Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного
пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в
однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в
области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое
реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их
возникновения, вольт-амперная характеристика и перегрузочная
способность кремниевых лавинных вентилей большой площади, связь
этих характеристик со структурными несовершенствами и качеством
кремния. Книга предназначена для широкого круга специалистов,
занимающихся разработкой, исследованием, производством и
применением полупроводниковых приборов.