Лысенко А.П. Биполярные транзисторы

формат pdf
размер 872.28 КБ
добавлен 15 октября 2009 г.

Рассматриваются процессы в различных областях транзисторной
структуры, определяющие теория статический коэффициент передачи тока
базы транзистора и его зависимость от режима и температуры.
Для студентов и аспирантов, обучающихся по специальности 200100
«Микроэлектроника и твердотельная электроника» (Московский государственный институт электроники и математики (технический университет))

Смотрите также

Вендик О.Г. Полупроводниковая электроника и микроэлектроника

формат htm
размер 127.96 КБ
добавлен 06 февраля 2011 г.

СПб: СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 2002. Курс лекций для бакалавров. Оглавление. Этапы производства и оптимизация ИС. Предельные возможности интегральной микроэлектроники. Приборы с зарядовой связью. Гетеропереход и двумерный электронный газ. Сверхбыстродействующие транзисторы на основе гетероперехода. Микроэлектроника СВЧ.rn

Воронков Э.Н. Твердотельная электроника

формат doc
размер 1.39 МБ
добавлен 06 февраля 2011 г.

М.: МЭИ, 2002. - 181 с. Оглавление. Основные понятия физики полупроводниковых материалов. Диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.

Григорьев О.П., Замятин В.Я. и др. Транзисторы. Справочник

формат djvu
размер 2.78 МБ
добавлен 06 сентября 2009 г.

В данном справочнике можно найти информацию начиная от общего сведения о биполярных и полевых транзисторах и заканчивая их габаритными чертежами.

Гусев В.А. Твердотельная электроника

формат chm
размер 38.11 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

М.: СевНТУ, 2004. - 635 с. - ISBN 966-7473-70-8. В учебном пособии рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологию монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа; основные области применения активных приборов и интегральных схем....

Краткий справочник - Твердотельная электроника

Словарь

формат doc
размер 61.6 КБ
добавлен 05 декабря 2009 г.

Р-n переход. Электрические модели р-n переход. Ёмкости р-n переход. ВАХ реальных диодов. Стабилитрон. Применение диодов и стабилитронов. Биполярные VT.

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. Твердотельная электроника. Учебное пособие

формат pdf
размер 3.84 МБ
добавлен 12 ноября 2011 г.

Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-тр...

Лекции по ТТЭ

Статья

формат doc
размер 3.3 МБ
добавлен 01 октября 2006 г.

Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов. Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника Неравновесное состояние полупроводника. Электрические переходы в полупроводниковых приборах. Электрические переходы. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Электронно-дырочный перехо...