М., МИЭМ, 2002. – 31 с.
Методические указания к лабораторному практикуму по дисциплине
«Твердотельная электроника»
Настоящие методические указания являются руководством к выполнению
лабораторных работ по курсам «Твердотельная электроника»,
«Физические основы электронной техники», «Физические основы
микроэлектроники» для студентов дневного и вечернего отделений
специальностей 200100, 200500 и 200300.
Содержание
Образование p-n-перехода
Равновесная контактная разность потенциалов
Энергетическая диаграмма p-n перехода
Барьерная емкость p-n перехода
Прямой и обратный ток p-n перехода
Вольтамперная характеристика p-n перехода
Распределение неосновных носителей вблизи области объемного заряда
Дополнительные теоретические сведения
Влияние температуры на обратный ток диода
Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диода
Основные физические постоянные
Образование p-n-перехода
Равновесная контактная разность потенциалов
Энергетическая диаграмма p-n перехода
Барьерная емкость p-n перехода
Прямой и обратный ток p-n перехода
Вольтамперная характеристика p-n перехода
Распределение неосновных носителей вблизи области объемного заряда
Дополнительные теоретические сведения
Влияние температуры на обратный ток диода
Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диода
Основные физические постоянные