Лысенко А.П. (сост.) Исследование процессов восстановления обратного сопротивления диода с p-n-переходом

М., МИЭМ, 2012. – 32 с. Учебно-методическое пособие по выполнению лабораторного практикума по «Твердотельной электронике». Предложена методика исследования параметров переходного процесса при переключении диода из проводящего состояния в запертое.
Предназначено для студентов, обучающихся по специальностям 210104 – «Твердотельная электроника и микроэлектроника»; 210107 – «Электронное машиностроение». Цель работы: изучение переходных процессов в диоде при резком переключении его с прямого смещения на обратное в зависимости от
параметров внешней цепи; знакомство с диффузионной емкостью р-п-перехода; определение времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода; определение времени восстановления обратного сопротивления, измерение сопротивления базы диода. Содержание
Краткая теория переходных процессов в р-п-переходе
Стационарное состояние р-п-перехода при прямом смешении
Стационарное состояние р-п-перехода при обратом смещении
Стационарный ток через р-п-переход
Процесс переключения диода из проводящего состояния в запертое
Предварительная подготовка к работе
Схема установки
Порядок выполнения работы
Вопросы к защите лабораторной работы
Рекомендуемая литература