Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия

формат djvu
размер 20.75 МБ
добавлен 02 апреля 2010 г.

Книга написана известным американским специалистом в области физики полупроводников М. Шуром. Подробно изложены электрофизические свойства GaAs. Особое внимание уделено явлениям переноса в субмикронных структурах. Рассмотрены все основные методы получения и исследования GaAs. Подробно изложена физика эффекта Ганна и описаны его многочисленные применения.
Главное внимание уделено анализу работы полевого транзистора. С единой точки зрения проанализированы физические принципы работы транзисторов, их применение в схемах, включая различные типы ИС, работа транзисторных структур, использующих свойства двумерного электронного газа.
Для специалистов в области физики полупроводников, полупроводниковой электроники и схемотехники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Смотрите также

Арипов Х.К., Абдуллаев А.М., Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника

формат doc
размер 314.12 КБ
добавлен 01 января 2010 г.

Раздел Микроэлектроника. Ташкент, Электротехнический институт связи, 2002 г. Конспект лекции В конспекте лекций обобщен и систематизирован материал по разделу «микроэлектроника» курса «Электронные и квантовые приборы и микроэлектроника». Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь при самостоятельном изучении курса. Конспект лекций предназначен для бак...

Арипов Х.К., Кузьмина Г.Н. Микроволновые полупроводниковые приборы

формат doc
размер 483.7 КБ
добавлен 01 января 2010 г.

Х. К. Арипов, Г. Н. Кузьмина, А. М. Абдуллаев, А. М. Афанасьева. Микроволновые полупроводниковые приборы. Конспект лекций - Ташкент: ТУИТ 2003. В данном конспекте лекций обобщен материал по дисциплине " Микроволновые полупроводниковые приборы". Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь студентам при самостоятельном изучении курса. Конспект лекций пре...

Вендик О.Г. Полупроводниковая электроника и микроэлектроника

формат htm
размер 127.96 КБ
добавлен 06 февраля 2011 г.

СПб: СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 2002. Курс лекций для бакалавров. Оглавление. Этапы производства и оптимизация ИС. Предельные возможности интегральной микроэлектроники. Приборы с зарядовой связью. Гетеропереход и двумерный электронный газ. Сверхбыстродействующие транзисторы на основе гетероперехода. Микроэлектроника СВЧ.rn

Голомедова А.В. Полупроводниковые приборы. Справочник

формат djvu
размер 6.9 МБ
добавлен 14 марта 2008 г.

Полупроводниковые приборы. Высокочастотные диоды. Диоды импульсные. Оптоэлектронные приборы. 592 страницы. Формат djvu

Гуртов В.А. Твердотельная электроника

формат pdf
размер 8.38 МБ
добавлен 10 ноября 2011 г.

Учебное пособие / 2-е изд., доп. - М.: Техносфера, 2005. - 408с. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодо...

Гуртов В.А. Твердотельная электроника

формат pdf
размер 3.06 МБ
добавлен 20 марта 2009 г.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как н...

Гуртов В.А.Твердотельная электроника

формат pdf
размер 15.56 МБ
добавлен 07 июля 2011 г.

М.: Техносфера, 2008. - 512 с. - ISBN: 978-5-94836-187-1 (3-е изд., доп.) В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролет...

Курсовая работа по технологии оптической контактной литографии

Курсовая работа

формат doc
размер 2.1 МБ
добавлен 09 февраля 2011 г.

Введение. Современные литографические процессы в технологии ППП и ИС. Фоторезисты. Фотошаблоны. Контактная фотолитография. Дефекты при проведении процесса контактной фотолитографии. Бесконтактная фотолитография. Рентгеновская литография. Электронно-лучевая литография. Описание технологического процесса. Выбор и описание технологического оборудования. Оценка технологического процесса. Ведомость технологической документации. Ведомость оборудования....

Лекции по ТТЭ

Статья

формат doc
размер 3.3 МБ
добавлен 01 октября 2006 г.

Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов. Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника Неравновесное состояние полупроводника. Электрические переходы в полупроводниковых приборах. Электрические переходы. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Электронно-дырочный перехо...

Шур М.С. Эффект Ганна

формат djvu
размер 8.63 МБ
добавлен 29 июня 2010 г.

В книге описаны физические механизмы эффекта Ганна - эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения. Книга рассчитана на инженеров, техников и подготовленных радиолюбителей.