнала Радио. – Таганрог, 2004. – 121 стр. Рецензент к. т. н. Гайно Евгений Владимирович. Автор выражает благодарность уважаемому Владимиру Чуднову за ценные за- мечания при подготовке рукописи. Автор выражает благодарность своему учителю – Александру Владимировичу Кнышу.
Мэклин Э.Д. Терморезисторы
- формат djvu
- размер 2,32 МБ
- добавлен 25 февраля 2012 г.
М: Радио и связь, 1983. - 208 с. Рассмотрены основные свойства полупроводниковых материалов с отрицательным и положительным температурными коэффициентами сопротивления. Описана технология изготовления терморезисторов на основе этих материалов. Приведены варианты конструкций терморезисторов и их характеристики, а также схемные решения устройств с терморезисторами. Предложены методики расчета и выбора различных типов терморезисторов в схемах. Для и...
Обухов И.А. Неравновесные эффекты как основа функционирования твердотельных электронных приборов
Дисертация- формат pdf
- размер 5,08 МБ
- добавлен 02 апреля 2015 г.
Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Москва, ВУЗ не указан, 2014. — 300 с. Специальность 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах Научный руководитель не указан. Цель работы: Исследование влияния отклонений носителей заряда от состояния локального химического равновесия на электрические характеристики твердотельных электронных...
Прохоров Е.Д. Твердотіла електроніка
- формат pdf
- размер 18,50 МБ
- добавлен 18 февраля 2015 г.
Навчальний посібник. - Х: ХНУ імені В.Н.Каразіна, 2007. - 544 с. У навчальному посібнику в наочній формі викладаються фізичні принципи дії багатьох сучасних твердотільних приладів. Детально розглядаються нерівноважні носії заряду в напівпровідниках, контактні явища, біполярні транзистори, уніполярні транзистори, тунельні явища й прилади, пролітні явища й прилади, міждолинний перенос електронів, електрон-фононна взаємодія й акустоелектроніка, резо...
Расчет параметров активных элементов твердотельной электроники
Курсовая работа- формат doc
- размер 218,84 КБ
- добавлен 20 сентября 2016 г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, 2016, 21 с. Дисциплина - Твердотельная электроника. Задание: Расчет параметров кремниевый лавинного стабилитрона на напряжение стабилизации Uст = 200 вольт. Содержание: Расчет площади p-n перехода. Расчет удельного сопротивления для области базы. Расчет концентраций примесей в базе и эмиттере. Расчет обратного тока. Расчет собственной концентрации носителе...
Расчетная работа 3. Вариант 11.
rgr- формат doc
- размер 34.2 КБ
- добавлен 30 сентября 2006 г.
Расчетно-графическая работа по твердотельной электронике №3. Вариант 11.
Реферат - Терморезисторы, варисторы (принцип действия,основные характеристики, типовые схемы включения)
Реферат- формат doc
- размер 545 КБ
- добавлен 27 января 2009 г.
В реферате рассматриваются терморезисторы, варисторы (принцип действия, основные характеристики, типовые схемы включения). Также приведено задание к этой работе(подразумевается выполнение задания и проведение эксперимента с помощью таких программ, Electronics Workbench или Proteus). Введение 1. Терморезисторы (применение и основные схемы включения, принцип действия, основные характеристики и параметры). 2. Варисторы (принцип действия, применение...
Сергеев В.А., Моисеев А.В. Элементы и устройства твердотельной электроники: методические указания к лабораторным работам
Практикум- формат pdf
- размер 1.14 МБ
- добавлен 31 августа 2011 г.
Ульяновск: УлГТУ, 2008. - 56 с. Указания содержат описания лабораторных работ по изучению свойств и характеристик элементов и устройств твердотельной электроники, подробно не рассматриваемых в курсе "Электроники". Описанию лабораторных работ предшествуют разделы, указывающие порядок подготовки к работе, правила выполнения работ в лаборатории, требования к оформлению отчета и порядок получения зачета по работе, правила техники безопасности при вы...
Троян П.Е. Твердотельная электроника
- формат pdf
- размер 717,33 КБ
- добавлен 08 мая 2016 г.
Учебно-методическое пособие. – Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007. — 76 с. Учебно-методическое пособие предназначено для проведения аудиторных практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Твердотельная электроника» для студентов специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» направления подготовки 210100 «Электроника и микроэлектроника».
Троян П.Е. Твердотельная электроника
- формат pdf
- размер 2,90 МБ
- добавлен 10 мая 2016 г.
Учебное пособие. — Томск: ТУСУР, 2006. — 330 с. Физические основы твердотельной электроники Контакты металл-полупроводник. Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником Электронно-дырочные переходы Диоды на основе электронно-дырочных переходов Биполярные транзисторы Тиристоры Полевые транзисторы Сенсоры, датчики, преобразователи
Физические измерения в микроэлектронике
- формат pdf
- размер 3.29 МБ
- добавлен 28 марта 2011 г.
/ В. А. Пилипенко, В. Н. Пономарь, В. А. Горушко, А. А. Солонинко -Мн.: БГУ, 2003. - 171 с.: ил. ISBN 985-445-950-0. В монографии систематизированы физические методы исследования структуры, фазового состава, электрофизических свойств материалов и многослойных тонкопленочных структур, используемых в микроэлектронике для создания СБИС, а также функционального контроля микросхем. Представлены результаты по применению различных методов контроля на ра...
Чернозубов Ю.С. Как рождаются микросхемы
- формат pdf
- размер 6.31 МБ
- добавлен 20 февраля 2011 г.
М.: Просвещение, 1989. - 128 с.: ил. - (Мир знаний). Книга знакомит читателя с историей развития электроники, возникновением микроэлектроники. В ней даны основные понятия о видах микросхем - полупроводниковых интегральных и гибридных (тонкопленочных и толстопленочных). Даны элементарные понятия о физике полупроводников и основных элементов ИМС. Объясняется сущность основных технологических процессов изготовления ИМС: фотолитографии, вакуумного на...
Шефтель И.Т. Терморезисторы. (Электропроводность 3d-окислов. Параметры, характеристики и области применения)
- формат pdf
- размер 17,13 МБ
- добавлен 11 февраля 2017 г.
М.: Наука, 1973. — 416 с. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). OCR (распознан, можно копировать текст) Книга посвящена терморезисторам — полупроводниковым резисторам с сильной зависимостью величины сопротивления от температуры. В ее первой части обсуждаются электрические свойства и кристаллическая структура ряда окислов переходных металлов, а также физические и физико-химические основы технологии изготовления различных типов т...
Шефтель И.Т. Терморезисторы. (Электропроводность 3d-окислов. Параметры, характеристики и области применения)
- формат djvu
- размер 11,62 МБ
- добавлен 10 января 2017 г.
М.: Наука, 1973 — 470 с. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). Книга посвящена терморезисторам — полупроводниковым резисторам с сильной зависимостью величины сопротивления от температуры. В ее первой части обсуждаются электрические свойства и кристаллическая структура ряда окислов переходных металлов, а также физические и физико-химические основы технологии изготовления различных типов терморезисторов. Во второй части рассматри...
Шкаев А.Г. Твердотельная электроника: конспект лекций
- формат doc
- размер 5.87 МБ
- добавлен 08 июня 2010 г.
Шкаев, А. Г. Твердотельная электроника: конспект лекций / А. Г. Шкаев. – Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. Зонная структура полупроводников Термины и определения Статистика электронов и дырок в полупроводниках, положение уровня Ферми Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике Определение положения уровня Ферми Проводимость полупроводников Токи в полупроводни...
Шпоры по ТТЭ
pottee- формат doc
- размер 3.58 МБ
- добавлен 03 октября 2006 г.
Шпоры к экзамену по ТТЭ. Содержание по лекциям.
Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия
- формат djvu
- размер 20.75 МБ
- добавлен 02 апреля 2010 г.
Книга написана известным американским специалистом в области физики полупроводников М. Шуром. Подробно изложены электрофизические свойства GaAs. Особое внимание уделено явлениям переноса в субмикронных структурах. Рассмотрены все основные методы получения и исследования GaAs. Подробно изложена физика эффекта Ганна и описаны его многочисленные применения. Главное внимание уделено анализу работы полевого транзистора. С единой точки зрения проанализ...
Шур М.С. Эффект Ганна
- формат djvu
- размер 8.63 МБ
- добавлен 29 июня 2010 г.
В книге описаны физические механизмы эффекта Ганна - эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения. Книга рассчитана на инженеров, техников и подготовленных радиолюбителей.
Эффект Шоттки
Реферат- формат doc
- размер 70,05 КБ
- добавлен 25 декабря 2012 г.
Таганрог, ЮФУ, Факультет Электроники и Приборостроения; специальность: нанотехнологии в электронике; предмет: физические основы электроники; год 2012; 8 стр. Эффект Шоттки Автоэлектронная эмиссия
Bahl I., Bhartia P. Microwave Solid State Circuits Design, 2003
- формат pdf
- размер 36.22 МБ
- добавлен 22 февраля 2010 г.
Книга посвящена вопросам проектирования аналоговых СВЧ монолитных схем и устройств. (на англ. языке). Изд-во - Wiley-Int. 2003. - p. 906, ISBN 0-471-20755-1 Contents: Introduction. Transmission Lines and Lumped Elements. Resonators. Impedance Transformation Techniques. Hybrids and Couplers. Filters. Active Devices. Passive Devices. Oscillators. Amplifiers. Detectors and Mixers. Microwave Control Circuits. Frequency Multipliers and Dividers. RF...
Chih-Tang Sah Fundamentals of solid state electronics(Чих-Танг Саа Основы твёрдотельной электроники)
- формат djvu
- размер 12.1 МБ
- добавлен 24 марта 2011 г.
Издательство: World Scientific. Количество страниц:1014Electrons, bonds, bands and holes. Homogeneous semicondutor at equilibrium. Drift, diffusion, generation, recombination, trapping and tunneling. Metal-oxide-semiconductor capacitor (MOSC). P/n and other junction diodes. Metal-oxide-semiconductor and other field-effect transistors. Bipolar junction transistor and other bipolar transistor devices.
Cressler J.D. Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology
- формат pdf
- размер 6,18 МБ
- добавлен 17 января 2016 г.
CRC Press. 2008. -260 p. ISBN 978-1-4200-6687-6 Книга посвящена вопросам технологии SiGe HBT BiCMOS для аналоговых интегральных схем СВЧ диапазона. Приведено описание технологий известных зарубежных фирм. Contents The Big Picture Brief History of the Field Overview: Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology Device Structures and BiCMOS Integration SiGe HBTs on CMOS-Compatible SOI Passive Components Industry Examples at the State-of-the-Art: IBM...
Gao J. Heterojunction Bipolar Transistors for Circuit Design: Microwave Modeling and Parameter Extraction
- формат pdf
- размер 3,88 МБ
- добавлен 23 мая 2015 г.
Wiley - 2015, - 260 p. ISBN 978-1-118-92152-4 Книга посвящена вопросам моделирования и применения гетероструктурных биполярных транзисторов (SiGe HBT) при построении твердотельных интегральных схем (на англ. языке) Contents Introduction Basic Concept of Microwave Device Modeling Modeling and Parameter Extraction Methods of Bipolar Junction Transistor Small-Signal Modeling and Parameter Extraction of HBT Large-Signal Equivalent Circuit Modeling...
Kamanina N.V. (ed.) Features of Liquid Crystal Display Materials and Processes
- формат pdf
- размер 13.81 МБ
- добавлен 11 декабря 2011 г.
InTech. 2011. 222 p. Following the targeted word direction of Opto- and Nanoelectronics, the field of science and technology related to the development of new display technology and organic materials based on liquid crystals ones is meeting the task of replacing volume inorganic electro-optical matrices and devices. An important way in this direction is the study of promising photorefractive materials, conducting coatings, alignment layers, as w...
Marsh S. Practical MMIC Design
- формат image, pdf
- размер 4,41 МБ
- добавлен 02 января 2016 г.
Steve Marsh Practical MMIC Design. -Artech House. -2006. -p. 356. ISBN 1-59693-036-5 Contents Introduction Component Technology and Foundry Choice Foundry Use and Economics Simulation and Component Models Design Layout Processing Technology Test Книга посвящена вопросам проектирования СВЧ монолитных интегральных схем. Содержит примеры топологий МИС СВЧ различного типа.
Palestri P., Esseni D., Selmi L. Nanoscale MOS Transistors: Semi-Classical Transport and Applications
- формат pdf
- размер 3.71 МБ
- добавлен 10 ноября 2011 г.
Cambridge University Press, 2011, 470 pages Written from an engineering standpoint, this book provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors. A wealth of applications, illustrations and examples connect the methods described to all the latest issues in nanoscale MOSFET design. Key areas covered include: Transport in arb...
R?diger Quay. Gallium Nitride Electronics
- формат pdf
- размер 6.1 МБ
- добавлен 11 марта 2010 г.
Springer, 2008, 492 p. Gallium Nitride Electronics covers developments in III-N semiconductor-based electronics with a focus on high-power and high-speed RF applications. Material properties of III-N semiconductors and substrates; the state-of-the-art of devices and circuits, epitaxial growth, device technology, modelling and characterization; and circuit examples are discussed. The book concludes with device reliability aspects and an overview o...
Sah C.-T. Fundamentals of Solid-State Electronics
- формат pdf
- размер 53.12 МБ
- добавлен 18 февраля 2011 г.
World Scientific Publishing. 1991. 1014 p. Electrons, bonds, bands and holes Homogeneous semicondutor at equilibrium Drift, diffusion, generation, recombination, trapping and tunneling Metal-oxide-semiconductor capacitor (MOSC) P/n and other junction diodes Metal-oxide-semiconductor and other field-effect transistors Bipolar junction transistor and other bipolar transistor devices