Учебно-методическое пособие. — Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та,
2016. — 160 с. — ISBN 978-5-7996-1787-5.
Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в
p-n переходе, виды пробоев p-n перехода, процессы
в p-n переходах с туннельным эффектом, устройство,
принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов
и полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.
Приводятся описание схем экспериментальных исследований,
лабораторные задания, методика обработки результатов эксперимента,
вопросы для самопроверки.
Физические процессы в электронно-дырочных
переходах.
Понятие и образование электронно-дырочного перехода.
Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии.
Неравновесное состояние p-n-перехода.
Вольтамперная характеристика реального p-n-перехода.
Лабораторное задание № 1 «Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов».
Контрольные вопросы. Виды пробоев p-n-перехода.
Общая характеристика пробоя p-n-перехода.
Тепловой пробой p-n-перехода.
Полевой пробой.
Лавинный пробой.
Параметры стабилитронов.
Параметрический стабилизатор напряжения.
Лабораторное задание № 2 «Исследование характеристик и параметров стабилитронов».
Контрольные вопросы. Физические процессы в электронно-дырочных переходах с туннельным эффектом.
Понятие и особенности электронно-дырочных переходов с туннельным эффектом.
Вольтамперная характеристика идеального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом.
Вольтамперная характеристика реального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом.
Влияние температуры окружающей среды на ВАХ реального туннельного диода.
Параметры электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом.
Использование туннельного диода в качестве усилителя.
Лабораторное задание № 3 «Исследование характеристик и параметров туннельных диодов».
Контрольные вопросы. Устройство и принцип работы биполярных транзисторов.
Определение и классификация транзисторов.
Устройство биполярного транзистора.
Физические основы работы биполярного транзистора.
Статические характеристики биполярного транзистора.
Н-параметры биполярного транзистора в схеме включения с общей базой.
Эквивалентные Т-образные схемы биполярного транзистора в схеме включения с общей базой.
Лабораторное задание № 4 «Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общей базой».
Связь между токами биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
Входные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
Выходные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
Влияние температуры на выходные характеристики БТ в схеме включения с общим эмиттером.
Влияние режима работы биполярного транзистора и температуры окружающей среды на коэффициент передачи по току в схеме включения с ОЭ.
Система Н-параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
Лабораторное задание № 5 «Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером».
Контрольные вопросы. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом.
Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Сток-затворные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Влияние температуры на сток-затворную характеристику полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.
Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Лабораторное задание № 6 «Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом».
Контрольные вопросы. Библиографический список.
Приложения.
Понятие и образование электронно-дырочного перехода.
Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии.
Неравновесное состояние p-n-перехода.
Вольтамперная характеристика реального p-n-перехода.
Лабораторное задание № 1 «Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов».
Контрольные вопросы. Виды пробоев p-n-перехода.
Общая характеристика пробоя p-n-перехода.
Тепловой пробой p-n-перехода.
Полевой пробой.
Лавинный пробой.
Параметры стабилитронов.
Параметрический стабилизатор напряжения.
Лабораторное задание № 2 «Исследование характеристик и параметров стабилитронов».
Контрольные вопросы. Физические процессы в электронно-дырочных переходах с туннельным эффектом.
Понятие и особенности электронно-дырочных переходов с туннельным эффектом.
Вольтамперная характеристика идеального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом.
Вольтамперная характеристика реального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом.
Влияние температуры окружающей среды на ВАХ реального туннельного диода.
Параметры электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом.
Использование туннельного диода в качестве усилителя.
Лабораторное задание № 3 «Исследование характеристик и параметров туннельных диодов».
Контрольные вопросы. Устройство и принцип работы биполярных транзисторов.
Определение и классификация транзисторов.
Устройство биполярного транзистора.
Физические основы работы биполярного транзистора.
Статические характеристики биполярного транзистора.
Н-параметры биполярного транзистора в схеме включения с общей базой.
Эквивалентные Т-образные схемы биполярного транзистора в схеме включения с общей базой.
Лабораторное задание № 4 «Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общей базой».
Связь между токами биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
Входные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
Выходные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
Влияние температуры на выходные характеристики БТ в схеме включения с общим эмиттером.
Влияние режима работы биполярного транзистора и температуры окружающей среды на коэффициент передачи по току в схеме включения с ОЭ.
Система Н-параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
Лабораторное задание № 5 «Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером».
Контрольные вопросы. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом.
Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Сток-затворные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Влияние температуры на сток-затворную характеристику полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.
Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Лабораторное задание № 6 «Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом».
Контрольные вопросы. Библиографический список.
Приложения.