• формат pdf
  • размер 2,06 МБ
  • добавлен 24 июня 2016 г.
Легостаев Н.С., Четвергов К.В. Твёрдотельная электроника
Учебное пособие. — Томск: Эль Контент, 2011. — 244 с.
Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твёрдотельных приборов, явления переноса в твёрдых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-транзисторов, полевых транзисторов с управляющим переходом, оптоэлектронных полупроводниковых приборов, а также полупроводниковых термоэлектрических и гальваномагнитных приборов. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100.62 "Электроника и наноэлектроника".
Введение
Физические основы твёрдотельной электроники
Зонная структура полупроводников
Распределение носителей заряда в полупроводниках
Процессы переноса заряда в полупроводниках
Поверхностные явления в полупроводниках
Диэлектрическая релаксация
Контактные явления
Электрические переходы
Электронно-дырочные переходы
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
Вольт-амперная характеристика идеализированного электронно-дырочного перехода
Статическая вольт-амперная характеристика реального электронно-дырочного перехода
Пробой электронно-дырочного перехода
Динамические параметры электронно-дырочного перехода
Переходные процессы в электронно-дырочном переходе
Контакты металл-полупроводник
Выпрямляющие контакты металл-полупроводник
Омические контакты
Структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуры)
Гетеропереходы
Полупроводниковые диоды
Общие сведения
Выпрямительные диоды
Импульсные диоды
Диоды Шоттки
Стабилитроны и стабисторы
Варикапы
Туннельные диоды и обращённые диоды
Биполярные транзисторы
Структура и основные режимы работы
Распределение стационарных потоков носителей заряда
Собственные статические параметры транзистора
Модель Эберса-Молла биполярного транзистора
Модуляция толщины базы
Пробой биполярных транзисторов
Статические характеристики
Динамические параметры транзистора
Линейные модели биполярного транзистора
Усилительные свойства транзистора
Работа биполярного транзистора в импульсном режиме
Зависимость параметров от режима работы
Тиристоры
Диодные тиристоры
Триодные тиристоры
Симметричные тиристоры
Способы управления тиристорами
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы с управляющим переходом
Статические характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
Малосигнальные параметры полевых транзисторов с управляющим переходом
Эквивалентные схемы полевых транзисторов с управляющим переходом
Инерционные свойства полевых транзисторов с управляющим переходом
Полевые транзисторы с изолированным затвором
МДП-транзисторы с индуцированным каналом
Статические характеристики МДП-транзисторов с индуцированным каналом
МДП-транзисторы со встроенным каналом
Статические параметры МДП-транзисторов
Эквивалентные схемы МДП-транзисторов
Инерционные свойства МДП-транзисторов
Усилительные свойства полевых транзисторов
Работа полевых транзисторов в импульсном режиме
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
Классификация оптоэлектронных приборов
Фототранзисторы
Оптоэлектронные пары
Полупроводниковые термоэлектрические и гальваномагнитные приборы
Терморезисторы
Полупроводниковые термоэлектрические устройства
Полупроводниковые гальваномагнитные приборы
Заключение
Список рекомендуемой литературы
Список условных обозначений
Глоссарий