• формат djvu
  • размер 17.2 МБ
  • добавлен 15 февраля 2011 г.
Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n перехода в полупроводниках
Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их возникновения, вольт-амперная характеристика и перегрузочная способность кремниевых лавинных вентилей большой площади, связь этих характеристик со структурными несовершенствами и качеством кремния. Книга предназначена для широкого круга специалистов, занимающихся разработкой, исследованием, производством и применением полупроводниковых приборов.
Смотрите также

Гусев В.А. Твердотельная электроника

  • формат chm
  • размер 38.11 МБ
  • добавлен 17 сентября 2011 г.
М.: СевНТУ, 2004. - 635 с. - ISBN 966-7473-70-8. В учебном пособии рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологию монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа; основные области применения активных приборов и интегральных схем....

Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твёрдотельная электроника

  • формат djvu
  • размер 2.58 МБ
  • добавлен 24 октября 2009 г.
Учеб. для студентов вузов М. - Высшая Школа, 1986. - 304 с. структура кристаллов. дефекты в кристаллах. тепловые колебания атомов кристалла. основы зонной теории. статистика в полупроводниках. кинетические явления. магнитные свойства твердых тел. контакт металл-полупроводник.

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. Твердотельная электроника. Учебное пособие

  • формат pdf
  • размер 3.84 МБ
  • добавлен 12 ноября 2011 г.
Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-тр...

Лекции по ТТЭ

Статья
  • формат doc
  • размер 3.3 МБ
  • добавлен 01 октября 2006 г.
Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов. Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника Неравновесное состояние полупроводника. Электрические переходы в полупроводниковых приборах. Электрические переходы. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Электронно-дырочный перехо...

Негоденко О.Н., Мирошниченко С.П. Материалы электронной техники

  • формат pdf
  • размер 1.5 МБ
  • добавлен 20 августа 2011 г.
Конспект лекций. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2006. В 2-х частях. - Ч.1, 66 с. Ч.2. 47 c. В пособии приводятся основные физические явления в полупроводниках и активных диэлектриках, описываются их электрические, физико-химические и механические свойства. Методическое пособие предназначено для изучения курса "Материалы электронной техники" студентами специальностей 210200, 210600, а также может быть полезно студентам других специальностей. Пособие под...

Шарипов И.З. Материаловедение

  • формат doc
  • размер 491.43 КБ
  • добавлен 22 января 2011 г.
УГАТУ, 2008 год. 94 страницы. Содержание: Неметаллические материалы Диэлектрики Основные процессы в диэлектриках в электрическом поле Электропроводность диэлектриков Поляризация диэлектриков Электронная поляризация Ионная поляризации Дипольная поляризация Спонтанная поляризация Активные диэлектрики Диэлектрические потери Зависимость тангенса угла потерь от температуры Зависимость тангенса угла потерь от частоты Пробой диэлектриков Электричес...

Шкаев А.Г. Твердотельная электроника: конспект лекций

  • формат doc
  • размер 5.87 МБ
  • добавлен 08 июня 2010 г.
Шкаев, А. Г. Твердотельная электроника: конспект лекций / А. Г. Шкаев. – Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. Зонная структура полупроводников Термины и определения Статистика электронов и дырок в полупроводниках, положение уровня Ферми Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике Определение положения уровня Ферми Проводимость полупроводников Токи в полупроводни...